LMG5200
GaN-Halbbrücken-Leistungsstufe für 80 V
LMG5200
- Integrated 15-mΩ GaN FETs and Driver
- 80-V Continuous, 100-V Pulsed Voltage Rating
- Package Optimized for Easy PCB Layout, Eliminating Need for Underfill, Creepage, and Clearance Requirements
- Very Low Common Source Inductance to Ensure High Slew Rate Switching Without Causing Excessive Ringing in Hard-Switched Topologies
- Ideal for Isolated and Non-Isolated Applications
- Gate Driver Capable of Up to 10 MHz Switching
- Internal Bootstrap Supply Voltage Clamping to Prevent GaN FET Overdrive
- Supply Rail Undervoltage Lockout Protection
- Excellent Propagation Delay (29.5 ns Typical) and Matching (2 ns Typical)
- Low Power Consumption
The LMG5200 device, an 80-V, 10-A driver plus GaN half-bridge power stage, provides an integrated power stage solution using enhancement-mode Gallium Nitride (GaN) FETs. The device consists of two 80-V GaN FETs driven by one high-frequency GaN FET driver in a half-bridge configuration.
GaN FETs provide significant advantages for power conversion as they have near zero reverse recovery and very small input capacitance CISS. All the devices are mounted on a completely bond-wire free package platform with minimized package parasitic elements. The LMG5200 device is available in a 6 mm × 8 mm × 2 mm lead-free package and can be easily mounted on PCBs.
The TTL logic compatible inputs can withstand input voltages up to 12 V regardless of the VCC voltage. The proprietary bootstrap voltage clamping technique ensures the gate voltages of the enhancement mode GaN FETs are within a safe operating range.
The device extends advantages of discrete GaN FETs by offering a more user-friendly interface. It is an ideal solution for applications requiring high-frequency, high-efficiency operation in a small form factor. When used with the TPS53632G controller, the LMG5200 enables direct conversion from 48-V to point-of-load voltages (0.5-1.5 V).
Technische Dokumentation
Design und Entwicklung
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LMG5200EVM-02 — Evaluierungsmodul für die GaN-Leistungsstufe LMG5200
LMG5200POLEVM-10 — LMG5200-GaN-Point-of-Load-Evaluierungsmodul, 48 V bis 1 V
Das LMG5200POLEVM-10-EVM wurde zur Evaluierung der LMG5200-GaN-Halbbrücken-Leistungsstufe und des TPS53632G-Halbbrücken-Point-of-Load-Reglers in einer Anwendung von 48 V bis 1 V entwickelt. Dieses EVM implementiert den 48-V-1-V-Wandler als einstufige hart geschaltete Halbbrücke mit einem (...)
BOOSTXL-3PHGANINV — 48-V-Dreiphasen-Inverter mit Shunt-basierter Inline-Motor Phasen-Strommessung – Evaluierungsmodul
Das Evaluierungsmodul BOOSTXL-3PHGANINV implementiert einen dreiphasigen 48-V/10-A-GaN-Inverter mit präziser Inline-Shunt-basierter Phasenstrommessung zur exakten Steuerung von Präzisionsantrieben wie Servoantrieben.
Die MathWorks MATLAB- und Simulink-Beispielmodelle beinhalten Folgendes:
LMG5200 TINA-TI Transient Reference Design (Rev. C)
TIDA-00909 — 48 V/10 A, Hochfrequenz-PWM-3-Phasen-GaN-Inverter-Referenzdesign für Hochgeschwindigkeitsantriebe
TIDA-00913 — 48 V, 3-Phasen-Inverter mit Shunt-basierter Inline-Motorphasenstromerfassung – Referenzdesign
TIDM-02006 — Referenzdesign für verteilten Mehrachs-Servoantrieb über schnelle serielle Schnittstelle (FSI)
TIDM-02007 — Zweiachsen-Motorantrieb mit schneller Stromschleife (FCL) und SFRA auf einer einzigen MCU – Referenz
PMP22089 — Referenzdesign für Halbbrücken-Point-of-Load-Wandler mit GaN-Technologie
PMP4486 — 48-Vin-Digital-POL mit 3 Ausgängen – Referenzdesign
PMP4497 — Referenzdesign für einstufigen LMG5200-Wandler mit 48 V bis 1 V/40 A
| Gehäuse | Pins | CAD-Symbole, Footprints und 3D-Modelle |
|---|---|---|
| QFM (MOF) | 9 | Ultra Librarian |
Bestellen & Qualität
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- REACH
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- Qualifikationszusammenfassung
- Kontinuierliches Zuverlässigkeitsmonitoring
- Werksstandort
- Montagestandort
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