JAJSX48 August   2025 TPS6521505-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特長
  3. アプリケーション
  4. 説明
  5. ピン構成および機能
  6. 仕様
    1. 5.1  絶対最大定格
    2. 5.2  ESD 定格
    3. 5.3  推奨動作条件
    4. 5.4  熱に関する情報
    5. 5.5  システム制御スレッショルド
    6. 5.6  BUCK1 コンバータ
    7. 5.7  BUCK2、BUCK3 コンバータ
    8. 5.8  汎用 LDO (LDO1)
    9. 5.9  汎用 LDO (LDO2)
    10. 5.10 GPIO とマルチファンクション ピン (EN/PB/VSENSE、nRSTOUT、nINT、GPO1、GPO2、GPIO、MODE/RESET、MODE/STBY、VSEL_SD/VSEL_DDR)
    11. 5.11 電圧と温度の監視
    12. 5.12 I2C インターフェイス
    13. 5.13 代表的特性
  7. 詳細説明
    1. 6.1 概要
    2. 6.2 機能ブロック図
    3. 6.3 機能説明
      1. 6.3.1  パワーアップ シーケンシング
      2. 6.3.2  パワーダウン シーケンス
      3. 6.3.3  プッシュ ボタンおよびイネーブル入力(EN/PB/VSENSE)
      4. 6.3.4  SoC へのリセット(nRSTOUT)
      5. 6.3.5  降圧コンバータ(Buck1、Buck2、Buck3)
        1. 6.3.5.1 デュアル ランダム スペクトラム拡散機能 (DRSS)
      6. 6.3.6  リニア レギュレータ(LDO1 および LDO2)
      7. 6.3.7  割り込みピン(nINT)
      8. 6.3.8  PWM/PFM および低消費電力モード(MODE/STBY)
      9. 6.3.9  PWM/PFM およびリセット (MODE/RESET)
      10. 6.3.10 電圧選択ピン (VSEL_SD/VSEL_DDR)
      11. 6.3.11 汎用入力または出力 (GPO1、GPO2、GPIO)
      12. 6.3.12 I2C 互換インターフェイス
        1. 6.3.12.1 データの有効性
        2. 6.3.12.2 START 条件と STOP 条件
        3. 6.3.12.3 データの転送
    4. 6.4 デバイスの機能モード
      1. 6.4.1 動作モード
        1. 6.4.1.1 OFF 状態
        2. 6.4.1.2 初期化状態
        3. 6.4.1.3 アクティブ状態
        4. 6.4.1.4 STBY 状態
        5. 6.4.1.5 フォルト処理
    5. 6.5 マルチ PMIC 動作
    6. 6.6 NVM のプログラミング
      1. 6.6.1 TPS6521505-Q1デフォルトの NVM 設定
      2. 6.6.2 初期化状態での NVM プログラミング
      3. 6.6.3 アクティブ状態での NVM プログラミング
    7. 6.7 ユーザー レジスタ
    8. 6.8 デバイスのレジスタ
  8. アプリケーションと実装
    1. 7.1 アプリケーション情報
    2. 7.2 代表的なアプリケーション
      1. 7.2.1 代表的なアプリケーションの例
      2. 7.2.2 設計要件
      3. 7.2.3 詳細な設計手順
        1. 7.2.3.1 Buck1、Buck2、Buck3 の設計手順
        2. 7.2.3.2 LDO1 の設計手順
        3. 7.2.3.3 LDO2 の設計手順
        4. 7.2.3.4 VSYS、VDD1P8
        5. 7.2.3.5 デジタル信号設計手順
      4. 7.2.4 アプリケーション曲線
    3. 7.3 電源に関する推奨事項
    4. 7.4 レイアウト
      1. 7.4.1 レイアウトのガイドライン
      2. 7.4.2 レイアウト例
  9. デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 8.1 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    2. 8.2 サポート・リソース
    3. 8.3 商標
    4. 8.4 静電気放電に関する注意事項
    5. 8.5 用語集
  10. 改訂履歴
  11. 10メカニカル、パッケージ、および注文情報
    1. 10.1 付録:パッケージ オプション
    2. 10.2 テープおよびリール情報

デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。

メカニカル・データ(パッケージ|ピン)
  • RHB|32
サーマルパッド・メカニカル・データ

デバイスのレジスタ

表 6-8 に、デバイスのレジスタ用のメモリ マップト レジスタを示します。表 6-8 にないレジスタ オフセット アドレスはすべて予約済みと見なして、レジスタの内容は変更しないでください。

表 6-8 DEVICE レジスタ
オフセット略称レジスタ名セクション
0hTI_DEV_IDデバイス ID表示
1hNVM_IDNVM 構成 ID表示
2hENABLE_CTRLイネーブル/プッシュ ボタン/VSENSE 制御表示
3hBUCKS_CONFIG汎用降圧構成表示
5hLDO2_VOUTLDO2 構成表示
7hLDO1_VOUTLDO1 構成表示
8hBUCK3_VOUTBuck3 構成表示
9hBUCK2_VOUTBuck2 構成表示
AhBUCK1_VOUTBuck1 構成表示
ChLDO2_SEQUENCE_SLOTLDO2 の電源オン/オフ スロット表示
EhLDO1_SEQUENCE_SLOTLDO1 の電源オン/オフ スロット表示
FhBUCK3_SEQUENCE_SLOTBuck3 の電源オン/オフ スロット表示
10hBUCK2_SEQUENCE_SLOTBuck2 の電源オン/オフ スロット表示
11hBUCK1_SEQUENCE_SLOTBuck1 の電源オン/オフ スロット表示
12hnRST_SEQUENCE_SLOTnRSTOUT の電源オン/オフ スロット表示
13hGPIO_SEQUENCE_SLOTGPIO の電源オン/オフスロット表示
14hGPO2_SEQUENCE_SLOTGPO2 の電源オン/オフ スロット表示
15hGPO1_SEQUENCE_SLOTGPO1 の電源オン/オフ スロット表示
16hPOWER_UP_SLOT_DURATION_1スロット 0~3 のパワーアップ時のスロット持続時間表示
17hPOWER_UP_SLOT_DURATION_2スロット 4~7 のパワーアップ時のスロット持続時間表示
18hPOWER_UP_SLOT_DURATION_3スロット 8~11 のパワーアップ時のスロット持続時間表示
19hPOWER_UP_SLOT_DURATION_4スロット 12~15 のパワーアップ時のスロット持続時間表示
1AhPOWER_DOWN_SLOT_DURATION_1スロット 0~3 のパワーダウン時のスロット持続時間表示
1BhPOWER_DOWN_SLOT_DURATION_2スロット 4~7 のパワーダウン時のスロット持続時間表示
1ChPOWER_DOWN_SLOT_DURATION_3スロット 8~11 のパワーダウン時のスロット持続時間表示
1DhPOWER_DOWN_SLOT_DURATION_4スロット 12~15 のパワーダウン時のスロット持続時間表示
1EhGENERAL_CONFIGLDO 低電圧で GPO 有効表示
1FhMFP_1_CONFIGマルチファンクションピン構成 1表示
20hMFP_2_CONFIGマルチファンクションピン構成 2表示
21hSTBY_1_CONFIGスタンバイ構成 LDO および降圧表示
22hSTBY_2_CONFIGスタンバイ構成 GPIO および GPO表示
23hOC_DEGL_CONFIGレールごとの過電流デグリッチ時間表示
24hINT_MASK_UV低電圧フォールト マスキング表示
25hMASK_CONFIGWARM マスキングとマスキング効果表示
26hI2C_ADDRESS_REGI2C アドレス表示
27hUSER_GENERAL_NVM_STORAGE_REGユーザーが構成可能なレジスタ(NVM バックアップ)表示
28hMANUFACTURING_VERシリコン リビジョン(読み取り専用)表示
29hMFP_CTRLリセット、スタンバイ、オフの I2C 制御表示
2Ahdischarge_configレールごとの放電構成表示
2BhINT_SOURCE割り込みソース表示
2ChINT_LDO_2LDO2 用 OC、UV、SCG表示
2DhINT_LDO_1LDO1 用 OC、UV、SCG表示
2EhINT_BUCK_3Buck3 用 OC、UV、SCG表示
2FhINT_BUCK_1_2Buck1 および Buck2 用 OC、UV、SCG表示
30hINT_SYSTEMWARM および HOT フォルト フラグ表示
31hINT_RVレールあたりの RV(残留電圧)表示
32hINT_TIMEOUT_RV_SDシャットダウンを引き起こすレールあたりの RV(残留電圧)表示
33hINT_PBプッシュボタンのステータスとエッジ検出表示
34hUSER_NVM_CMD_REGDIY -ユーザー プログラマブル コマンド表示
35hPOWER_UP_STATUS_REGパワーアップのステータスと状態表示
36hSPARE_2補助レジスタ(非 NVM バックアップ)表示
37hSPARE_3補助レジスタ(非 NVM バックアップ)表示
41hFACTORY_CONFIG_2NVM 構成のリビジョン(読み取り専用)表示

