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LMG3411R050

AKTIV

GaN, 600 V, 50 mΩ, mit integriertem Treiber und Zyklus-für-Zyklus-Überstromschutz

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LMG3411R050

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Produktdetails

VDS (max) (V) 600 RDS(on) (mΩ) 50 ID (max) (A) 12 Features Bottom-side cooled, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Overtemperature protection Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 150
VDS (max) (V) 600 RDS(on) (mΩ) 50 ID (max) (A) 12 Features Bottom-side cooled, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Overtemperature protection Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 150
VQFN (RWH) 32 64 mm² 8 x 8
  • TI GaN FET reliability qualified with in-application hard-switching accelerated stress profiles
  • Enables high density power conversion designs
    • Superior system performance over cascode or stand-alone GaN FETs
    • Low inductance 8 mm x 8 mm QFN package for ease of design, and layout
    • Adjustable drive strength for switching performance and EMI control
    • Digital fault status output signal
    • Only +12 V unregulated supply needed
  • Integrated gate driver
    • Zero common source inductance
    • 20 ns Propagation delay for MHz operation
    • Trimmed gate bias voltage to compensate for threshold variations ensures reliable switching
    • 25 to 100V/ns User adjustable slew rate
  • Robust protection
    • Requires no external protection components
    • Overcurrent protection with less than 100 ns response
    • Greater than 150 V/ns Slew rate immunity
    • Transient overvoltage immunity
    • Overtemperature protection
    • Under voltage lock out (UVLO) Protection on all supply rails
  • Robust protection
    • LMG3410R050: Latched overcurrent protection
    • LMG3411R050: Cycle-by-cycle overcurrent protection
    • TI GaN FET reliability qualified with in-application hard-switching accelerated stress profiles
    • Enables high density power conversion designs
      • Superior system performance over cascode or stand-alone GaN FETs
      • Low inductance 8 mm x 8 mm QFN package for ease of design, and layout
      • Adjustable drive strength for switching performance and EMI control
      • Digital fault status output signal
      • Only +12 V unregulated supply needed
    • Integrated gate driver
      • Zero common source inductance
      • 20 ns Propagation delay for MHz operation
      • Trimmed gate bias voltage to compensate for threshold variations ensures reliable switching
      • 25 to 100V/ns User adjustable slew rate
    • Robust protection
      • Requires no external protection components
      • Overcurrent protection with less than 100 ns response
      • Greater than 150 V/ns Slew rate immunity
      • Transient overvoltage immunity
      • Overtemperature protection
      • Under voltage lock out (UVLO) Protection on all supply rails
    • Robust protection
      • LMG3410R050: Latched overcurrent protection
      • LMG3411R050: Cycle-by-cycle overcurrent protection

      The LMG341xR050 GaN power stage with integrated driver and protection enables designers to achieve new levels of power density and efficiency in power electronics systems. The LMG341x’s inherent advantages over silicon MOSFETs include ultra-low input and output capacitance, zero reverse recovery to reduce switching losses by as much as 80%, and low switch node ringing to reduce EMI. These advantages enable dense and efficient topologies like the totem-pole PFC.

      The LMG341xR050 provides a smart alternative to traditional cascode GaN and standalone GaN FETs by integrating a unique set of features to simplify design, maximize reliability and optimize the performance of any power supply. Integrated gate drive enables 100 V/ns switching with near zero Vds ringing, less than 100 ns current limiting response self-protects against unintended shoot-through events, overtemperature shutdown prevents thermal runaway, and system interface signals provide self-monitoring capability.

      The LMG341xR050 GaN power stage with integrated driver and protection enables designers to achieve new levels of power density and efficiency in power electronics systems. The LMG341x’s inherent advantages over silicon MOSFETs include ultra-low input and output capacitance, zero reverse recovery to reduce switching losses by as much as 80%, and low switch node ringing to reduce EMI. These advantages enable dense and efficient topologies like the totem-pole PFC.

