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UCC21732-Q1

ACTIVO

Contr. de comp. aislado automotriz monocanal, ±10 A, 5.7 kVrms c/ apag. de 2 niveles p/ FET IGBT/SiC

Detalles del producto

Number of channels 1 Isolation rating Reinforced Power switch IGBT, SiCFET Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1500 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000, 8400 Peak output current (A) 10 Peak output current (source) (typ) (A) 10 Peak output current (sink) (typ) (A) 10 Features Active miller clamp, Fault reporting, Integrated analog to PWM sensor, Over Current Protection, Power good, Short circuit protection, Soft turn-off, Two-level turn-off Output VCC/VDD (min) (V) 13 Output VCC/VDD (max) (V) 33 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Propagation delay time (µs) 0.09 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Bootstrap supply voltage (max) (V) 2121 Rise time (ns) 28 Fall time (ns) 24 Undervoltage lockout (typ) (V) 12 TI functional safety category Functional Safety Quality-Managed
Number of channels 1 Isolation rating Reinforced Power switch IGBT, SiCFET Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1500 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000, 8400 Peak output current (A) 10 Peak output current (source) (typ) (A) 10 Peak output current (sink) (typ) (A) 10 Features Active miller clamp, Fault reporting, Integrated analog to PWM sensor, Over Current Protection, Power good, Short circuit protection, Soft turn-off, Two-level turn-off Output VCC/VDD (min) (V) 13 Output VCC/VDD (max) (V) 33 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Propagation delay time (µs) 0.09 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Bootstrap supply voltage (max) (V) 2121 Rise time (ns) 28 Fall time (ns) 24 Undervoltage lockout (typ) (V) 12 TI functional safety category Functional Safety Quality-Managed
SOIC (DW) 16 106.09 mm² 10.3 x 10.3
  • 5.7kVRMS single channel isolated gate driver
  • AEC-Q100 qualified for automotive applications
    • Device temperature grade 1: –40°C to +125°C ambient operating temperature range
    • Device HBM ESD classification level 3A
    • Device CDM ESD classification level C3
  • SiC MOSFETs and IGBTs up to 2121Vpk
  • 33V maximum output drive voltage (VDD-VEE)
  • ±10A drive strength and split output
  • 150V/ns minimum CMTI
  • 270ns response time fast overcurrent protection
  • External active miller clamp
  • Internal 2-level turn-off when fault happens
  • Isolated analog sensor with PWM output for
    • Temperature sensing with NTC, PTC or thermal diode
    • High voltage DC-Link or phase voltage
  • Alarm FLT on over current and reset from RST/EN
  • Fast enable/disable response on RST/EN
  • Reject <40ns noise transient and pulse on input pins
  • 12V VDD UVLO with power good on RDY
  • Inputs/outputs with over/under-shoot transient voltage Immunity up to 5V
  • 130ns (maximum) propagation delay and 30ns (maximum) pulse/part skew
  • SOIC-16 DW package with creepage and clearance distance > 8mm
  • Operating junction temperature –40°C to 150°C
  • Safety-related certifications:
    • 8000VPK VIOTM and 2121VPK VIORM Reinforced Isolation per DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17)
    • 5700VRMS isolation for 1 minute per UL1577
  • 5.7kVRMS single channel isolated gate driver
  • AEC-Q100 qualified for automotive applications
    • Device temperature grade 1: –40°C to +125°C ambient operating temperature range
    • Device HBM ESD classification level 3A
    • Device CDM ESD classification level C3
  • SiC MOSFETs and IGBTs up to 2121Vpk
  • 33V maximum output drive voltage (VDD-VEE)
  • ±10A drive strength and split output
  • 150V/ns minimum CMTI
  • 270ns response time fast overcurrent protection
  • External active miller clamp
  • Internal 2-level turn-off when fault happens
  • Isolated analog sensor with PWM output for
    • Temperature sensing with NTC, PTC or thermal diode
    • High voltage DC-Link or phase voltage
  • Alarm FLT on over current and reset from RST/EN
  • Fast enable/disable response on RST/EN
  • Reject <40ns noise transient and pulse on input pins
  • 12V VDD UVLO with power good on RDY
  • Inputs/outputs with over/under-shoot transient voltage Immunity up to 5V
  • 130ns (maximum) propagation delay and 30ns (maximum) pulse/part skew
  • SOIC-16 DW package with creepage and clearance distance > 8mm
  • Operating junction temperature –40°C to 150°C
  • Safety-related certifications:
    • 8000VPK VIOTM and 2121VPK VIORM Reinforced Isolation per DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17)
    • 5700VRMS isolation for 1 minute per UL1577

