CSD87502Q2
- Low On-Resistance
- Dual Independent MOSFETs
- Space Saving SON 2 × 2 mm Plastic Package
- Optimized for 5 V Gate Driver
- Avalanche Rated
- Pb and Halogen Free
- RoHS Compliant
The CSD87502Q2 is a 30 V, 27 mΩ N-Channel device with dual independent MOSFETs in a SON 2 x 2 mm plastic package. The two FETs were designed to be used in a half-bridge configuration for synchronous buck and other power supply applications. Additionally, these NexFET power MOSFETs can be used for adaptor, USB input protection, and battery charging applications. The dual FETs feature low drain-to-source on-resistance that minimizes losses and offers low component count for space-constrained applications.
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技術文件
類型 | 標題 | 日期 | ||
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* | Data sheet | CSD87502Q2 30 V Dual N-Channel NexFET™ Power MOSFETs datasheet | PDF | HTML | 2015年 12月 16日 |
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設計與開發
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