表の小さなセルに収まるように、複雑なビット アクセス タイプを記号で表記しています。表 6-9 に、このセクションでアクセス タイプに使用しているコードを示します。

表 6-9 デバイスのアクセス タイプ コード
アクセス タイプコード説明
読み取りタイプ
RR読み出し
書き込みタイプ
WW書き込み
W1CW
1C
書き込み
1 でクリア
リセットまたはデフォルト値
-n リセット後の値またはデフォルト値

6.8.1 TI_DEV_ID レジスタ(オフセット = 0h)[リセット = XXh]

TI_DEV_ID は 図 6-19 に表示され、表 6-10 で説明されています。

概略表に戻ります。

図 6-19 TI_DEV_ID レジスタ
76543210
TI_DEVICE_ID
R/W-XXh
表 6-10 TI_DEV_ID レジスタ フィールドの説明
ビットフィールドタイプリセット説明
7-0TI_DEVICE_IDR/WXTI_DEVICE_ID[7:6]:
00h = TA: -40°C~105°C、TJ:-40°C~125°C
10h = TA:-40°C~125°C、TJ:-40°C~150°C
TI_DEVICE_ID[5:0]:
デバイス GPN
注:このレジスタは、メーカーのみが書き込みできます! 特定の番号と関連構成については、『技術参考書』または『ユーザー・ガイド』を参照してください。(NVM メモリからのデフォルト)

6.8.2 NVM_ID レジスタ(オフセット = 1h)[リセット = XXh]

図 6-20 に NVM_ID を示し、表 6-11 に、その説明を示します。

概略表に戻ります。

図 6-20 NVM_ID レジスタ
76543210
TI_NVM_ID
R/W-XXh
表 6-11 NVM_ID レジスタ フィールドの説明
ビットフィールドタイプリセット説明
7-0TI_NVM_IDR/WXIC の NVM ID
注:このレジスタは、メーカーのみが書き込みできます! 特定の番号と関連構成については、『技術参考書』または『ユーザー・ガイド』を参照してください。(NVM メモリからのデフォルト)

6.8.3 ENABLE_CTRL レジスタ(オフセット = 2h)[リセット = XXh]

ENABLE_CTRL は 図 6-21 に表示され、表 6-12 で説明されています。

概略表に戻ります。

図 6-21 ENABLE_CTRL レジスタ
76543210
予約済み予約済みLDO2_EN予約済みLDO1_ENBUCK3_ENBUCK2_ENBUCK1_EN
R-0hR-0hR/W-XhR-0hR/W-XhR/W-XhR/W-XhR/W-Xh
表 6-12 ENABLE_CTRL レジスタ フィールドの説明
ビットフィールドタイプリセット説明
7予約済みR0h
6予約済みR0h
5LDO2_ENR/WXLDO2 レギュレータを有効にします(NVM メモリからのデフォルト)
  • 0h=ディセーブル
  • 1h = イネーブル
4予約済みR0h
3LDO1_ENR/WXLDO1 レギュレータを有効にします(NVM メモリからのデフォルト)
  • 0h=ディセーブル
  • 1h = イネーブル
2BUCK3_ENR/WXBUCK3 レギュレータを有効にします(NVM メモリからのデフォルト)
  • 0h=ディセーブル
  • 1h = イネーブル
1BUCK2_ENR/WXBUCK2 レギュレータを有効にします(NVM メモリからのデフォルト)
  • 0h=ディセーブル
  • 1h = イネーブル
0BUCK1_ENR/WXBUCK1 レギュレータを有効にします(NVM メモリからのデフォルト)
  • 0h=ディセーブル
  • 1h = イネーブル

6.8.4 BUCKS_CONFIG レジスタ (オフセット = 3h) [リセット = XXh]

図 6-22 に BUCKS_CONFIG を示し、表 6-13 にその説明を示します。

概略表に戻ります。

図 6-22 BUCKS_CONFIG レジスタ
76543210
USER_NVM_SPARE_2USER_NVM_SPARE_1BUCK_SS_ENABLEBUCK_FF_ENABLEBUCK3_PHASE_CONFIGBUCK2_PHASE_CONFIG
R/W-XhR/W-XhR/W-XhR/W-XhR/W-XhR/W-Xh
表 6-13 BUCKS_CONFIG レジスタのフィールドの説明
ビットフィールドタイプリセット説明
7USER_NVM_SPARE_2R/WXユーザー NVM 空間のスペア ビット (NVM メモリからのデフォルト)
6USER_NVM_SPARE_1R/WXユーザー NVM 空間のスペア ビット (NVM メモリからのデフォルト)
5BUCK_SS_ENABLER/WX降圧でスペクトラム拡散を有効 (FF モードにのみ適用) (NVM メモリからのデフォルト)
  • 0h = スペクトラム拡散をディセーブル
  • 1h = スペクトラム拡散をイネーブル
4BUCK_FF_ENABLER/WXすべての降圧を固定周波数モードに設定 注:どんな場合も変更してはいけません! (NVM メモリからのデフォルト)
  • 0h = 疑似固定周波数モード
  • 1h = 固定周波数モード
3-2BUCK3_PHASE_CONFIGR/WXBUCK3 クロックの位相。降圧が固定周波数に構成されている場合に適用できます。注:レールが無効な場合のみ変更!(NVM メモリからのデフォルト)
  • 0h = 0 度
  • 1h = 90 度
  • 2h = 180 度
  • 3h = 270 度
1-0BUCK2_PHASE_CONFIGR/WXBUCK2 クロックの位相。降圧が固定周波数に構成されている場合に適用できます。注:レールが無効な場合のみ変更!(NVM メモリからのデフォルト)
  • 0h = 0 度
  • 1h = 90 度
  • 2h = 180 度
  • 3h = 270 度

6.8.5 LDO2_VOUT レジスタ (オフセット = 5h) [リセット = XXh]

図 6-23 に、LDO2_VOUT を示し、表 6-14 に、その説明を示します。

概略表に戻ります。

図 6-23 LDO2_VOUT レジスタ
76543210
LDO2_SLOW_PU_RAMPLDO2_LSW_CONFIGLDO2_VSET
R/W-XhR/W-XhR/W-Xh
表 6-14 LDO2_VOUT レジスタのフィールドの説明
ビットフィールドタイプリセット説明
7LDO2_SLOW_PU_RAMPR/WXLDO2 電源投入のランプを高に設定すると、電源投入のランプが最大 3ms 遅くなります。低に設定すると Cout は最大 30μF、ランプ時間は最大 660μs になります。Cout 最大 15uF (NVM メモリからのデフォルト)
  • 0h = 電源投入時の高速ランプ (~ 660us)
  • 1h = 電源投入時の低速ランプ (~ 3ms)
6LDO2_LSW_CONFIGR/WXLDO2 LDO または LSWモード注:レールが無効な場合のみ変更!(NVM メモリからのデフォルト)
  • 0h = LDO モード
  • 1h = LSW モード
5-0LDO2_VSETR/WXLDO2 の電圧選択出力電圧範囲は、1.2V~3.3Vです。(NVM メモリからのデフォルト)
  • 0h = 1.200 V
  • 1h = 1.200 V
  • 2h = 1.200 V
  • 3h = 1.200 V
  • 4h = 1.200 V
  • 5h = 1.200 V
  • 6h = 1.200 V
  • 7h = 1.200 V
  • 8h = 1.200 V
  • 9h = 1.200 V
  • Ah = 1.200V
  • Bh = 1.200V
  • Ch = 1.200V
  • Dh = 1.250V
  • Eh = 1.300V
  • Fh = 1.350V
  • 10h = 1.400 V
  • 11h = 1.450 V
  • 12h = 1.500 V
  • 13h = 1.550 V
  • 14h = 1.600 V
  • 15h = 1.650 V
  • 16h = 1.700 V
  • 17h = 1.750 V
  • 18h = 1.800 V
  • 19h = 1.850 V
  • 1Ah = 1.900 V
  • 1Bh = 1.950 V
  • 1Ch = 2.000 V
  • 1Dh = 2.050 V
  • 1Eh = 2.100 V
  • 1Fh = 2.150 V
  • 20h = 2.200 V
  • 21h = 2.250 V
  • 22h = 2.300 V
  • 23h = 2.350 V
  • 24h = 2.400 V
  • 25h = 2.450 V
  • 26h = 2.500 V
  • 27h = 2.550 V
  • 28h = 2.600 V
  • 29h = 2.650 V
  • 2Ah = 2.700 V
  • 2Bh = 2.750 V
  • 2Ch = 2.800 V
  • 2Dh = 2.850 V
  • 2Eh = 2.900 V
  • 2Fh = 2.950 V
  • 30h = 3.000 V
  • 31h = 3.050 V
  • 32h = 3.100 V
  • 33h = 3.150 V
  • 34h = 3.200 V
  • 35h = 3.250 V
  • 36h = 3.300 V
  • 37h = 3.300 V
  • 38h = 3.300 V
  • 39h = 3.300 V
  • 3Ah = 3.300 V
  • 3Bh = 3.300 V
  • 3Ch = 3.300 V
  • 3Dh = 3.300 V
  • 3Eh = 3.300 V
  • 3Fh = 3.300 V

