신제품
TI GaN 기술의 이점
개별 GaN FET보다 빠른 스위칭 속도
일체형 드라이버가 탑재된 GaN FET는 스위칭 속도가 150V/ns까지 도달할 수 있습니다. 이러한 스위칭 속도가 저인덕턴스 패키지와 결합되면서 손실을 줄이고, 깔끔한 스위칭을 구현하면서 링잉을 최소화합니다.
더 작은 자기 부품, 더 높은 전력 밀도
빠른 스위칭 속도가 지원되는 GaN 디바이스를 사용하면 500kHz 이상의 스위칭 주파수를 달성할 수 있어 자기 부품 크기를 최대 60% 줄일 수 있고, 성능 향상과 시스템 비용 절감을 실현할 수 있습니다.
안정성을 위해 설계
GaN 디바이스는 독점 기술 기반 GaN-on-Si 프로세스와 4천만 시간이 넘는 신뢰성 테스트, 보호 기능을 바탕으로 고전압 시스템을 안전하게 보호할 수 있도록 설계되어 있습니다.
전용 설계 툴 및 리소스
전력 손실 계산기, 회로 시뮬레이션을 위한 PLECS 모델, 대형 시스템에서 테스트 및 작동용 평가 보드를 포함한 GaN 설계 리소스로 시장 출시 시간을 단축하십시오.
GaN을 선택하는 이유
GaN 기술 이해
GaN은 기존의 실리콘 전용 기반 솔루션보다 더 높은 전력 밀도, 더 안정적인 작동 및 향상된 효율성을 제공합니다. TI의 기술 페이지에서 전원 트랜지스터 기술에 대한 자세한 내용을 알아보고, 주요 GaN 애플리케이션을 검색하고, 고객의 의견을 경청하고, TI GaN 제품으로 향후 전원 설계의 무게, 크기 및 비용을 최소화하는 데 어떤 도움이 되는지 직접 확인해 보십시오.
설계에 도움이 되는 툴 및 리소스
TI는 설계를 지원하고 애플리케이션에 적합한 장치를 선택하는 데 도움이 되는 다양한 리소스를 제공합니다. TI의 전력 손실 계산 툴은 사용자가 지정한 매개 변수에서 선택한 장치의 전력 손실을 표시하여 제품 선택에 도움이 될 수 있습니다. TI의 PLECS 모델을 사용하면 GaN 장치의 작동을 시뮬레이션하여 FET 접합부 온도를 예측하고 턴온 중에 조정 가능한 회전률을 허용할 수 있습니다. TI의 하프 브리지 평가 도터 카드는 더 큰 시스템에서 테스트하고 작동하는 데 사용할 수도 있습니다.
기술 리소스
Thermal Performance of QFN12x12 Package for 600V, GaN Power Stage (Rev. A)
Direct-drive configuration for GaN devices (Rev. A)
Third quadrant operation of GaN
설계 및 개발 자료
GaN 레퍼런스 디자인 기반의 11kW, 양방향, 3상 ANPC
이 레퍼런스 디자인은 3레벨, 3상, 질화 갈륨(GaN) 기반 ANPC 인버터 전력계 구현을 위한 설계 템플릿을 제공합니다. 빠른 스위칭 전원 디바이스를 사용하면 100kHz~높은 주파수로 스위칭할 수 있어 필터의 자기 크기를 줄이고 전력 단계의 전력 밀도를 높일 수 있습니다. 멀티 레벨 토폴로지를 사용하면 최대 1000V의 높은 DC 버스 전압에서 600V 정격 전원 디바이스를 사용할 수 있습니다. 낮은 스위칭 전압 스트레스로 스위칭 손실을 98.5%의 피크 효율을 달성할 수 있습니다.