JAJSHT3A August   2019  – April 2021 DRV8876N

PRODUCTION DATA  

  1. 1 特長
  2. 2 アプリケーション
  3. 3 概要
  4. 4 改訂履歴
  5. 5 ピン構成と機能
    1.     ピン機能
  6. 6 仕様
    1. 6.1 絶対最大定格
    2. 6.2 ESD 定格
    3. 6.3 推奨動作条件
    4. 6.4 熱に関する情報
    5. 6.5 電気的特性
    6. 6.6 代表的特性
  7. 7 詳細説明
    1. 7.1 概要
    2. 7.2 機能ブロック図
    3. 7.3 機能説明
      1. 7.3.1 外付け部品
      2. 7.3.2 制御モード
        1. 7.3.2.1 PH/EN 制御モード (PMODE = 論理 Low)
        2. 7.3.2.2 PWM 制御モード (PMODE = 論理 High)
        3. 7.3.2.3 独立ハーフブリッジ制御モード (PMODE = Hi-Z)
      3. 7.3.3 保護回路
        1. 7.3.3.1 VM 電源低電圧誤動作防止 (UVLO)
        2. 7.3.3.2 VCP チャージ・ポンプ低電圧誤動作防止 (CPUV)
        3. 7.3.3.3 OUTx の過電流保護 (OCP)
        4. 7.3.3.4 サーマル・シャットダウン (TSD)
        5. 7.3.3.5 フォルト条件のまとめ
      4. 7.3.4 ピン構造図
        1. 7.3.4.1 論理レベル入力
        2. 7.3.4.2 トライレベル入力
        3. 7.3.4.3 クワッドレベル入力
    4. 7.4 デバイスの機能モード
      1. 7.4.1 アクティブ・モード
      2. 7.4.2 低消費電力スリープ・モード
      3. 7.4.3 フォルト・モード
  8. 8 アプリケーションと実装
    1. 8.1 アプリケーション情報
    2. 8.2 代表的なアプリケーション
      1. 8.2.1 主要アプリケーション
        1. 8.2.1.1 設計要件
        2. 8.2.1.2 詳細な設計手順
          1. 8.2.1.2.1 消費電力および出力電流特性
          2. 8.2.1.2.2 熱性能
            1. 8.2.1.2.2.1 定常状態熱性能
            2. 8.2.1.2.2.2 過渡熱性能
        3. 8.2.1.3 アプリケーション曲線
      2. 8.2.2 代替アプリケーション
        1. 8.2.2.1 設計要件
        2. 8.2.2.2 詳細な設計手順
        3. 8.2.2.3 アプリケーション曲線
  9. 9 電源に関する推奨事項
    1. 9.1 バルク容量
  10. 10レイアウト
    1. 10.1 レイアウトのガイドライン
    2. 10.2 レイアウト例
      1. 10.2.1 HTSSOP のレイアウト例
  11. 11デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 11.1 ドキュメントのサポート
      1. 11.1.1 関連資料
    2. 11.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 11.3 コミュニティ・リソース
    4. 11.4 商標
  12. 12メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