6.8.6 LDO1_VOUT レジスタ (オフセット = 7h) [リセット = XXh]

図 6-24 に、LDO1_VOUT を示し、表 6-15 に、その説明を示します。

概略表に戻ります。

図 6-24 LDO1_VOUT レジスタ
76543210
LDO1_LSW_CONFIGLDO1_BYP_CONFIGLDO1_VSET
R/W-XhR/W-XhR/W-Xh
表 6-15 LDO1_VOUT レジスタのフィールドの説明
ビットフィールドタイプリセット説明
7LDO1_LSW_CONFIGR/WXLDO1 LDO/バイパスまたは LSW モード。注:レールが無効な場合のみ変更!(NVM メモリからのデフォルト)
  • 0h = 適用なし (LDO1 を負荷スイッチとして構成していない)
  • 1h = LDO1 を負荷スイッチとして構成
6LDO1_BYP_CONFIGR/WXLDO1 LDO またはバイパス モード。(NVM メモリからのデフォルト)
  • 0h = LDO1 を LDO として構成 (LDO1_LSW_CONFIG 0x0 の場合のみ適用)
  • 1h = LDO1 をバイパスとして構成 (LDO1_LSW_CONFIG 0x0 の場合のみ適用)
5-0LDO1_VSETR/WXLDO1 の電圧選択出力電圧の範囲は、LDO モードで 0.6V~3.4V、バイパス モードで 1.5V~3.4V です。(NVM メモリからのデフォルト)
  • 0h = 0.600 V
  • 1h = 0.650 V
  • 2h = 0.700 V
  • 3h = 0.750 V
  • 4h = 0.800 V
  • 5h = 0.850 V
  • 6h = 0.900 V
  • 7h = 0.950 V
  • 8h = 1.000 V
  • 9h = 1.050 V
  • Ah = 1.100V
  • Bh = 1.150V
  • Ch = 1.200V
  • Dh = 1.250V
  • Eh = 1.300V
  • Fh = 1.350V
  • 10h = 1.400 V
  • 11h = 1.450 V
  • 12h = 1.500 V
  • 13h = 1.550 V
  • 14h = 1.600 V
  • 15h = 1.650 V
  • 16h = 1.700 V
  • 17h = 1.750 V
  • 18h = 1.800 V
  • 19h = 1.850 V
  • 1Ah = 1.900 V
  • 1Bh = 1.950 V
  • 1Ch = 2.000 V
  • 1Dh = 2.050 V
  • 1Eh = 2.100 V
  • 1Fh = 2.150 V
  • 20h = 2.200 V
  • 21h = 2.250 V
  • 22h = 2.300 V
  • 23h = 2.350 V
  • 24h = 2.400 V
  • 25h = 2.450 V
  • 26h = 2.500 V
  • 27h = 2.550 V
  • 28h = 2.600 V
  • 29h = 2.650 V
  • 2Ah = 2.700 V
  • 2Bh = 2.750 V
  • 2Ch = 2.800 V
  • 2Dh = 2.850 V
  • 2Eh = 2.900 V
  • 2Fh = 2.950 V
  • 30h = 3.000 V
  • 31h = 3.050 V
  • 32h = 3.100 V
  • 33h = 3.150 V
  • 34h = 3.200 V
  • 35h = 3.250 V
  • 36h = 3.300 V
  • 37h = 3.350 V
  • 38h = 3.400 V
  • 39h = 3.400 V
  • 3Ah = 3.400 V
  • 3Bh = 3.400 V
  • 3Ch = 3.400 V
  • 3Dh = 3.400 V
  • 3Eh = 3.400 V
  • 3Fh = 3.400 V

6.8.7 BUCK3_VOUT レジスタ (オフセット = 8h) [リセット = XXh]

図 6-25 に、BUCK3_VOUT を示し、表 6-16 に、その説明を示します。

概略表に戻ります。

図 6-25 BUCK3_VOUT レジスタ
76543210
BUCK3_BW_SELBUCK3_UV_THR_SELBUCK3_VSET
R/W-XhR/W-XhR/W-Xh
表 6-16 BUCK3_VOUT レジスタのフィールドの説明
ビットフィールドタイプリセット説明
7BUCK3_BW_SELR/WXBUCK3 帯域幅の選択注:レールが無効な場合のみ変更!(NVM メモリからのデフォルト)
  • 0h = 低帯域幅
  • 1h = 高帯域幅
6BUCK3_UV_THR_SELR/WXBUCK3 の UV スレッショルドの選択(NVM メモリからのデフォルト)
  • 0h = -5% の UV 検出レベル
  • 1h = -10% の UV 検出レベル
5-0BUCK3_VSETR/WXBUCK3 の電圧選択出力電圧範囲は、0.6V~3.4Vです。(NVM メモリからのデフォルト)
  • 0h = 0.600 V
  • 1h = 0.625 V
  • 2h = 0.650 V
  • 3h = 0.675 V
  • 4h = 0.700 V
  • 5h = 0.725 V
  • 6h = 0.750 V
  • 7h = 0.775 V
  • 8h = 0.800 V
  • 9h = 0.825 V
  • Ah = 0.850V
  • Bh = 0.875V
  • Ch = 0.900V
  • Dh = 0.925V
  • Eh = 0.950V
  • Fh = 0.975V
  • 10h = 1.000 V
  • 11h = 1.025 V
  • 12h = 1.050 V
  • 13h = 1.075 V
  • 14h = 1.100 V
  • 15h = 1.125 V
  • 16h = 1.150 V
  • 17h = 1.175 V
  • 18h = 1.200 V
  • 19h = 1.225 V
  • 1Ah = 1.250 V
  • 1Bh = 1.275 V
  • 1Ch = 1.300 V
  • 1Dh = 1.325 V
  • 1Eh = 1.350 V
  • 1Fh = 1.375 V
  • 20h = 1.400 V
  • 21h = 1.500 V
  • 22h = 1.600 V
  • 23h = 1.700 V
  • 24h = 1.800 V
  • 25h = 1.900 V
  • 26h = 2.000 V
  • 27h = 2.100 V
  • 28h = 2.200 V
  • 29h = 2.300 V
  • 2Ah = 2.400 V
  • 2Bh = 2.500 V
  • 2Ch = 2.600 V
  • 2Dh = 2.700 V
  • 2Eh = 2.800 V
  • 2Fh = 2.900 V
  • 30h = 3.000 V
  • 31h = 3.100 V
  • 32h = 3.200 V
  • 33h = 3.300 V
  • 34h = 3.400 V
  • 35h = 3.400 V
  • 36h = 3.400 V
  • 37h = 3.400 V
  • 38h = 3.400 V
  • 39h = 3.400 V
  • 3Ah = 3.400 V
  • 3Bh = 3.400 V
  • 3Ch = 3.400 V
  • 3Dh = 3.400 V
  • 3Eh = 3.400 V
  • 3Fh = 3.400 V

