Das DRV8705H-Q1EVM wurde entwickelt, um den DRV8705H-Q1 zu evaluieren, einen integrierten Treiber für bürstenbehaftete Gleichstrommotoren, der für den Automobilbereich qualifiziert ist. Der DRV8705H-Q1 ist ein hochintegrierter H-Brücken-Gate-Treiber. Er kann sowohl Highside- als auch Lowside-N-Kanal-Leistungs-MOSFETs ansteuern. Er erzeugt die korrekten Gate-Treiberspannungen mit einer integrierten Verdoppler-Ladungspumpe für die Highside und einem Linearregler für die Lowside.
Der Baustein verwendet eine intelligente Gate-Drive-Architektur, um die Systemkosten zu senken und die Zuverlässigkeit zu erhöhen. Der Gate-Treiber optimiert die Totzeit zur Vermeidung von Shoot-Through-Bedingungen, bietet eine Kontrolle zur Reduzierung elektromagnetischer Interferenzen (EMI) durch einen einstellbaren Gate-Treiberstrom und schützt vor Drain-Source- und Gate-Kurzschlüssen durch VDS- und VGS-Überwachung. Ein Shuntverstärker misst den Strom auf der Niederspannungsseite. Dadurch kann der Motorstrom kontinuierlich gemessen werden.
Der DRV8705H-Q1 bietet eine Reihe von Schutzfunktionen, die einen robusten Systembetrieb gewährleisten. Dazu gehören Unter- und Überspannungsüberwachung für die Stromversorgung und die Ladungspumpe, VDS-Überstrom- und VGS-Gate-Fehlerüberwachung für den externen MOSFET sowie ein interner thermischer Warn- und Abschaltschutz.
Der DRV8705H-Q1EVM verfügt über eine H-Brücke, die aus vier n-Kanal-MOSFETs besteht, die bidirektional Motoren mit bis zu 15 A RMS, Spitzenstrom von 20 A, treiben. Die Stromversorgung des EVM erfolgt über ein einziges Netzteil für die analoge Versorgung und über die USB-Leitung für die digitale Versorgung, die auf Wunsch auch extern bereitgestellt werden kann. Für einen sauberen Stromeingang sorgen ein negativer 18-V-Verpolschutz und ein 20-A-RMS-PI-Filter zum Schutz vor falschen Batterieanschlüssen.
Merkmale
- 4,9-V bis 37-V, bis zu 15-A RMS, 20-A Spitzenstrom H-Brücke Smart Gate drive EVM in SPI- und HW-Varianten für Automobil-, Bürsten-DC-Motor-Anwendungen
- Smart-Gate-Drive-Architektur mit Slew-Rate-Steuerung, Totzeit-Handshaking 0,5-mA bis 62-mA Spitzenwert bei Source- und Sinkstromausgängen
- Strom-Shunt-Verstärker: Low Side Sensing; einstellbare Verstärkung (10, 20, 40, 80nbsp;V/V); integrierte Rückkopplungswiderstände
- Integrierte Schutzfunktionen: Treiber-Deaktivierungs-Pin, VDS/VGS, Versorgung, Ladungspumpe, thermische und nur SPI Offline-Diagnose-Monitore
- Verdoppler-Ladepumpe für 100nbsp;% PWM und unabhängige Halbbrücken-, PH/EN-, PWM- und Split HS- und LS-Magnetsteuerungs-PWM-Modi