Das DRV8705S-Q1EVM wurde entwickelt, um den DRV8705H-Q1 zu evaluieren, einen integrierten Treiber für bürstenbehaftete Gleichstrommotoren, der für den Automobilbereich qualifiziert ist. Der DRV8705S-Q1 ist ein hochintegrierter H-Brücken-Gate-Treiber. Er kann sowohl Highside- als auch Lowside-N-Kanal-Leistungs-MOSFETs ansteuern. Er erzeugt die korrekten Gate-Treiberspannungen mit einer integrierten Verdoppler-Ladungspumpe für die Highside und einem Linearregler für die Lowside.
Der Baustein verwendet eine intelligente Gate-Drive-Architektur, um die Systemkosten zu senken und die Zuverlässigkeit zu erhöhen. Der Gate-Treiber optimiert die Totzeit zur Vermeidung von Shoot-Through-Bedingungen, bietet eine Kontrolle zur Reduzierung elektromagnetischer Interferenzen (EMI) durch einen einstellbaren Gate-Treiberstrom und schützt vor Drain-Source- und Gate-Kurzschlüssen durch VDS- und VGS-Überwachung.
Ein Shuntverstärker misst den Strom auf der Niederspannungsseite. Dadurch kann der Motorstrom kontinuierlich gemessen werden.
Der DRV8705S-Q1 bietet eine Reihe von Schutzfunktionen, die einen robusten Systembetrieb gewährleisten. Dazu gehören Unter- und Überspannungsüberwachung für die Stromversorgung und die Ladungspumpe, VDS-Überstrom- und VGS-Gate-Fehlerüberwachung für den externen MOSFET sowie ein interner thermischer Warn- und Abschaltschutz.
Der DRV8705S-Q1EVM verfügt über eine H-Brücke, die aus vier n-Kanal-MOSFETs besteht, die bidirektional Motoren mit bis zu 15 A RMS, Spitzenstrom von 20 A, treiben. Die Stromversorgung des EVM erfolgt über ein einziges Netzteil für die analoge Versorgung und über die USB-Leitung für die digitale Versorgung, die auf Wunsch auch extern bereitgestellt werden kann. Für einen sauberen Stromeingang sorgen ein negativer 18-V-Verpolschutz und ein 20-A-RMS-PI-Filter zum Schutz vor falschen Batterieanschlüssen.
Merkmale
- H-Brücken-EVM mit intelligentem Gate-Treiber für Automobilanwendungen
- Temperaturgrad 1: –40 °C bis +125 °C, TA
- Betriebsbereich von 4,9 V bis 37 V
- Verdoppler-Ladungspumpe für 100 % PWM
- Halbbrücken- und H-Brücken-Steuerungsmodi
- SPI-Schnittstelle für einfache Konfiguration
- Smart-Gate-Drive-Architektur
- Anpassbare Anstiegsgeschwindigkeitssteuerung
- Spitzenquellenstromausgang von 1,0 mA bis 62 mA
- Spitzen-Sink-Stromausgang von 1,0 mA bis 62 mA
- Integriertes Totzeit-Handshaking
- MOSFET-Drain-Source- und Gate-Monitore
- Strom-Shunt-Verstärker
- Lowside-Strommessung
- Einstellbare Verstärkungseinstellungen (10, 20, 40, 80 V/V)
- Interne Rückkopplungswiderstände
- Integrierte Schutzfunktionen
- Dedizierter Treiber-Deaktivierungs-Pin (DRVOFF)
- Unterspannungsüberwachung für Versorgung und Regler
- MOSFET- VDS-Überstromüberwachungsbausteine
- MOSFET-VGS-Gate-Fehlerüberwachung
- Ladungspumpe für MOSFET mit Verpolung
- Thermische Warnung und Abschaltung des Bausteins
- Interrupt-Pin für Fehlerzustände (n Fehler)