6.8.8 BUCK2_VOUT レジスタ (オフセット = 9h) [リセット = XXh]

図 6-26 に、BUCK2_VOUT を示し、表 6-17 に、その説明を示します。

概略表に戻ります。

図 6-26 BUCK2_VOUT レジスタ
76543210
BUCK2_BW_SELBUCK2_UV_THR_SELBUCK2_VSET
R/W-XhR/W-XhR/W-Xh
表 6-17 BUCK2_VOUT レジスタのフィールドの説明
ビットフィールドタイプリセット説明
7BUCK2_BW_SELR/WXBUCK2 帯域幅の選択注:レールが無効な場合のみ変更!(NVM メモリからのデフォルト)
  • 0h = 低帯域幅
  • 1h = 高帯域幅
6BUCK2_UV_THR_SELR/WXBUCK2 の UV スレッショルドの選択(NVM メモリからのデフォルト)
  • 0h = -5% の UV 検出レベル
  • 1h = -10% の UV 検出レベル
5-0BUCK2_VSETR/WXBUCK2 の電圧選択出力電圧範囲は、0.6V~3.4Vです。(NVM メモリからのデフォルト)
  • 0h = 0.600 V
  • 1h = 0.625 V
  • 2h = 0.650 V
  • 3h = 0.675 V
  • 4h = 0.700 V
  • 5h = 0.725 V
  • 6h = 0.750 V
  • 7h = 0.775 V
  • 8h = 0.800 V
  • 9h = 0.825 V
  • Ah = 0.850V
  • Bh = 0.875V
  • Ch = 0.900V
  • Dh = 0.925V
  • Eh = 0.950V
  • Fh = 0.975V
  • 10h = 1.000 V
  • 11h = 1.025 V
  • 12h = 1.050 V
  • 13h = 1.075 V
  • 14h = 1.100 V
  • 15h = 1.125 V
  • 16h = 1.150 V
  • 17h = 1.175 V
  • 18h = 1.200 V
  • 19h = 1.225 V
  • 1Ah = 1.250 V
  • 1Bh = 1.275 V
  • 1Ch = 1.300 V
  • 1Dh = 1.325 V
  • 1Eh = 1.350 V
  • 1Fh = 1.375 V
  • 20h = 1.400 V
  • 21h = 1.500 V
  • 22h = 1.600 V
  • 23h = 1.700 V
  • 24h = 1.800 V
  • 25h = 1.900 V
  • 26h = 2.000 V
  • 27h = 2.100 V
  • 28h = 2.200 V
  • 29h = 2.300 V
  • 2Ah = 2.400 V
  • 2Bh = 2.500 V
  • 2Ch = 2.600 V
  • 2Dh = 2.700 V
  • 2Eh = 2.800 V
  • 2Fh = 2.900 V
  • 30h = 3.000 V
  • 31h = 3.100 V
  • 32h = 3.200 V
  • 33h = 3.300 V
  • 34h = 3.400 V
  • 35h = 3.400 V
  • 36h = 3.400 V
  • 37h = 3.400 V
  • 38h = 3.400 V
  • 39h = 3.400 V
  • 3Ah = 3.400 V
  • 3Bh = 3.400 V
  • 3Ch = 3.400 V
  • 3Dh = 3.400 V
  • 3Eh = 3.400 V
  • 3Fh = 3.400 V

6.8.9 BUCK1_VOUT レジスタ(オフセット = Ah)[リセット = XXh]

図 6-27 に、BUCK1_VOUT を示し、表 6-18 に、その説明を示します。

概略表に戻ります。

図 6-27 BUCK1_VOUT レジスタ
76543210
BUCK1_BW_SELBUCK1_UV_THR_SELBUCK1_VSET
R/W-XhR/W-XhR/W-Xh
表 6-18 BUCK1_VOUT レジスタのフィールドの説明
ビットフィールドタイプリセット説明
7BUCK1_BW_SELR/WXBUCK1 帯域幅の選択注:レールが無効な場合のみ変更!(NVM メモリからのデフォルト)
  • 0h = 低帯域幅
  • 1h = 高帯域幅
6BUCK1_UV_THR_SELR/WXBUCK1 の UV スレッショルドの選択(NVM メモリからのデフォルト)
  • 0h = -5% の UV 検出レベル
  • 1h = -10% の UV 検出レベル
5-0BUCK1_VSETR/WXBUCK1 の電圧選択出力電圧範囲は、0.6V~3.4Vです。(NVM メモリからのデフォルト)
  • 0h = 0.600 V
  • 1h = 0.625 V
  • 2h = 0.650 V
  • 3h = 0.675 V
  • 4h = 0.700 V
  • 5h = 0.725 V
  • 6h = 0.750 V
  • 7h = 0.775 V
  • 8h = 0.800 V
  • 9h = 0.825 V
  • Ah = 0.850V
  • Bh = 0.875V
  • Ch = 0.900V
  • Dh = 0.925V
  • Eh = 0.950V
  • Fh = 0.975V
  • 10h = 1.000 V
  • 11h = 1.025 V
  • 12h = 1.050 V
  • 13h = 1.075 V
  • 14h = 1.100 V
  • 15h = 1.125 V
  • 16h = 1.150 V
  • 17h = 1.175 V
  • 18h = 1.200 V
  • 19h = 1.225 V
  • 1Ah = 1.250 V
  • 1Bh = 1.275 V
  • 1Ch = 1.300 V
  • 1Dh = 1.325 V
  • 1Eh = 1.350 V
  • 1Fh = 1.375 V
  • 20h = 1.400 V
  • 21h = 1.500 V
  • 22h = 1.600 V
  • 23h = 1.700 V
  • 24h = 1.800 V
  • 25h = 1.900 V
  • 26h = 2.000 V
  • 27h = 2.100 V
  • 28h = 2.200 V
  • 29h = 2.300 V
  • 2Ah = 2.400 V
  • 2Bh = 2.500 V
  • 2Ch = 2.600 V
  • 2Dh = 2.700 V
  • 2Eh = 2.800 V
  • 2Fh = 2.900 V
  • 30h = 3.000 V
  • 31h = 3.100 V
  • 32h = 3.200 V
  • 33h = 3.300 V
  • 34h = 3.400 V
  • 35h = 3.400 V
  • 36h = 3.400 V
  • 37h = 3.400 V
  • 38h = 3.400 V
  • 39h = 3.400 V
  • 3Ah = 3.400 V
  • 3Bh = 3.400 V
  • 3Ch = 3.400 V
  • 3Dh = 3.400 V
  • 3Eh = 3.400 V
  • 3Fh = 3.400 V

6.8.10 LDO2_SEQUENCE_SLOT レジスタ(オフセット = Ch)[リセット = XXh]

図 6-28 に、LDO2_SEQUENCE_SLOT を示し、表 6-19 に、その説明を示します。

概略表に戻ります。

図 6-28 LDO2_SEQUENCE_SLOT レジスタ
76543210
LDO2_SEQUENCE_ON_SLOTLDO2_SEQUENCE_OFF_SLOT
R/W-XhR/W-Xh
表 6-19 LDO2_SEQUENCE_SLOT レジスタのフィールドの説明
ビットフィールドタイプリセット説明
7-4LDO2_SEQUENCE_ON_SLOTR/WXパワーアップ時の LDO2 スロット番号(NVM メモリからのデフォルト)
  • 0h = スロット 0
  • 1h = スロット 1
  • 2h = スロット 2
  • 3h = スロット 3
  • 4h = スロット 4
  • 5h = スロット 5
  • 6h = スロット 6
  • 7h = スロット 7
  • 8h = スロット 8
  • 9h = スロット 9
  • Ah = スロット 10
  • Bh = スロット 11
  • Ch = スロット 12
  • Dh = スロット 13
  • Eh = スロット 14
  • Fh = スロット 15
3-0LDO2_SEQUENCE_OFF_SLOTR/WXパワーダウン時の LDO2 スロット番号(NVM メモリからのデフォルト)
  • 0h = スロット 0
  • 1h = スロット 1
  • 2h = スロット 2
  • 3h = スロット 3
  • 4h = スロット 4
  • 5h = スロット 5
  • 6h = スロット 6
  • 7h = スロット 7
  • 8h = スロット 8
  • 9h = スロット 9
  • Ah = スロット 10
  • Bh = スロット 11
  • Ch = スロット 12
  • Dh = スロット 13
  • Eh = スロット 14
  • Fh = スロット 15

6.8.11 LDO1_SEQUENCE_SLOT レジスタ (オフセット = Eh) [リセット = XXh]

図 6-29 に、LDO1_SEQUENCE_SLOT を示し、表 6-20 に、その説明を示します。

概略表に戻ります。

図 6-29 LDO1_SEQUENCE_SLOT レジスタ
76543210
LDO1_SEQUENCE_ON_SLOTLDO1_SEQUENCE_OFF_SLOT
R/W-XhR/W-Xh
表 6-20 LDO1_SEQUENCE_SLOT レジスタのフィールドの説明
ビットフィールドタイプリセット説明
7-4LDO1_SEQUENCE_ON_SLOTR/WXパワーアップ時の LDO1 スロット番号(NVM メモリからのデフォルト)
  • 0h = スロット 0
  • 1h = スロット 1
  • 2h = スロット 2
  • 3h = スロット 3
  • 4h = スロット 4
  • 5h = スロット 5
  • 6h = スロット 6
  • 7h = スロット 7
  • 8h = スロット 8
  • 9h = スロット 9
  • Ah = スロット 10
  • Bh = スロット 11
  • Ch = スロット 12
  • Dh = スロット 13
  • Eh = スロット 14
  • Fh = スロット 15
3-0LDO1_SEQUENCE_OFF_SLOTR/WXパワーダウン時の LDO1 スロット番号(NVM メモリからのデフォルト)
  • 0h = スロット 0
  • 1h = スロット 1
  • 2h = スロット 2
  • 3h = スロット 3
  • 4h = スロット 4
  • 5h = スロット 5
  • 6h = スロット 6
  • 7h = スロット 7
  • 8h = スロット 8
  • 9h = スロット 9
  • Ah = スロット 10
  • Bh = スロット 11
  • Ch = スロット 12
  • Dh = スロット 13
  • Eh = スロット 14
  • Fh = スロット 15

