JAJSRW1 October   2025 AMC0306M25-Q1

PRODMIX  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 説明
  5. 4 デバイス比較表
  6. 5 ピン構成および機能
  7. 6 仕様
    1. 6.1  絶対最大定格
    2. 6.2  ESD 定格
    3. 6.3  推奨動作条件 -
    4. 6.4  熱に関する情報 (D パッケージ)
    5. 6.5  熱に関する情報 (DWV パッケージ)
    6. 6.6  電力定格
    7. 6.7  絶縁仕様 (基本絶縁)
    8. 6.8  絶縁仕様 (強化絶縁)
    9. 6.9  安全関連認証 (基本絶縁)
    10. 6.10 安全関連認証 (強化絶縁)
    11. 6.11 安全限界値 (D パッケージ)
    12. 6.12 安全限界値 (DWV パッケージ)
    13. 6.13 電気的特性
    14. 6.14 スイッチング特性
    15. 6.15 タイミング図
    16. 6.16 絶縁特性曲線
    17. 6.17 代表的特性
  8. 7 詳細説明
    1. 7.1 概要
    2. 7.2 機能ブロック図
    3. 7.3 機能説明
      1. 7.3.1 アナログ入力
      2. 7.3.2 変調器
      3. 7.3.3 絶縁チャネルの信号伝送
      4. 7.3.4 デジタル出力
        1. 7.3.4.1 フルスケール入力の場合の出力動作
        2. 7.3.4.2 ハイサイド電源が消失した場合の出力動作
    4. 7.4 デバイスの機能モード
  9. 8 アプリケーションと実装
    1. 8.1 アプリケーション情報
    2. 8.2 代表的なアプリケーション
      1. 8.2.1 設計要件
      2. 8.2.2 詳細な設計手順
        1. 8.2.2.1 入力フィルタの設計
        2. 8.2.2.2 ビットストリーム フィルタリング
      3. 8.2.3 アプリケーション曲線
    3. 8.3 設計のベスト プラクティス
    4. 8.4 電源に関する推奨事項
    5. 8.5 レイアウト
      1. 8.5.1 レイアウトのガイドライン
      2. 8.5.2 レイアウト例
  10. 9 デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 9.1 ドキュメントのサポート
      1. 9.1.1 関連資料
    2. 9.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 9.3 サポート・リソース
    4. 9.4 商標
    5. 9.5 静電気放電に関する注意事項
    6. 9.6 用語集
  11. 10改訂履歴
  12. 11メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
  • DWV|8
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

6.13 電気的特性

最小値と最大値の仕様は、TA = –40℃ ～ 125℃、AVDD = 3.0V ～ 5.5V、DVDD = 2.7V ～ 5.5V、VINP = –250mV ～ 250mV、VINN = 0V、sinc3 フィルタ (OSR = 256) での値です (特に記述のない限り)。標準値の仕様は、TA = 25℃、fCLKIN = 20MHz (50% のデューティ サイクル)、AVDD = 5V、DVDD = 3.3V での値です。
パラメータ テスト条件 最小値 標準値 最大値 単位
アナログ入力
CIN 実効入力サンプリング容量 1.8 pF
RIN 入力インピーダンス fCLK = 10MHz 50 55 60 kΩ
fCLK = 20MHz 25 27.5 30
IINP 入力電流 VIN = (VINP – VINN) = VFSR, MAX、fCLK = 10MHz 4.5 μA
VIN = (VINP – VINN) = VFSR, MAX、fCLK = 20MHz 9
IINN 入力電流 VIN = (VINP – VINN) = VFSR, MAX、fCLK = 10MHz -4.5 μA
VIN = (VINP – VINN) = VFSR, MAX、fCLK = 20MHz -9
CMTI 同相電圧過渡耐性 150 V/ns
DC 精度
EO オフセット誤差
INP = INN = AGND、TA = 25℃		 -200 30 200 μV
TCEO オフセット誤差の温度ドリフト (3) -2 2 μV/℃
EG ゲイン誤差 (1) TA = 25℃ -0.2% ±0.03% 0.2%
TCEG ゲイン誤差の温度ドリフト (4) -30 ±10 30 ppm/℃
INL 積分非直線性 (2) 分解能：16 ビット -4 ±1 4 LSB
DNL 微分非直線性 分解能：16 ビット -0.99 0.99 LSB
CMRR 同相信号除去比 INP = INN、fIN = 0Hz、
VCM min ≤ VIN ≤ VCM max		 -98 dB
INP = INN、fIN = 0.1Hz ～ 10kHz、
VCM min ≤ VIN ≤ VCM max		 -100
PSRR 電源除去比 INP = INN = AGND、
AVDD = 3.0V ～ 5.5V、DC		 -87 dB
INP = INN = AGND、
AVDD = 3.0V = 5.5V、
10kHz / 100mV リップル		 -87
AC 精度
SNR 信号対雑音比 fIN = 1kHz 88 dB
SINAD 信号対雑音 + 歪み比 fIN = 1kHz 88 dB
THD 全高調波歪み (5) 3V ≤ AVDD ≤ 5.5V、fIN = 1kHz、
5MHz ≤ fCLKIN ≤ 21MHz		 -108 -86 dB
デジタル入力 (シュミット トリガ付き CMOS ロジック)
IIN 入力電流 DGND ≤ VIN ≤ DVDD 0 7 μA
CIN 入力容量 4 pF
VIH High レベル入力電圧 0.7 × DVDD DVDD + 0.3 V
VIL Low レベル入力電圧 -0.3 0.3 × DVDD V
デジタル出力 (CMOS)
CLOAD 出力負荷容量 15 30 pF
VOH High レベル出力電圧 IOH = –4mA DVDD - 0.4 V
VOL Low レベル出力電圧 IOL = 4mA 0.4 V
電源
IAVDD ハイサイド電源電流 6.0 7.7
mA
IDVDD ローサイド電源電流 CLOAD = 15pF 4.5 7.0
mA
AVDDUV ハイサイド低電圧検出スレッショルド AVDD立ち上がり 2.4 2.6 2.8 V
AVDD 立ち下がり 1.9 2.05 2.2
DVDDUV ローサイドの低電圧検出スレッショルド DVDD立ち上がり 2.3 2.5 2.7 V
DVDD 立ち下がり 1.9 2.05 2.2
(1) このパラメータは入力換算です。
(2) 積分非線形性は、LSB の数、または指定された線形性を有する入力電圧範囲 FSR のパーセンテージとして表される、理想的な ADC
伝達関数の終点を通過する直線からの、最大偏移と定義されます。
(3) オフセット誤差温度ドリフトは、次の式で説明されるボックス法を使用して計算されます。
TCEO = (EO,MAX – EO,MIN) / TempRange、ここで、EO,MAX および EO,MIN は、温度範囲 (–40 ～ 125℃) で測定された最大および最小の EO 値を指します。
(4) ゲイン誤差の温度ドリフトは、次の式で記述されるボックス法を使用して計算されます。
TCEG (ppm) = ((EG,MAX - EG,MIN) / TempRange) x 104 、ここで、EG,MAX および EG,MINは、温度範囲 (-40 ～ 125℃) で測定された最大および最小 EG 値 (%) を表します。
(5) THD は、最初の 5 つのより高い高調波の振幅の rms 合計と、基本波の振幅との比です。