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TLV522

現行

雙路、5.5-V、8-kHz、超低靜態電流 (500-nA)、RRIO 運算放大器

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TLV522

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產品詳細資料

Number of channels 2 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (max) (V) 5.5 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (min) (V) 1.7 Rail-to-rail In, Out GBW (typ) (MHz) 0.008 Slew rate (typ) (V/µs) 0.0037 Vos (offset voltage at 25°C) (max) (mV) 4 Iq per channel (typ) (mA) 0.0005 Vn at 1 kHz (typ) (nV√Hz) 300 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125 Offset drift (typ) (µV/°C) 1.5 Features Cost Optimized, EMI Hardened CMRR (typ) (dB) 90 Iout (typ) (A) 0.005 Architecture CMOS Input common mode headroom (to negative supply) (typ) (V) 0.0008 Input common mode headroom (to positive supply) (typ) (V) 0.0005 Output swing headroom (to negative supply) (typ) (V) 0.002 Output swing headroom (to positive supply) (typ) (V) -0.003
Number of channels 2 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (max) (V) 5.5 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (min) (V) 1.7 Rail-to-rail In, Out GBW (typ) (MHz) 0.008 Slew rate (typ) (V/µs) 0.0037 Vos (offset voltage at 25°C) (max) (mV) 4 Iq per channel (typ) (mA) 0.0005 Vn at 1 kHz (typ) (nV√Hz) 300 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125 Offset drift (typ) (µV/°C) 1.5 Features Cost Optimized, EMI Hardened CMRR (typ) (dB) 90 Iout (typ) (A) 0.005 Architecture CMOS Input common mode headroom (to negative supply) (typ) (V) 0.0008 Input common mode headroom (to positive supply) (typ) (V) 0.0005 Output swing headroom (to negative supply) (typ) (V) 0.002 Output swing headroom (to positive supply) (typ) (V) -0.003
VSSOP (DGK) 8 14.7 mm² 3 x 4.9
  • Unmatched Price Performance
  • Wide Supply Range 1.7 V to 5.5 V
  • Low Supply Current 500 nA
  • Good Offset Voltage 4 mV (max)
  • Good TcVos 1.5 µV/°C
  • Gain-Bandwidth 8 kHz
  • Rail-to-Rail Input and Output (RRIO)
  • Unity-Gain Stable
  • Low Input Bias Current 1 pA
  • EMI Hardened
  • Temperature Range –40°C to 125°C
  • 8-pin VSSOP Package
  • Unmatched Price Performance
  • Wide Supply Range 1.7 V to 5.5 V
  • Low Supply Current 500 nA
  • Good Offset Voltage 4 mV (max)
  • Good TcVos 1.5 µV/°C
  • Gain-Bandwidth 8 kHz
  • Rail-to-Rail Input and Output (RRIO)
  • Unity-Gain Stable
  • Low Input Bias Current 1 pA
  • EMI Hardened
  • Temperature Range –40°C to 125°C
  • 8-pin VSSOP Package

The TLV522 500 nA dual, nanopower op amp offers optimum price performance in TI’s nanopower family of operational amplifiers. The TLV522 provides 8 kHz of gain bandwidth from 500 nA of quiescent current, making it well suited for battery powered applications found in building automation and remote sensing nodes. Its CMOS input stage enables very low IBIAS, reducing errors commonly introduced in Megaohm feedback resistance topologies such as high-impedance photodiode and charge sense applications. Additionally, built-in EMI protection reduces sensitivity to unwanted RF signals from sources like mobile phones, WiFi, radio transmitters and RFID readers.

The TLV522 is offered in the 8-pin VSSOP (MSOP) package, and operates from –40°C to 125°C.

The TLV522 500 nA dual, nanopower op amp offers optimum price performance in TI’s nanopower family of operational amplifiers. The TLV522 provides 8 kHz of gain bandwidth from 500 nA of quiescent current, making it well suited for battery powered applications found in building automation and remote sensing nodes. Its CMOS input stage enables very low IBIAS, reducing errors commonly introduced in Megaohm feedback resistance topologies such as high-impedance photodiode and charge sense applications. Additionally, built-in EMI protection reduces sensitivity to unwanted RF signals from sources like mobile phones, WiFi, radio transmitters and RFID readers.

The TLV522 is offered in the 8-pin VSSOP (MSOP) package, and operates from –40°C to 125°C.
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* Data sheet TLV522 Dual Nanopower, 500nA, RRIO CMOS Operational Amplifier datasheet PDF | HTML 2016年 5月 20日
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VSSOP (DGK) 8 Ultra Librarian
適用 TI 的評估品項標準條款與條件。

訂購與品質

內含資訊：
  • RoHS
  • REACH
  • 產品標記
  • 鉛塗層/球物料
  • MSL 等級/回焊峰值
  • MTBF/FIT 估算值
  • 材料內容
  • 認證摘要
  • 進行中持續性的可靠性監測
內含資訊：
  • 晶圓廠位置
  • 組裝地點

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