6.8.12 BUCK3_SEQUENCE_SLOT レジスタ(オフセット = Fh)[リセット = XXh]

図 6-30 に、BUCK3_SEQUENCE_SLOT を示し、表 6-21 に、その説明を示します。

概略表に戻ります。

図 6-30 BUCK3_SEQUENCE_SLOT レジスタ
76543210
BUCK3_SEQUENCE_ON_SLOTBUCK3_SEQUENCE_OFF_SLOT
R/W-XhR/W-Xh
表 6-21 BUCK3_SEQUENCE_SLOT レジスタのフィールドの説明
ビットフィールドタイプリセット説明
7-4BUCK3_SEQUENCE_ON_SLOTR/WXパワーアップ時の BUCK3 スロット番号(NVM メモリからのデフォルト)
  • 0h = スロット 0
  • 1h = スロット 1
  • 2h = スロット 2
  • 3h = スロット 3
  • 4h = スロット 4
  • 5h = スロット 5
  • 6h = スロット 6
  • 7h = スロット 7
  • 8h = スロット 8
  • 9h = スロット 9
  • Ah = スロット 10
  • Bh = スロット 11
  • Ch = スロット 12
  • Dh = スロット 13
  • Eh = スロット 14
  • Fh = スロット 15
3-0BUCK3_SEQUENCE_OFF_SLOTR/WXパワーダウン時の BUCK3 スロット番号(NVM メモリからのデフォルト)
  • 0h = スロット 0
  • 1h = スロット 1
  • 2h = スロット 2
  • 3h = スロット 3
  • 4h = スロット 4
  • 5h = スロット 5
  • 6h = スロット 6
  • 7h = スロット 7
  • 8h = スロット 8
  • 9h = スロット 9
  • Ah = スロット 10
  • Bh = スロット 11
  • Ch = スロット 12
  • Dh = スロット 13
  • Eh = スロット 14
  • Fh = スロット 15

6.8.13 BUCK2_SEQUENCE_SLOT レジスタ (オフセット = 10h) [リセット = XXh]

図 6-31 に、BUCK2_SEQUENCE_SLOT を示し、表 6-22 に、その説明を示します。

概略表に戻ります。

図 6-31 BUCK2_SEQUENCE_SLOT レジスタ
76543210
BUCK2_SEQUENCE_ON_SLOTBUCK2_SEQUENCE_OFF_SLOT
R/W-XhR/W-Xh
表 6-22 BUCK2_SEQUENCE_SLOT レジスタのフィールドの説明
ビットフィールドタイプリセット説明
7-4BUCK2_SEQUENCE_ON_SLOTR/WXパワーアップ時の BUCK2 スロット番号(NVM メモリからのデフォルト)
  • 0h = スロット 0
  • 1h = スロット 1
  • 2h = スロット 2
  • 3h = スロット 3
  • 4h = スロット 4
  • 5h = スロット 5
  • 6h = スロット 6
  • 7h = スロット 7
  • 8h = スロット 8
  • 9h = スロット 9
  • Ah = スロット 10
  • Bh = スロット 11
  • Ch = スロット 12
  • Dh = スロット 13
  • Eh = スロット 14
  • Fh = スロット 15
3-0BUCK2_SEQUENCE_OFF_SLOTR/WXパワーダウン時の BUCK2 スロット番号(NVM メモリからのデフォルト)
  • 0h = スロット 0
  • 1h = スロット 1
  • 2h = スロット 2
  • 3h = スロット 3
  • 4h = スロット 4
  • 5h = スロット 5
  • 6h = スロット 6
  • 7h = スロット 7
  • 8h = スロット 8
  • 9h = スロット 9
  • Ah = スロット 10
  • Bh = スロット 11
  • Ch = スロット 12
  • Dh = スロット 13
  • Eh = スロット 14
  • Fh = スロット 15

6.8.14 BUCK1_SEQUENCE_SLOT レジスタ (オフセット = 11h) [リセット = XXh]

図 6-32 に、BUCK1_SEQUENCE_SLOT を示し、表 6-23 に、その説明を示します。

概略表に戻ります。

図 6-32 BUCK1_SEQUENCE_SLOT レジスタ
76543210
BUCK1_SEQUENCE_ON_SLOTBUCK1_SEQUENCE_OFF_SLOT
R/W-XhR/W-Xh
表 6-23 BUCK1_SEQUENCE_SLOT レジスタのフィールドの説明
ビットフィールドタイプリセット説明
7-4BUCK1_SEQUENCE_ON_SLOTR/WXパワーアップ時の BUCK1 スロット番号(NVM メモリからのデフォルト)
  • 0h = スロット 0
  • 1h = スロット 1
  • 2h = スロット 2
  • 3h = スロット 3
  • 4h = スロット 4
  • 5h = スロット 5
  • 6h = スロット 6
  • 7h = スロット 7
  • 8h = スロット 8
  • 9h = スロット 9
  • Ah = スロット 10
  • Bh = スロット 11
  • Ch = スロット 12
  • Dh = スロット 13
  • Eh = スロット 14
  • Fh = スロット 15
3-0BUCK1_SEQUENCE_OFF_SLOTR/WXパワーダウン時の BUCK1 スロット番号(NVM メモリからのデフォルト)
  • 0h = スロット 0
  • 1h = スロット 1
  • 2h = スロット 2
  • 3h = スロット 3
  • 4h = スロット 4
  • 5h = スロット 5
  • 6h = スロット 6
  • 7h = スロット 7
  • 8h = スロット 8
  • 9h = スロット 9
  • Ah = スロット 10
  • Bh = スロット 11
  • Ch = スロット 12
  • Dh = スロット 13
  • Eh = スロット 14
  • Fh = スロット 15

6.8.15 nRST_SEQUENCE_SLOT レジスタ(オフセット = 12h)[リセット = XXh]

図 6-33 に nRST_SEQUENCE_SLOT を示し、表 6-24 に、その説明を示します。

概略表に戻ります。

図 6-33 nRST_SEQUENCE_SLOT レジスタ
76543210
nRST_SEQUENCE_ON_SLOTnRST_SEQUENCE_OFF_SLOT
R/W-XhR/W-Xh
表 6-24 nRST_SEQUENCE_SLOT レジスタ フィールドの説明
ビットフィールドタイプリセット説明
7-4nRST_SEQUENCE_ON_SLOTR/WXパワーアップ時の nRST スロット番号(NVM メモリからのデフォルト)
  • 0h = スロット 0
  • 1h = スロット 1
  • 2h = スロット 2
  • 3h = スロット 3
  • 4h = スロット 4
  • 5h = スロット 5
  • 6h = スロット 6
  • 7h = スロット 7
  • 8h = スロット 8
  • 9h = スロット 9
  • Ah = スロット 10
  • Bh = スロット 11
  • Ch = スロット 12
  • Dh = スロット 13
  • Eh = スロット 14
  • Fh = スロット 15
3-0nRST_SEQUENCE_OFF_SLOTR/WXパワーダウン時の nRST スロット番号(NVM メモリからのデフォルト)
  • 0h = スロット 0
  • 1h = スロット 1
  • 2h = スロット 2
  • 3h = スロット 3
  • 4h = スロット 4
  • 5h = スロット 5
  • 6h = スロット 6
  • 7h = スロット 7
  • 8h = スロット 8
  • 9h = スロット 9
  • Ah = スロット 10
  • Bh = スロット 11
  • Ch = スロット 12
  • Dh = スロット 13
  • Eh = スロット 14
  • Fh = スロット 15

6.8.16 GPIO_SEQUENCE_SLOT レジスタ(オフセット = 13h)[リセット = XXh]

図 6-34 に GPIO_SEQUENCE_SLOT を示し、表 6-25 に、その説明を示します。

概略表に戻ります。

図 6-34 GPIO_SEQUENCE_SLOT レジスタ
76543210
GPIO_SEQUENCE_ON_SLOTGPIO_SEQUENCE_OFF_SLOT
R/W-XhR/W-Xh
表 6-25 GPIO_SEQUENCE_SLOT レジスタ フィールドの説明
ビットフィールドタイプリセット説明
7-4GPIO_SEQUENCE_ON_SLOTR/WXパワーアップ時の GPIO スロット番号(NVM メモリからのデフォルト)
  • 0h = スロット 0
  • 1h = スロット 1
  • 2h = スロット 2
  • 3h = スロット 3
  • 4h = スロット 4
  • 5h = スロット 5
  • 6h = スロット 6
  • 7h = スロット 7
  • 8h = スロット 8
  • 9h = スロット 9
  • Ah = スロット 10
  • Bh = スロット 11
  • Ch = スロット 12
  • Dh = スロット 13
  • Eh = スロット 14
  • Fh = スロット 15
3-0GPIO_SEQUENCE_OFF_SLOTR/WXパワーダウン時の GPIO スロット番号(NVM メモリからのデフォルト)
  • 0h = スロット 0
  • 1h = スロット 1
  • 2h = スロット 2
  • 3h = スロット 3
  • 4h = スロット 4
  • 5h = スロット 5
  • 6h = スロット 6
  • 7h = スロット 7
  • 8h = スロット 8
  • 9h = スロット 9
  • Ah = スロット 10
  • Bh = スロット 11
  • Ch = スロット 12
  • Dh = スロット 13
  • Eh = スロット 14
  • Fh = スロット 15

