This 40 V, 1.3 mΩ, 5 mm × 6 mm NexFET™ power MOSFET is designed to minimize losses in power conversion applications.
| Top-Dokumentation | Typ | Titel | Format-Optionen | Neueste englische Version herunterladen | Datum | |
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| * | Datenblatt | CSD18512Q5B 40 V N-channel NexFET™ power MOSFET datasheet (Rev. A) | PDF | HTML | 15.03.2019 | ||
| Application brief | Estimating Leakage Currents of Power MOSFETs | PDF | HTML | 31.10.2025 | |||
| Anwendungshinweis | MOSFET Support and Training Tools (Rev. G) | PDF | HTML | 27.10.2025 | |||
| Anwendungshinweis | Semiconductor and IC Package Thermal Metrics (Rev. D) | PDF | HTML | 25.03.2024 | |||
| Anwendungshinweis | Using MOSFET Transient Thermal Impedance Curves In Your Design | PDF | HTML | 18.12.2023 | |||
| Anwendungshinweis | QFN and SON PCB Attachment (Rev. C) | PDF | HTML | 06.12.2023 | |||
| Anwendungshinweis | Using MOSFET Safe Operating Area Curves in Your Design | PDF | HTML | 13.03.2023 | |||
| Application brief | Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs | PDF | HTML | 31.05.2022 | |||
| Anwendungshinweis | Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETs | 16.11.2011 |
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Das DRV8106H-Q1EVM wurde entwickelt, um den DRV8106H-Q1 zu evaluieren, einen integrierten Treiber für bürstenbehaftete Gleichstrommotoren, der für den Automobilbereich qualifiziert ist. Der DRV8106H-Q1nbsp;ist ein hochintegrierter Halbbrücken-Gate-Treiber, der High-Side- und (...)
Das DRV8106S-Q1EVM wurde entwickelt, um den DRV8106S-Q1 zu evaluieren, einen integrierten Treiber für bürstenbehaftete Gleichstrommotoren, der für den Automobilbereich qualifiziert ist. Der DRV8106S-Q1nbsp;ist ein hochintegrierter Halbbrücken-Gate-Treiber, der High-Side- und (...)
Das DRV8705H-Q1EVM wurde entwickelt, um den DRV8705H-Q1 zu evaluieren, einen integrierten Treiber für bürstenbehaftete Gleichstrommotoren, der für den Automobilbereich qualifiziert ist. Der DRV8705H-Q1 ist ein hochintegrierter H-Brücken-Gate-Treiber. Er kann sowohl Highside- als auch (...)
Das DRV8705S-Q1EVM wurde entwickelt, um den DRV8705H-Q1 zu evaluieren, einen integrierten Treiber für bürstenbehaftete Gleichstrommotoren, der für den Automobilbereich qualifiziert ist. Der DRV8705S-Q1 ist ein hochintegrierter H-Brücken-Gate-Treiber. Er kann sowohl Highside- als auch (...)
Das DRV8706H-Q1EVM wurde entwickelt, um den DRV8706H-Q1 zu evaluieren, einen integrierten Treiber für bürstenbehaftete Gleichstrommotoren, der für den Automobilbereich qualifiziert ist. Der DRV8706H-Q1 ist ein hochintegrierter H-Brücken-Gate-Treiber. Er kann sowohl Highside- als auch (...)
Das DRV8706S-Q1EVM wurde entwickelt, um den DRV8706S-Q1 zu evaluieren, einen integrierten Treiber für bürstenbehaftete Gleichstrommotoren, der für den Automobilbereich qualifiziert ist. Der DRV8706S-Q1 ist ein hochintegrierter H-Brücken-Gate-Treiber. Er kann sowohl Highside- als auch (...)
MOSFET power loss calculator for synchronous boost converter applications.
MOSFET-Leistungsverlustberechner für Synchrongleichrichteranwendungen
| Gehäuse | Pins | CAD-Symbole, Footprints und 3D-Modelle |
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| VSON-CLIP (DNK) | 8 | Ultra Librarian |
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