JAJSHE6A October   2018  – MAY 2019 DRV8876

PRODUCTION DATA.  

  1. 1 特長
  2. 2 アプリケーション
  3. 3 概要
    1.     Device Images
      1.      概略回路図
  4. 4 改訂履歴
  5. 5 ピン構成および機能
    1.     端子機能
  6. 6 仕様
    1. 6.1 絶対最大定格
    2. 6.2 ESD 定格 (通信機器)
    3. 6.3 推奨動作条件
    4. 6.4 熱特性
    5. 6.5 電気的特性
    6. 6.6 代表的特性
  7. 7 詳細説明
    1. 7.1 概要
    2. 7.2 機能ブロック図
    3. 7.3 機能説明
      1. 7.3.1 外付け部品
      2. 7.3.2 制御モード
        1. 7.3.2.1 PH/EN 制御モード (PMODE = 論理 Low)
        2. 7.3.2.2 PWM 制御モード (PMODE = 論理 High)
        3. 7.3.2.3 独立ハーフブリッジ制御モード (PMODE = Hi-Z)
      3. 7.3.3 電流センスおよびレギュレーション
        1. 7.3.3.1 電流センシング
        2. 7.3.3.2 電流レギュレーション
          1. 7.3.3.2.1 固定オフ時間電流チョッピング
          2. 7.3.3.2.2 サイクル単位電流チョッピング
      4. 7.3.4 保護回路
        1. 7.3.4.1 VM 電源低電圧誤動作防止 (UVLO)
        2. 7.3.4.2 VCP チャージ・ポンプ低電圧誤動作防止 (CPUV)
        3. 7.3.4.3 OUT 過電流保護 (OCP)
        4. 7.3.4.4 過熱検出保護 (TSD)
        5. 7.3.4.5 フォルト条件のまとめ
      5. 7.3.5 ピン構造図
        1. 7.3.5.1 論理レベル入力
        2. 7.3.5.2 トライレベル入力
        3. 7.3.5.3 クワッドレベル入力
    4. 7.4 デバイスの機能モード
      1. 7.4.1 アクティブ・モード
      2. 7.4.2 低消費電力スリープ・モード
      3. 7.4.3 フォルト・モード
  8. 8 アプリケーションと実装
    1. 8.1 アプリケーション情報
    2. 8.2 代表的なアプリケーション
      1. 8.2.1 主要アプリケーション
        1. 8.2.1.1 設計要件
        2. 8.2.1.2 詳細な設計手順
          1. 8.2.1.2.1 電流センスおよびレギュレーション
          2. 8.2.1.2.2 消費電力および出力電流特性
          3. 8.2.1.2.3 熱性能
            1. 8.2.1.2.3.1 定常状態熱性能
            2. 8.2.1.2.3.2 過渡熱性能
        3. 8.2.1.3 アプリケーション曲線
      2. 8.2.2 代替アプリケーション
        1. 8.2.2.1 設計要件
        2. 8.2.2.2 詳細な設計手順
          1. 8.2.2.2.1 電流センスおよびレギュレーション
        3. 8.2.2.3 アプリケーション曲線
  9. 9 電源に関する推奨事項
    1. 9.1 バルク・コンデンサ
  10. 10レイアウト
    1. 10.1 レイアウトの注意点
    2. 10.2 レイアウト例
      1. 10.2.1 HTSSOP のレイアウト例
      2. 10.2.2 VQFN のレイアウト例
  11. 11デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 11.1 ドキュメントのサポート
      1. 11.1.1 関連資料
    2. 11.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 11.3 コミュニティ・リソース
    4. 11.4 商標
    5. 11.5 静電気放電に関する注意事項
    6. 11.6 Glossary
  12. 12メカニカル、パッケージ、および注文情報
  13. 13メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
  • RGT|16
  • PWP|16
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

