Dieses Referenzdesign modifiziert das Windungsverhältnis des integrierten Transformators von 5:1 auf 3:1, um den Eingangsbereich zu verkleinern. Die Platine unterstützt Eingangsspannungen von 24 V bis 32 V und Ausgangsspannungen von 0,5 V bis 1,0 V mit Ausgangsströmen bis zu 40 A. Diese Topologie unterstützt effizient das hohe Abwärtsverhältnis und bietet gleichzeitig Ausgangsstrom und Regelbarkeit in erheblichem Maße. Das ursprüngliche EVM wurde zur Evaluierung der GaN-Halbbrücken-Leistungsstufe LMG5200 und des Halbbrücken-Point-of-Load(PoL)-Reglers TPS53632G entwickelt. Diese Platine implementiert den Wandler als einstufige hart geschaltete Halbbrücke mit einem Stromverdoppler-Gleichrichter. Bei der Platine handelt es sich um ein Redesign des LMG5200POLEVM-10-Evaluierungsmoduls.
Merkmale
- Niederspannungs- und Hochstromfähigkeit zur Unterstützung von FPGA-PoLs
- Hohe Leistungsdichte mit GaN-FETs
- Integrierter planarer Transformator