6.5 電気的特性

4.5V ≤ VVM ≤ 37V、-40℃ ≤ TJ ≤ 150℃ (特に記述のない限り)
パラメータテスト条件最小値標準値最大値単位
電源 (VCP、VM)
IVMQVM スリープ・モード電流VVM = 24V、nSLEEP = 0V、TJ = 25℃0.751µA
nSLEEP = 0V5µA
IVMVM アクティブ・モード電流VVM = 24V、nSLEEP = 5V、
EN/IN1 = PH/IN2 = 0V		37mA
tWAKEターンオン時間VVM > VUVLO、nSLEEP = 5V でアクティブ1ms
tSLEEPターンオフ時間nSLEEP = 0V でスリープ・モード1ms
VVCPチャージ・ポンプ・レギュレータ電圧VM で決まる VCP、VVM = 24V5V
fVCPチャージ・ポンプ・スイッチング周波数400kHz
論理レベル入力 (EN/IN1、PH/IN2、nSLEEP)
VIL入力論理 Low 電圧VVM < 5V00.7V
VVM ≥ 5V00.8
VIH入力論理 High 電圧1.55.5V
VHYS入力ヒステリシス200mV
nSLEEP50mV
IIL入力論理 Low 電流VI = 0V-55µA
IIH入力論理 High 電流VI = 5V5075µA
RPD入力プルダウン抵抗対 GND100kΩ
トライレベル入力 (PMODE)
VTILトライレベル入力論理 Low 電圧00.65V
VTIZトライレベル入力 Hi-Z 電圧4.5V < VVM < 5.5V0.91.01.1V
5.5V < VVM < 37V0.91.11.2
VTIHトライレベル入力論理 High 電圧1.55.5V
ITILトライレベル入力論理 Low 電流VI = 0V-50-32µA
ITIZトライレベル入力 Hi-Z 電流VI = 1.1V-1010µA
ITIHトライレベル入力論理 High 電流VI = 5V113150µA
RTPDトライレベル・プルダウン抵抗対 GND44kΩ
RTPUトライレベル・プルアップ抵抗対内部 5V156kΩ
クワッドレベル入力 (IMODE)
VQI2クワッドレベル入力レベル 1クワッドレベル 1 に設定する電圧00.45V
RQI2クワッドレベル入力レベル 2クワッドレベル 2 を設定するための対 GND 抵抗18.62021.4kΩ
RQI3クワッドレベル入力レベル 3クワッドレベル 3 を設定するための対 GND 抵抗57.66266.4kΩ
VQI4クワッドレベル入力レベル 4クワッドレベル 4 を設定するための電圧2.55.5V
RQPDクワッドレベル・プルダウン抵抗対 GND136kΩ
RQPUクワッドレベル・プルアップ抵抗対内部 5V68kΩ
オープン・ドレイン出力 (nFAULT)
VOL出力論理 Low 電圧IOD = 5mA0.35V
IOZ出力論理 High 電流VOD = 5V-22µA
ドライバ出力 (OUT1、OUT2)
RDS(on)_HSハイサイド MOSFET オン抵抗VVM = 24V、IO = 1A、TJ = 25℃350420mΩ
RDS(on)_LSローサイド MOSFET オン抵抗VVM = 24V、IO = -1A、TJ = 25℃350420mΩ
VSDボディ・ダイオード順方向電圧ISD = 1A0.9V
tRISE出力立ち上がり時間VVM = 24V、OUTx が 10% から 90% まで立ち上がる時間150ns
tFALL出力立ち下がり時間VVM = 24V、OUTx が 90% から 10% まで立ち下がる時間150ns
tPD入力から出力までの伝搬遅延(EN/IN1、PH/IN2) から OUTx まで、OUTx から GND に 200Ω を接続650ns
tDEAD出力デッドタイムボディ・ダイオード導通300ns
保護回路
VUVLO電源低電圧誤動作防止 (UVLO)VVM 立ち上がり4.34.454.6V
VVM 立ち下がり4.24.354.5V
VUVLO_HYS電源 UVLO ヒステリシス100mV
tUVLO電源低電圧グリッチ除去時間10µs
VCPUVチャージ・ポンプ低電圧誤動作防止VM を基準とした VCP の電位、VVCP 立ち下がり2.25V
IOCP過電流保護トリップ・ポイント3.55.5A
tOCP過電流保護グリッチ除去時間3µs
tRETRY過電流保護リトライ時間2ms
TTSDサーマル・シャットダウン温度160175190℃
THYSサーマル・シャットダウン・ヒステリシス20℃
GUID-2F122A15-2D1C-49CF-87C8-5F1FDAA58CBF-low.gif図 6-1 タイミング・パラメータ図