6.8.17 GPO2_SEQUENCE_SLOT レジスタ (オフセット = 14h) [リセット = XXh]

図 6-35 に、GPO2_SEQUENCE_SLOT を示し、表 6-26 に、その説明を示します。

概略表に戻ります。

図 6-35 GPO2_SEQUENCE_SLOT レジスタ
76543210
GPO2_SEQUENCE_ON_SLOTGPO2_SEQUENCE_OFF_SLOT
R/W-XhR/W-Xh
表 6-26 GPO2_SEQUENCE_SLOT レジスタのフィールドの説明
ビットフィールドタイプリセット説明
7-4GPO2_SEQUENCE_ON_SLOTR/WXパワーアップ時の GPO2 スロット番号(NVM メモリからのデフォルト)
  • 0h = スロット 0
  • 1h = スロット 1
  • 2h = スロット 2
  • 3h = スロット 3
  • 4h = スロット 4
  • 5h = スロット 5
  • 6h = スロット 6
  • 7h = スロット 7
  • 8h = スロット 8
  • 9h = スロット 9
  • Ah = スロット 10
  • Bh = スロット 11
  • Ch = スロット 12
  • Dh = スロット 13
  • Eh = スロット 14
  • Fh = スロット 15
3-0GPO2_SEQUENCE_OFF_SLOTR/WXパワーダウン時の GPO2 スロット番号(NVM メモリからのデフォルト)
  • 0h = スロット 0
  • 1h = スロット 1
  • 2h = スロット 2
  • 3h = スロット 3
  • 4h = スロット 4
  • 5h = スロット 5
  • 6h = スロット 6
  • 7h = スロット 7
  • 8h = スロット 8
  • 9h = スロット 9
  • Ah = スロット 10
  • Bh = スロット 11
  • Ch = スロット 12
  • Dh = スロット 13
  • Eh = スロット 14
  • Fh = スロット 15

6.8.18 GPO1_SEQUENCE_SLOT レジスタ (オフセット = 15h) [リセット = XXh]

図 6-36 に、GPO1_SEQUENCE_SLOT を示し、表 6-27 に、その説明を示します。

概略表に戻ります。

図 6-36 GPO1_SEQUENCE_SLOT レジスタ
76543210
GPO1_SEQUENCE_ON_SLOTGPO1_SEQUENCE_OFF_SLOT
R/W-XhR/W-Xh
表 6-27 GPO1_SEQUENCE_SLOT レジスタのフィールドの説明
ビットフィールドタイプリセット説明
7-4GPO1_SEQUENCE_ON_SLOTR/WXパワーアップ時の GPO1 スロット番号(NVM メモリからのデフォルト)
  • 0h = スロット 0
  • 1h = スロット 1
  • 2h = スロット 2
  • 3h = スロット 3
  • 4h = スロット 4
  • 5h = スロット 5
  • 6h = スロット 6
  • 7h = スロット 7
  • 8h = スロット 8
  • 9h = スロット 9
  • Ah = スロット 10
  • Bh = スロット 11
  • Ch = スロット 12
  • Dh = スロット 13
  • Eh = スロット 14
  • Fh = スロット 15
3-0GPO1_SEQUENCE_OFF_SLOTR/WXパワーダウン時の GPO1 スロット番号(NVM メモリからのデフォルト)
  • 0h = スロット 0
  • 1h = スロット 1
  • 2h = スロット 2
  • 3h = スロット 3
  • 4h = スロット 4
  • 5h = スロット 5
  • 6h = スロット 6
  • 7h = スロット 7
  • 8h = スロット 8
  • 9h = スロット 9
  • Ah = スロット 10
  • Bh = スロット 11
  • Ch = スロット 12
  • Dh = スロット 13
  • Eh = スロット 14
  • Fh = スロット 15

6.8.19 POWER_UP_SLOT_DURATION_1 レジスタ (オフセット = 16h) [リセット = XXh]

図 6-37 に、POWER_UP_SLOT_DURATION_1 を示し、表 6-28 に、その説明を示します。

概略表に戻ります。

図 6-37 POWER_UP_SLOT_DURATION_1 レジスタ
76543210
POWER_UP_SLOT_0_DURATIONPOWER_UP_SLOT_1_DURATIONPOWER_UP_SLOT_2_DURATIONPOWER_UP_SLOT_3_DURATION
R/W-XhR/W-XhR/W-XhR/W-Xh
表 6-28 POWER_UP_SLOT_DURATION_1 レジスタのフィールドの説明
ビットフィールドタイプリセット説明
7-6POWER_UP_SLOT_0_DURATIONR/WXパワーアップ時およびスタンバイからアクティブへのシーケンス中のスロット 0 の持続時間。(NVM メモリからのデフォルト)
  • 0h = 0ms
  • 1h = 1.5ms
  • 2h = 3ms
  • 3h = 10ms
5-4POWER_UP_SLOT_1_DURATIONR/WXパワーアップ時およびスタンバイからアクティブへのシーケンス中のスロット 1 の持続時間。(NVM メモリからのデフォルト)
  • 0h = 0ms
  • 1h = 1.5ms
  • 2h = 3ms
  • 3h = 10ms
3-2POWER_UP_SLOT_2_DURATIONR/WXパワーアップ時およびスタンバイからアクティブへのシーケンス中のスロット 2 の持続時間。(NVM メモリからのデフォルト)
  • 0h = 0ms
  • 1h = 1.5ms
  • 2h = 3ms
  • 3h = 10ms
1-0POWER_UP_SLOT_3_DURATIONR/WXパワーアップ時およびスタンバイからアクティブへのシーケンス中のスロット 3 の持続時間。(NVM メモリからのデフォルト)
  • 0h = 0ms
  • 1h = 1.5ms
  • 2h = 3ms
  • 3h = 10ms

6.8.20 POWER_UP_SLOT_DURATION_2 レジスタ (オフセット = 17h) [リセット = XXh]

図 6-38 に、POWER_UP_SLOT_DURATION_2 を示し、表 6-29 に、その説明を示します。

概略表に戻ります。

図 6-38 POWER_UP_SLOT_DURATION_2 レジスタ
76543210
POWER_UP_SLOT_4_DURATIONPOWER_UP_SLOT_5_DURATIONPOWER_UP_SLOT_6_DURATIONPOWER_UP_SLOT_7_DURATION
R/W-XhR/W-XhR/W-XhR/W-Xh
表 6-29 POWER_UP_SLOT_DURATION_2 レジスタのフィールドの説明
ビットフィールドタイプリセット説明
7-6POWER_UP_SLOT_4_DURATIONR/WXパワーアップ時およびスタンバイからアクティブへのシーケンス中のスロット 4 の持続時間。(NVM メモリからのデフォルト)
  • 0h = 0ms
  • 1h = 1.5ms
  • 2h = 3ms
  • 3h = 10ms
5-4POWER_UP_SLOT_5_DURATIONR/WXパワーアップ時およびスタンバイからアクティブへのシーケンス中のスロット 5 の持続時間。(NVM メモリからのデフォルト)
  • 0h = 0ms
  • 1h = 1.5ms
  • 2h = 3ms
  • 3h = 10ms
3-2POWER_UP_SLOT_6_DURATIONR/WXパワーアップ時およびスタンバイからアクティブへのシーケンス中のスロット 6 の持続時間。(NVM メモリからのデフォルト)
  • 0h = 0ms
  • 1h = 1.5ms
  • 2h = 3ms
  • 3h = 10ms
1-0POWER_UP_SLOT_7_DURATIONR/WXパワーアップ時およびスタンバイからアクティブへのシーケンス中のスロット 7 の持続時間。(NVM メモリからのデフォルト)
  • 0h = 0ms
  • 1h = 1.5ms
  • 2h = 3ms
  • 3h = 10ms

