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CSD87502Q2

現行

30-V、N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET、雙 SON 2 mm x 2 mm、42 mOhm、閘極 ESD 防護

產品詳細資料

VDS (V) 30 VGS (V) 20 Type N-channel Configuration Dual Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 32.4 Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 42 VGSTH typ (typ) (V) 1.6 QG (typ) (nC) 2.2 QGD (typ) (nC) 0.5 QGS (typ) (nC) 1 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 5 ID - package limited (A) 5 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) 30 VGS (V) 20 Type N-channel Configuration Dual Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 32.4 Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 42 VGSTH typ (typ) (V) 1.6 QG (typ) (nC) 2.2 QGD (typ) (nC) 0.5 QGS (typ) (nC) 1 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 5 ID - package limited (A) 5 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
WSON (DLV) 6 4 mm² 2 x 2
  • Low On-Resistance
  • Dual Independent MOSFETs
  • Space Saving SON 2 × 2 mm Plastic Package
  • Optimized for 5 V Gate Driver
  • Avalanche Rated
  • Pb and Halogen Free
  • RoHS Compliant
  • Low On-Resistance
  • Dual Independent MOSFETs
  • Space Saving SON 2 × 2 mm Plastic Package
  • Optimized for 5 V Gate Driver
  • Avalanche Rated
  • Pb and Halogen Free
  • RoHS Compliant

The CSD87502Q2 is a 30 V, 27 mΩ N-Channel device with dual independent MOSFETs in a SON 2 x 2 mm plastic package. The two FETs were designed to be used in a half-bridge configuration for synchronous buck and other power supply applications. Additionally, these NexFET power MOSFETs can be used for adaptor, USB input protection, and battery charging applications. The dual FETs feature low drain-to-source on-resistance that minimizes losses and offers low component count for space-constrained applications.

The CSD87502Q2 is a 30 V, 27 mΩ N-Channel device with dual independent MOSFETs in a SON 2 x 2 mm plastic package. The two FETs were designed to be used in a half-bridge configuration for synchronous buck and other power supply applications. Additionally, these NexFET power MOSFETs can be used for adaptor, USB input protection, and battery charging applications. The dual FETs feature low drain-to-source on-resistance that minimizes losses and offers low component count for space-constrained applications.

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技術文件

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* Data sheet CSD87502Q2 30 V Dual N-Channel NexFET™ Power MOSFETs datasheet PDF | HTML 2015年 12月 16日
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設計與開發

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支援軟體

NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC NONSYNC BOOST FET LOSS Calculator

MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
支援產品和硬體

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模擬型號

CSD87502Q2 Unencrypted PSpice Model Package (Rev. B)

SLPM164B.ZIP (5 KB) - PSpice Model
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MOTOR-DRIVE-FET-LOSS-CALC Power Loss Calculation Tool for BLDC Motor Drive

This is an Excel-based MOSFET power loss calculator for brushless DC motor drive applications.
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MOSFET power loss calculation and selection tool for synchronous inverting buck boost converter
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SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC Power Loss Calculation Tool for Synchronous Buck Converter

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參考設計

PMP31291 — 27W 反相降壓升壓參考設計

此參考設計是靈活且精巧的電源供應器,可提供負輸出電壓軌。此設計包括 LM70880-Q1 裝置 (80V、8A 高效率降壓轉換器)。輸出電壓值可在三個預先定義的設定中選擇:-7V/-10V/-11V。
Test report: PDF
參考設計

TIDA-01587 — 適用於無刷直流伺服驅動的 10.8-V/30-W、>95% 效率、4.3-cm2、功率級參考設計

這款 16-mm × 27-mm 的 15-W 功率級參考設計可驅動和控制以三至四芯鋰離子電池運作的無刷 DC (BLDC) 馬達的位置。這套高效率的解決方案具備最佳化的精巧外型,可輕鬆融入馬達並支援精確的馬達位置控制。此設計也能透過位置回饋以高速驅動馬達。參考設計受到過電流和短路保護,板載 MCU 提供 UART 連線,可透過任何外部控制器進行控制。
Design guide: PDF
電路圖: PDF
參考設計

TIDA-01238 — 具有可選終端的控制器區域網路 (CAN) 參考設計

在匯流排通訊技術(如控制器區域網路 CAN 和 RS-485)中,通常會在網路中最遠的兩個節點加上 120Ω 終端電阻,其餘節點則不加終端。這個做法需要硬體設計人員了解最終應用的佈局,但實際情況往往並非如此,因為硬體設計人員未必是產品的最終使用者。  TIDA-01238 記錄並測試了兩個獨立電路,使得可以在每個 CAN 節點選擇是否加入終端,讓任何節點都能作為終端節點。可選擇的終端設計能夠消除實作網路時的猜測,讓任一節點皆可成為終端節點。
Design guide: PDF
電路圖: PDF
封裝 針腳 CAD 符號、佔位空間與 3D 模型
WSON (DLV) 6 Ultra Librarian

訂購與品質

內含資訊:
  • RoHS
  • REACH
  • 產品標記
  • 鉛塗層/球物料
  • MSL 等級/回焊峰值
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