The UCC21732-Q1 is a galvanic isolated single channel gate driver designed for SiC MOSFETs and IGBTs up to 2121V DC operating voltage with advanced protection features, best-in-class dynamic performance and robustness. The UCC21732-Q1 has up to ±10A peak source and sink current.

The input side is isolated from the output side with SiO2 capacitive isolation technology, supporting up to 1.5kVRMS working voltage, 12.8kVPK surge immunity with longer than 40 years Isolation barrier life, as well as providing low part-to-part skew , >150V/ns common mode noise immunity (CMTI).

The UCC21732-Q1 includes the state-of-art protection features, such as fast overcurrent and short circuit detection, shunt current sensing support, fault reporting, active miller clamp, input and output side power supply UVLO to optimize SiC and IGBT switching behavior and robustness. The isolated analog to PWM sensor can be utilized for easier temperature or voltage sensing, further increasing the drivers’ versatility and simplifying the system design effort, size and cost.

The UCC21732-Q1 is a galvanic isolated single channel gate driver designed for SiC MOSFETs and IGBTs up to 2121V DC operating voltage with advanced protection features, best-in-class dynamic performance and robustness. The UCC21732-Q1 has up to ±10A peak source and sink current.

The input side is isolated from the output side with SiO2 capacitive isolation technology, supporting up to 1.5kVRMS working voltage, 12.8kVPK surge immunity with longer than 40 years Isolation barrier life, as well as providing low part-to-part skew , >150V/ns common mode noise immunity (CMTI).

The UCC21732-Q1 includes the state-of-art protection features, such as fast overcurrent and short circuit detection, shunt current sensing support, fault reporting, active miller clamp, input and output side power supply UVLO to optimize SiC and IGBT switching behavior and robustness. The isolated analog to PWM sensor can be utilized for easier temperature or voltage sensing, further increasing the drivers’ versatility and simplifying the system design effort, size and cost.

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Documentación técnica

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Tipo Título Fecha
* Data sheet UCC21732-Q1 Automotive 10A Source/Sink Reinforced Isolated Single Channel Gate Driver for SiC/IGBT with Active Protection, Isolated Analog Sensing and High-CMTI datasheet (Rev. C) PDF | HTML 18 ene 2024
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Diseño y desarrollo

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Placa de evaluación

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Guía del usuario: PDF
Modelo de simulación

UCC21732 PSpice Transient Model

SLUM663.ZIP (65 KB) - PSpice Model
Modelo de simulación

UCC21732 Unencrypted PSPICE Transient Model

SLUM717.ZIP (6 KB) - PSpice Model
Herramienta de cálculo

SLUC695 UCC217xx XL Calculator Tool

Calculator enable customer design in terms of switching frequency and OC/DESAT, STO timing
Productos y hardware compatibles

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Productos
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Encapsulado Pines Símbolos CAD, huellas y modelos 3D
SOIC (DW) 16 Ultra Librarian

Pedidos y calidad

Información incluida:
  • RoHS
  • REACH
  • Marcado del dispositivo
  • Acabado de plomo/material de la bola
  • Clasificación de nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) / reflujo máximo
  • Estimaciones de tiempo medio entre fallas (MTBF)/fallas en el tiempo (FIT)
  • Contenido del material
  • Resumen de calificaciones
  • Monitoreo continuo de confiabilidad
Información incluida:
  • Lugar de fabricación
  • Lugar de ensamblaje

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