Dieses Referenzdesign ist ein Ersatz für den inzwischen veralteten Baustein PMP20289.
PMP21842
Referenzdesign für 12-V/500-W-Resonanzwandler mit HV GaN FET
PMP21842
Überblick
Dieses Referenzdesign eines Hochfrequenz-Resonanzwandlers regelt einen 12-V-Ausgang aus einem Eingangsspannungsbereich von 380 V bis 400 V unter Verwendung eines Resonanztankstroms mit 500 kHz Resonanzfrequenz. Ein Spitzenwirkungsgrad von 96,0 % (einschließlich Vorspannungsversorgung) wird mit diesem Design erreicht, indem unser Hochspannungs-GaN-Baustein zusammen mit UCD3138A und UCD7138 verwendet wird, um die Totzeit und den Synchrongleichrichter-Leitwert (SR) zu optimieren.
Merkmale
- 500 kHz Resonanzfrequenz
- Nominelle Umwandlung von 390 V in 12 V/500 W.
- 96,0 % Wirkungsgrad bei 390-V-Eingang inklusive Vorspannungsversorgung
- Leistungsstufe X Y, Abmessungen von 1,9" x 3"
| Ausgangsspannung – Auswahlmöglichkeiten | PMP21842.1 |
|---|---|
| Vin (Min) (V) | 380 |
| Vin (Max) (V) | 400 |
| Vout (Nom) (V) | 12 |
| Iout (Max) (A) | 42 |
| Ausgangsleistung (W) | 504 |
| Isoliert/Nicht isoliert | Isolated |
| Eingabetyp | DC |
| Topologie | Half Bridge- LLC |
Eine voll bestückte Platine wurde nur für Test- und Leistungsvalidierung entwickelt. Sie wird nicht zum Verkauf angeboten.
Designdateien und Produkte
Designdateien
Laden Sie sich sofort einsetzbare Systemdateien herunter, um Ihren Designprozess zu beschleunigen.
TIDT088.PDF (3543 KB)
Testergebnisse für das Referenzdesign, mit Wirkungsgraddiagrammen, Testvoraussetzungen und mehr.
TIDRYZ3.PDF (120 KB)
Detaillierter Überblick über das Design-Layout zur Bestimmung der Position der Komponenten
TIDRYZ2.ZIP (154 KB)
Vollständige Liste mit Designkomponenten, Referenz-Bezeichnern und Hersteller-/Teilenummern
TIDRYZ5.ZIP (585 KB)
Dateien für 3D-Modelle oder 2D-Zeichnungen von IC-Komponenten
TIDCFA4.ZIP (1731 KB)
Designdatei mit Informationen zur physikalischen Platinenschicht der Design-Platine
TIDRYZ4.PDF (714 KB)
Leiterplattenschicht-Plotdatei zur Erstellung des Design-Layouts der Leiterplatte
TIDRYZ1.ZIP (255 KB)
Detailliertes Schaltplandiagramm für Design-Layout und Komponenten
Produkte
Enthält TI-Produkte in der Entwicklung und mögliche Alternativen.
Galliumnitrid (GaN)-Leistungsstufen
LMG3411R070 — GaN, 600 V, 70 mΩ, mit integriertem Treiber und Zyklus-für-Zyklus-Überstromschutz
Galliumnitrid (GaN)-Leistungsstufen
LMG3410R070 — GaN, 600 V, 70 mΩ, mit integriertem Treiber und Schutz
Galliumnitrid (GaN)-Leistungsstufen
LMG3411R050 — GaN, 600 V, 50 mΩ, mit integriertem Treiber und Zyklus-für-Zyklus-Überstromschutz
MOSFETs
CSD18510Q5B — 40-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 0,96 mOhm
Technische Dokumentation
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| Typ | Titel | Neueste englische Version herunterladen | Datum | ||
|---|---|---|---|---|---|
| * | Prüfbericht | 12-V/500-W resonant converter reference design with HV GaN FET | 04.02.2019 |
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