6.5 電気的特性

4.5V ≤ VVM ≤ 37V、–40℃ ≤ TJ ≤ 150℃ (特に記述のない限り)
パラメータ テスト条件 最小 代表値 最大 単位
電源 (VCP、VM)
IVMQ VM スリープ・モード電流 VVM = 24V、nSLEEP = 0V、TJ = 25℃ 0.75 1 µA
nSLEEP = 0V 5 µA
IVM VM アクティブ・モード電流 VVM = 24V、nSLEEP = 5V、
EN/IN1 = PH/IN2 = 0V		 3 7 mA
tWAKE ターンオン時間 VVM > VUVLO、nSLEEP = 5V でアクティブ 1 ms
tSLEEP ターンオフ時間 nSLEEP = 0V でスリープ・モード 1 ms
VVCP チャージ・ポンプ・レギュレータ電圧 VM で決まる VCP、VVM = 24V 5 V
fVCP チャージ・ポンプ・スイッチング周波数 400 kHz
論理レベル入力 (EN/IN1、PH/IN2、nSLEEP)
VIL 入力論理 Low 電圧 VVM < 5V 0 0.7 V
VVM ≥ 5V 0 0.8
VIH 入力論理 High 電圧 1.5 5.5 V
VHYS 入力ヒステリシス 200 mV
nSLEEP 50 mV
IIL 入力論理 Low 電流 VI = 0V –5 5 µA
IIH 入力論理 High 電流 VI = 5V 50 75 µA
RPD 入力プルダウン抵抗 対 GND 100 kΩ
トライレベル入力 (PMODE)
VTIL トライレベル入力論理 Low 電圧 0 0.65 V
VTIZ トライレベル入力 Hi-Z 電圧 0.9 1.1 1.2 V
VTIH トライレベル入力論理 High 電圧 1.5 5.5 V
ITIL トライレベル入力論理 Low 電流 VI = 0V –50 –32 µA
ITIZ トライレベル入力 Hi-Z 電流 VI = 1.1V –5 5 µA
ITIH トライレベル入力論理 High 電流 VI = 5V 113 150 µA
RTPD トライレベル・プルダウン抵抗 対 GND 44 kΩ
RTPU トライレベル・プルアップ抵抗 対内部 5V 156 kΩ
クワッドレベル入力 (IMODE)
VQI2 クワッドレベル入力レベル 1 クワッドレベル 1 に設定する電圧 0 0.45 V
RQI2 クワッドレベル入力レベル 2 クワッドレベル 2 を設定するための対 GND 抵抗 18.6 20 21.4 kΩ
RQI3 クワッドレベル入力レベル 3 クワッドレベル 3 を設定するための対 GND 抵抗 57.6 62 66.4 kΩ
VQI4 クワッドレベル入力レベル 4 クワッドレベル 4 を設定するための電圧 2.5 5.5 V
RQPD クワッドレベル・プルダウン抵抗 対 GND 136 kΩ
RQPU クワッドレベル・プルアップ抵抗 対内部 5V 68 kΩ
オープンドレイン出力 (nFAULT)
VOL 出力論理Low 電圧 IOD = 5mA 0.3 V
IOZ 出力論理 High 電流 VOD = 5V –2 2 µA
ドライバ出力 (OUT1、OUT2)
RDS(on)_HS ハイサイド MOSFET オン抵抗 VVM = 24V、IO = 1A、TJ = 25℃ 350 420 mΩ
RDS(on)_LS ローサイド MOSFET オン抵抗 VVM = 24V、IO = –1A、TJ = 25℃ 350 420 mΩ
VSD ボディ・ダイオード順方向電圧 ISD = 1A 0.9 V
tRISE 出力立ち上がり時間 VVM = 24V、OUTx が 10% から 90% まで立ち上がる時間 150 ns
tFALL 出力立ち下がり時間 VVM = 24V、OUTx が 90% から 10% まで立ち下がる時間 150 ns
tPD 入力から出力までの伝搬遅延 EN/IN1、PH/IN2 から OUTx まで 650 ns
tDEAD 出力デッドタイム ボディ・ダイオード導通 300 ns
電流センスおよびレギュレーション (IPROPI、VREF)
AIPROPI 電流ミラー・スケーリング係数 1000 µA/A
AERR 電流ミラー・スケーリング誤差 IOUT < 0.15A、
5.5V ≤ VVM ≤ 37V 		 –7.5 7.5 mA
0.15A ≤ IOUT < 0.5A、
5.5V ≤ VVM ≤ 37V 		 –5 5 %
0.5A ≤ IOUT ≤ 2A、5.5V ≤ VVM ≤ 37V、
–40℃ ≤ TJ < 125℃		 –4 4
0.5A ≤ IOUT ≤ 2A、5.5V ≤ VVM ≤ 37V、
125℃ ≤ TJ ≤ 150℃		 –5 5
tOFF 電流レギュレーション・オフ時間 25 µs
tDELAY 電流センス遅延時間 1.6 µs
tDEG 電流レギュレーション・グリッチ除去時間 0.6 µs
tBLK 電流レギュレーション・ブランキング時間 1.1 µs
保護回路
VUVLO 電源低電圧誤動作防止 (UVLO) VVM 立ち上がり 4.3 4.45 4.6 V
VVM 立ち下がり 4.2 4.35 4.5 V
VUVLO_HYS 電源 UVLO ヒステリシス 100 mV
tUVLO 電源低電圧グリッチ除去時間 10 µs
VCPUV チャージ・ポンプ低電圧誤動作防止 VCP は VM で決まる、VVCP 立ち下がり 2.25 V
IOCP 過電流保護トリップ・ポイント 3.5 5.5 A
tOCP 過電流保護グリッチ除去時間 3 µs
tRETRY 過電流保護リトライ時間 2 ms
TTSD サーマル・シャットダウン温度 160 175 190 ℃
THYS サーマル・シャットダウン・ヒステリシス 20 ℃
DRV8876 drv887x-ipropi-timing.gifFigure 1. タイミング・パラメータ図