      The LMG341xR050 provides a smart alternative to traditional cascode GaN and standalone GaN FETs by integrating a unique set of features to simplify design, maximize reliability and optimize the performance of any power supply. Integrated gate drive enables 100 V/ns switching with near zero Vds ringing, less than 100 ns current limiting response self-protects against unintended shoot-through events, overtemperature shutdown prevents thermal runaway, and system interface signals provide self-monitoring capability.
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      Technische Dokumentation

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      Typ Titel Datum
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      White paper Achieving GaN Products With Lifetime Reliability PDF | HTML 02 Jun 2021
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      Analog Design Journal Wide-bandgap semiconductors: Performance and benefits of GaN versus SiC 22 Sep 2020
      Application note Thermal Considerations for Designing a GaN Power Stage (Rev. B) 04 Aug 2020
      Application note Third quadrant operation of GaN 25 Feb 2019

      Design und Entwicklung

      Weitere Bedingungen oder erforderliche Ressourcen enthält gegebenenfalls die Detailseite, die Sie durch Klicken auf einen der unten stehenden Titel erreichen.

      Evaluierungsplatine

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      SNOR029 — GaN CCM Boost PFC Power Loss Calculation Excel Sheet

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      Galliumnitrid (GaN)-Leistungsstufen
      LMG3410R050 — GaN, 600 V. 50 mΩ, Treiber und Schutz integriert LMG3410R070 — GaN, 600 V, 70 mΩ, mit integriertem Treiber und Schutz LMG3410R150 — GaN, 600 V, 150 mΩ, mit integriertem Treiber und Überstromschutz LMG3411R050 — GaN, 600 V, 50 mΩ, mit integriertem Treiber und Zyklus-für-Zyklus-Überstromschutz LMG3411R070 — GaN, 600 V, 70 mΩ, mit integriertem Treiber und Zyklus-für-Zyklus-Überstromschutz LMG3411R150 — GaN, 600 V, 150 mΩ, mit integriertem Treiber und Zyklus-für-Zyklus-Überstromschutz LMG3422R030 — GaN-FET, 600 V, 30 mΩ, beinhaltet Treiber, Schutz und Temperaturmeldung LMG3522R030 — GaN-FET, 650 V, 30 mΩ, mit integriertem Treiber, Schutz und Temperaturmeldung LMG3522R030-Q1 — GaN-FET, 650 V, 30 mΩ, mit Integration von Treiber, Schutz und Temperaturmeldung für die Automobilin LMG3526R030 — GaN-FET, 650 V, 30 mΩ, mit integriertem Treiber, Schutz und Nullspannungserkennung
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      Design guide: PDF
      Schaltplan: PDF
      Referenzdesigns

      PMP21309 — Referenzdesign für 24-V/500-W-Resonanzwandler mit HV GaN FET

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      Test report: PDF
      Schaltplan: PDF
      Referenzdesigns

      PMP21842 — Referenzdesign für 12-V/500-W-Resonanzwandler mit HV GaN FET

      Dieses Referenzdesign eines Hochfrequenz-Resonanzwandlers regelt einen 12-V-Ausgang aus einem Eingangsspannungsbereich von 380 V bis 400 V unter Verwendung eines Resonanztankstroms mit 500 kHz Resonanzfrequenz. Ein Spitzenwirkungsgrad von 96,0 % (einschließlich Vorspannungsversorgung) wird mit (...)
      Test report: PDF
      Schaltplan: PDF
      Gehäuse Pins CAD-Symbole, Footprints und 3D-Modelle
      VQFN (RWH) 32 Ultra Librarian
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      • Bausteinkennzeichnung
      • Blei-Finish/Ball-Material
      • MSL-Rating / Spitzenrückfluss
      • MTBF-/FIT-Schätzungen
      • Materialinhalt
      • Qualifikationszusammenfassung
      • Kontinuierliches Zuverlässigkeitsmonitoring
      Beinhaltete Information:
      • Werksstandort
      • Montagestandort

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