6.8.21 POWER_UP_SLOT_DURATION_3 レジスタ (オフセット = 18h) [リセット = XXh]

図 6-39 に、POWER_UP_SLOT_DURATION_3 を示し、表 6-30 に、その説明を示します。

概略表に戻ります。

図 6-39 POWER_UP_SLOT_DURATION_3 レジスタ
76543210
POWER_UP_SLOT_8_DURATIONPOWER_UP_SLOT_9_DURATIONPOWER_UP_SLOT_10_DURATIONPOWER_UP_SLOT_11_DURATION
R/W-XhR/W-XhR/W-XhR/W-Xh
表 6-30 POWER_UP_SLOT_DURATION_3 レジスタのフィールドの説明
ビットフィールドタイプリセット説明
7-6POWER_UP_SLOT_8_DURATIONR/WXパワーアップ時およびスタンバイからアクティブへのシーケンス中のスロット 8 の持続時間。(NVM メモリからのデフォルト)
  • 0h = 0ms
  • 1h = 1.5ms
  • 2h = 3ms
  • 3h = 10ms
5-4POWER_UP_SLOT_9_DURATIONR/WXパワーアップ時およびスタンバイからアクティブへのシーケンス中のスロット 9 の持続時間。(NVM メモリからのデフォルト)
  • 0h = 0ms
  • 1h = 1.5ms
  • 2h = 3ms
  • 3h = 10ms
3-2POWER_UP_SLOT_10_DURATIONR/WXパワーアップ時およびスタンバイからアクティブへのシーケンス中のスロット 10 の持続時間。(NVM メモリからのデフォルト)
  • 0h = 0ms
  • 1h = 1.5ms
  • 2h = 3ms
  • 3h = 10ms
1-0POWER_UP_SLOT_11_DURATIONR/WXパワーアップ時およびスタンバイからアクティブへのシーケンス中のスロット 11 の持続時間。(NVM メモリからのデフォルト)
  • 0h = 0ms
  • 1h = 1.5ms
  • 2h = 3ms
  • 3h = 10ms

6.8.22 POWER_UP_SLOT_DURATION_4 レジスタ (オフセット = 19h) [リセット = XXh]

図 6-40 に、POWER_UP_SLOT_DURATION_4 を示し、表 6-31 に、その説明を示します。

概略表に戻ります。

図 6-40 POWER_UP_SLOT_DURATION_4 レジスタ
76543210
POWER_UP_SLOT_12_DURATIONPOWER_UP_SLOT_13_DURATIONPOWER_UP_SLOT_14_DURATIONPOWER_UP_SLOT_15_DURATION
R/W-XhR/W-XhR/W-XhR/W-Xh
表 6-31 POWER_UP_SLOT_DURATION_4 レジスタのフィールドの説明
ビットフィールドタイプリセット説明
7-6POWER_UP_SLOT_12_DURATIONR/WXパワーアップ時およびスタンバイからアクティブへのシーケンス中のスロット 12 の持続時間。(NVM メモリからのデフォルト)
  • 0h = 0ms
  • 1h = 1.5ms
  • 2h = 3ms
  • 3h = 10ms
5-4POWER_UP_SLOT_13_DURATIONR/WXパワーアップ時およびスタンバイからアクティブへのシーケンス中のスロット 13 の持続時間。(NVM メモリからのデフォルト)
  • 0h = 0ms
  • 1h = 1.5ms
  • 2h = 3ms
  • 3h = 10ms
3-2POWER_UP_SLOT_14_DURATIONR/WXパワーアップ時およびスタンバイからアクティブへのシーケンス中のスロット 14 の持続時間。(NVM メモリからのデフォルト)
  • 0h = 0ms
  • 1h = 1.5ms
  • 2h = 3ms
  • 3h = 10ms
1-0POWER_UP_SLOT_15_DURATIONR/WXパワーアップ時およびスタンバイからアクティブへのシーケンス中のスロット 15 の持続時間。(NVM メモリからのデフォルト)
  • 0h = 0ms
  • 1h = 1.5ms
  • 2h = 3ms
  • 3h = 10ms

6.8.23 POWER_DOWN_SLOT_DURATION_1 レジスタ (オフセット = 1Ah) [リセット = XXh]

図 6-41 に、POWER_DOWN_SLOT_DURATION_1 を示し、表 6-32 に、その説明を示します。

概略表に戻ります。

図 6-41 POWER_DOWN_SLOT_DURATION_1 レジスタ
76543210
POWER_DOWN_SLOT_0_DURATIONPOWER_DOWN_SLOT_1_DURATIONPOWER_DOWN_SLOT_2_DURATIONPOWER_DOWN_SLOT_3_DURATION
R/W-XhR/W-XhR/W-XhR/W-Xh
表 6-32 POWER_DOWN_SLOT_DURATION_1 レジスタのフィールドの説明
ビットフィールドタイプリセット説明
7-6POWER_DOWN_SLOT_0_DURATIONR/WXパワーダウン時およびアクティブからスタンバイへのシーケンス中のスロット 0 の持続時間。(NVM メモリからのデフォルト)
  • 0h = 0ms
  • 1h = 1.5ms
  • 2h = 3ms
  • 3h = 10ms
5-4POWER_DOWN_SLOT_1_DURATIONR/WXパワーダウン時およびアクティブからスタンバイへのシーケンス中のスロット 1 の持続時間。(NVM メモリからのデフォルト)
  • 0h = 0ms
  • 1h = 1.5ms
  • 2h = 3ms
  • 3h = 10ms
3-2POWER_DOWN_SLOT_2_DURATIONR/WXパワーダウン時およびアクティブからスタンバイへのシーケンス中のスロット 2 の持続時間。(NVM メモリからのデフォルト)
  • 0h = 0ms
  • 1h = 1.5ms
  • 2h = 3ms
  • 3h = 10ms
1-0POWER_DOWN_SLOT_3_DURATIONR/WXパワーダウン時およびアクティブからスタンバイへのシーケンス中のスロット 3 の持続時間。(NVM メモリからのデフォルト)
  • 0h = 0ms
  • 1h = 1.5ms
  • 2h = 3ms
  • 3h = 10ms

6.8.24 POWER_DOWN_SLOT_DURATION_2 レジスタ (オフセット = 1Bh) [リセット = XXh]

図 6-42 に、POWER_DOWN_SLOT_DURATION_2 を示し、表 6-33 に、その説明を示します。

概略表に戻ります。

図 6-42 POWER_DOWN_SLOT_DURATION_2 レジスタ
76543210
POWER_DOWN_SLOT_4_DURATIONPOWER_DOWN_SLOT_5_DURATIONPOWER_DOWN_SLOT_6_DURATIONPOWER_DOWN_SLOT_7_DURATION
R/W-XhR/W-XhR/W-XhR/W-Xh
表 6-33 POWER_DOWN_SLOT_DURATION_2 レジスタのフィールドの説明
ビットフィールドタイプリセット説明
7-6POWER_DOWN_SLOT_4_DURATIONR/WXパワーダウン時およびアクティブからスタンバイへのシーケンス中のスロット 4 の持続時間。(NVM メモリからのデフォルト)
  • 0h = 0ms
  • 1h = 1.5ms
  • 2h = 3ms
  • 3h = 10ms
5-4POWER_DOWN_SLOT_5_DURATIONR/WXパワーダウン時およびアクティブからスタンバイへのシーケンス中のスロット 5 の持続時間。(NVM メモリからのデフォルト)
  • 0h = 0ms
  • 1h = 1.5ms
  • 2h = 3ms
  • 3h = 10ms
3-2POWER_DOWN_SLOT_6_DURATIONR/WXパワーダウン時およびアクティブからスタンバイへのシーケンス中のスロット 6 の持続時間。(NVM メモリからのデフォルト)
  • 0h = 0ms
  • 1h = 1.5ms
  • 2h = 3ms
  • 3h = 10ms
1-0POWER_DOWN_SLOT_7_DURATIONR/WXパワーダウン時およびアクティブからスタンバイへのシーケンス中のスロット 7 の持続時間。(NVM メモリからのデフォルト)
  • 0h = 0ms
  • 1h = 1.5ms
  • 2h = 3ms
  • 3h = 10ms

6.8.25 POWER_DOWN_SLOT_DURATION_3 レジスタ (オフセット = 1Ch) [リセット = XXh]

図 6-43 に、POWER_DOWN_SLOT_DURATION_3 を示し、表 6-34 に、その説明を示します。

概略表に戻ります。

図 6-43 POWER_DOWN_SLOT_DURATION_3 レジスタ
76543210
POWER_DOWN_SLOT_8_DURATIONPOWER_DOWN_SLOT_9_DURATIONPOWER_DOWN_SLOT_10_DURATIONPOWER_DOWN_SLOT_11_DURATION
R/W-XhR/W-XhR/W-XhR/W-Xh
表 6-34 POWER_DOWN_SLOT_DURATION_3 レジスタのフィールドの説明
ビットフィールドタイプリセット説明
7-6POWER_DOWN_SLOT_8_DURATIONR/WXパワーダウン時およびアクティブからスタンバイへのシーケンス中のスロット 8 の持続時間。(NVM メモリからのデフォルト)
  • 0h = 0ms
  • 1h = 1.5ms
  • 2h = 3ms
  • 3h = 10ms
5-4POWER_DOWN_SLOT_9_DURATIONR/WXパワーダウン時およびアクティブからスタンバイへのシーケンス中のスロット 9 の持続時間。(NVM メモリからのデフォルト)
  • 0h = 0ms
  • 1h = 1.5ms
  • 2h = 3ms
  • 3h = 10ms
3-2POWER_DOWN_SLOT_10_DURATIONR/WXパワーダウン時およびアクティブからスタンバイへのシーケンス中のスロット 10 の持続時間。(NVM メモリからのデフォルト)
  • 0h = 0ms
  • 1h = 1.5ms
  • 2h = 3ms
  • 3h = 10ms
1-0POWER_DOWN_SLOT_11_DURATIONR/WXパワーダウン時およびアクティブからスタンバイへのシーケンス中のスロット 11 の持続時間。(NVM メモリからのデフォルト)
  • 0h = 0ms
  • 1h = 1.5ms
  • 2h = 3ms
  • 3h = 10ms

