PMP11536

Referenzdesign für Powerbank mit USB-C DFP + 5 V bei 2 A mit Schnellladeeingang

PMP11536

Designdateien

Überblick

PMP11536 is a power bank reference design with a USB typc C DFP plus a USB type A port employing the boost mode of a Maxcharger. Fast charger input is also supported to save more charging time. It can detect the input port attach/detach events automatically, as well as the output ports.

Merkmale
  • Type C DFP Enabled @5V/3A
  • Fast Charger input supported
  • Automatic Attach/Detach Detection
  • High Discharging Current
  • Hardware and software OVP for OTG output
  • Small dimensions: 71.5mmx18mm
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Eine voll bestückte Platine wurde nur für Test- und Leistungsvalidierung entwickelt. Sie wird nicht zum Verkauf angeboten.

Designdateien und Produkte

Designdateien

Laden Sie sich sofort einsetzbare Systemdateien herunter, um Ihren Designprozess zu beschleunigen.

TIDUB24.PDF (803 KB)

Testergebnisse für das Referenzdesign, mit Wirkungsgraddiagrammen, Testvoraussetzungen und mehr.

TIDRIO9.PDF (84 KB)

Vollständige Liste mit Designkomponenten, Referenz-Bezeichnern und Hersteller-/Teilenummern

TIDRIP0.ZIP (706 KB)

Leiterplattenschicht-Plotdatei zur Erstellung des Design-Layouts der Leiterplatte

TIDRIO8.PDF (299 KB)

Detailliertes Schaltplandiagramm für Design-Layout und Komponenten

Produkte

Enthält TI-Produkte in der Entwicklung und mögliche Alternativen.

Linear- und Low-Dropout-Regler (LDO)

TLV704Low-Dropout-Spannungsregler (LDO) mit extrem niedrigem Ruhestrom, 150 mA, 24 V

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Akkuschutz

BQ2970Erweiterter Schutz für Lithium-Ionen- (Li-Ion) und Lithium-Polymer- (Li-Po) Einzelzellen-Akkus

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USB-Versorgungsschalter & Ladesteuerung

TPS2514ADedizierter USB-Ladeport-Controller – Gen 2

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MOSFETs

CSD17483F430 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 1 mm x 0,6 mm, 260 mOhm, Gate-ESD-Schutz

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MOSFETs

CSD16301Q225-V-, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 2 mm x 2 mm, 29 mOhm

Datenblatt: PDF | HTML
MOSFETs

CSD87501L30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Dual-Common-Drain-LGA, 5,5 mOhm, Gate-ESD-Schutz

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AC/DC- und DC/DC-Wandler (integrierter FET)

TPS61235PSynchron-Aufwärtswandler mit 8 A-Talstrom und 5,1 V fester Ausgangsspannung

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Shunt-Spannungsreferenzen

TL431Einstellbarer Präzisions-Shunt-Regler

Datenblatt: PDF | HTML
MOSFETs

CSD25310Q2–20 V, P-Kanal NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 2 mm x 2 mm, 23,9 mOhm

Datenblatt: PDF | HTML
USB-Typ-C- und USB-Stromversorgungs-ICs

TPS25810USB Type-C®-Quellencontroller und 3A-Leistungsschalter mit VCONN

Datenblatt: PDF | HTML
Batterielader-ICs

BQ25895I2C 1cell 5A Abwärts-Batterielader mit hoher Eingangsspannung und 3.1-A Boost mit HVDCP aktiviert

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MSP430 microcontrollers

MSP430G233216-MHz-MCU mit 4 KB Flash, 256 B SRAM, 10-Bit-ADC, SPI/I2C, Timer

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Technische Dokumentation

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Typ Titel Neueste englische Version herunterladen Datum
* Prüfbericht PMP11536 Test Results 13.11.2015

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