Este diseño de referencia es una etapa de potencia de controlador de compuerta aislado IGBT o SiC que impulsa un módulo IGBT con funciones de protección avanzadas. El diseño consta de una etapa de potencia monofásica a partir de un inversor de tracción que admite un alto nivel de características de seguridad. El módulo IGBT tiene diodo térmico integrado para monitoreo y detección de temperatura FET para protección contra sobrecorriente, proporcionando protecciones rápidas y precisas. Incluye las fuentes de alimentación de polarización y su supervisión de voltaje de salida, detección de bus de CC aislado en circuitos redundantes, detección de temperatura para controladores de lado alto y bajo, supervisión de la señal de compuerta PWM, diagnóstico de inyección de señal de fallas. La fuente admite un amplio rango de entrada de 4.5V a 65V CC y proporciona una corriente de salida de hasta 180mA. El controlador de compuerta aislado tiene una fuerza de accionamiento de hasta ±10 A y también incluye un convertidor analógico a PWM, que se utiliza para la detección de temperatura y voltaje.
Funciones
- Diseño de etapa de potencia monofásica para aplicaciones de inversores de tracción HEV/EV
- Incluye un módulo IGBT refrigerado de doble lado de 700 V, 450 A con diodo térmico integrado para monitoreo de temperatura y detección de FET para protección contra sobrecorriente
- Múltiples circuitos redundantes, supervisión del voltaje de alimentación y supervisión de salida PWM para aumentar el nivel de seguridad del sistema
- Controlador de compuerta aislado integrado con fuerza de accionamiento ±10 A, protección rápida contra sobrecorriente y cortocircuito y sensor analógico a PWM
- Inyección de señal de fallos para validación de funciones