6.8.26 POWER_DOWN_SLOT_DURATION_4 レジスタ (オフセット = 1Dh) [リセット = XXh]

図 6-44 に、POWER_DOWN_SLOT_DURATION_4 を示し、表 6-35 に、その説明を示します。

概略表に戻ります。

図 6-44 POWER_DOWN_SLOT_DURATION_4 レジスタ
76543210
POWER_DOWN_SLOT_12_DURATIONPOWER_DOWN_SLOT_13_DURATIONPOWER_DOWN_SLOT_14_DURATIONPOWER_DOWN_SLOT_15_DURATION
R/W-XhR/W-XhR/W-XhR/W-Xh
表 6-35 POWER_DOWN_SLOT_DURATION_4 レジスタのフィールドの説明
ビットフィールドタイプリセット説明
7-6POWER_DOWN_SLOT_12_DURATIONR/WXパワーダウン時およびアクティブからスタンバイへのシーケンス中のスロット 12 の持続時間。(NVM メモリからのデフォルト)
  • 0h = 0ms
  • 1h = 1.5ms
  • 2h = 3ms
  • 3h = 10ms
5-4POWER_DOWN_SLOT_13_DURATIONR/WXパワーダウン時およびアクティブからスタンバイへのシーケンス中のスロット 13 の持続時間。(NVM メモリからのデフォルト)
  • 0h = 0ms
  • 1h = 1.5ms
  • 2h = 3ms
  • 3h = 10ms
3-2POWER_DOWN_SLOT_14_DURATIONR/WXパワーダウン時およびアクティブからスタンバイへのシーケンス中のスロット 14 の持続時間。(NVM メモリからのデフォルト)
  • 0h = 0ms
  • 1h = 1.5ms
  • 2h = 3ms
  • 3h = 10ms
1-0POWER_DOWN_SLOT_15_DURATIONR/WXパワーダウン時およびアクティブからスタンバイへのシーケンス中のスロット 15 の持続時間。(NVM メモリからのデフォルト)
  • 0h = 0ms
  • 1h = 1.5ms
  • 2h = 3ms
  • 3h = 10ms

6.8.27 GENERAL_CONFIG レジスタ(オフセット = 1Eh)[リセット = XXh]

図 6-45 に GENERAL_CONFIG を示し、表 6-36 に、その説明を示します。

概略表に戻ります。

図 6-45 GENERAL_CONFIG レジスタ
76543210
BYPASS_RAILS_DISCHARGED_CHECK予約済みLDO2_UV_THR予約済みLDO1_UV_THRGPIO_ENGPO2_ENGPO1_EN
R/W-XhR-0hR/W-XhR-0hR/W-XhR/W-XhR/W-XhR/W-Xh
表 6-36 GENERAL_CONFIG レジスタ フィールドの説明
ビットフィールドタイプリセット説明
7BYPASS_RAILS_DISCHARGED_CHECKR/WX全レール放電チェックをバイパスしてアクティブ状態への遷移を開始します。レールインスロット放電チェックは初期化状態への電源切断中に各スロットで実行します。レギュレータを有効にする前に、RV (プリバイアス) 状態のチェックをバイパスしないでください。(NVM メモリからのデフォルト)
  • 0h = 放電のチェックは強制されます
  • 1h = 放電のチェックはバイパスされます
6予約済みR0h
5LDO2_UV_THRR/WXLDO2 の UV スレッショルドの選択ビットLDO として構成されている場合にのみ適用されます。(NVM メモリからのデフォルト)
  • 0h = -5% の UV 検出レベル
  • 1h = -10% の UV 検出レベル
4予約済みR0h
3LDO1_UV_THRR/WXLDO1 の UV スレッショルドの選択ビットLDO として構成されている場合にのみ適用されます。(NVM メモリからのデフォルト)
  • 0h = -5% の UV 検出レベル
  • 1h = -10% の UV 検出レベル
2GPIO_ENR/WXGPIO のイネーブル制御と状態制御の両方。このビットは、GPIO 機能を有効化し、GPIO ピンの状態も制御します。(NVM メモリからのデフォルト)
  • 0h = GPIO 機能は無効です。出力状態は「Low」です。
  • 1h = GPIO 機能は有効です。出力状態は「High」です。
1GPO2_ENR/WXGPO のイネーブル制御と状態制御の両方。このビットは、GPO 機能を有効化し、GPO ピンの状態も制御します。(NVM メモリからのデフォルト)
  • 0h = GPO2 は無効です。出力状態は Low です。
  • 1h = GPO2 は有効です。出力状態はハイ インピーダンスです。
0GPO1_ENR/WXGPO1 のイネーブル制御と状態制御の両方。このビットは、GPO1 機能を有効化し、GPO1 ピンの状態も制御します。(NVM メモリからのデフォルト)
  • 0h = GPO1 は無効です。出力状態は Low です。
  • 1h = GPO1 は有効です。出力状態はハイ インピーダンスです。

6.8.28 MFP_1_CONFIG レジスタ (オフセット = 1Fh) [リセット = XXh]

図 6-46 に、MFP_1_CONFIG を示し、表 6-37 に、その説明を示します。

概略表に戻ります。

図 6-46 MFP_1_CONFIG レジスタ
76543210
MODE_I2C_CTRLVSEL_SD_I2C_CTRLMODE_RESET_POLARITYMODE_STBY_POLARITYMULTI_DEVICE_ENABLE予約済みVSEL_SD_POLARITYVSEL_DDR_SD
R/W-XhR/W-XhR/W-XhR/W-XhR/W-XhR-0hR/W-XhR/W-Xh
表 6-37 MFP_1_CONFIG レジスタのフィールドの説明
ビットフィールドタイプリセット説明
7MODE_I2C_CTRLR/WXI2C を使用するモード制御。MODE/RESET や MODE/STBY ピンによる MODE 制御で統合。データシートの表を参照してください。(NVM メモリからのデフォルト)
  • 0h = 自動 PFM
  • 1h = 強制 PWM
6VSEL_SD_I2C_CTRLR/WXI2C を使用した VSEL_SD 制御。VSEL_SD/VSEL_DDR ピンが「VSEL_DDR」として構成されている場合のみ適用されます。(NVM メモリからのデフォルト)
  • 0h = 1.8 V
  • 1h = LDOx_VOUT レジスタの設定
5MODE_RESET_POLARITYR/WXMODE_RESET ピンの極性設定。注:操作中に変更しても問題ありませんが、すぐに対応してください。MODE-変更または RESET-エントリ! (NVM メモリからのデフォルト)
  • 0h = [MODE として構成されている場合] LOW - 自動 PFM / HIGH - 強制 PWM[RESET として構成されている場合] LOW - リセット/HIGH - 通常動作。
  • 1h = [MODE として構成されている場合] HIGH - 自動 PFM / LOW - 強制 PWM[RESET として構成されている場合] HIGH - リセット/LOW - 通常動作。
4MODE_STBY_POLARITYR/WXMODE_STBY ピンの極性設定。注:操作中に変更しても問題ありませんが、すぐに対応してください。モード変更または状態変更!(NVM メモリからのデフォルト)
  • 0h = [MODE として構成されている場合] LOW - 自動 PFM / HIGH - 強制 PWM[STBY として構成されている場合] LOW - スタンバイ状態 / HIGH - アクティブ状態。
  • 1h = [MODE として構成されている場合] HIGH - 自動 PFM / LOW - 強制 PWM[STBY として構成されている場合] HIGH - スタンバイ状態 / LOW - アクティブ状態。
3MULTI_DEVICE_ENABLER/WXGPO が GPO 機能として使用される単一デバイスとして、または GPO を使用して他のデバイスと同期するために使用するマルチ デバイス構成として、デバイスを構成します。注:初期化状態でのみ変更します!(NVM メモリからのデフォルト)
  • 0h = シングルデバイス構成、GPIO ピンを GPO として構成
  • 1h = マルチデバイス構成、GPIO ピンを GPIO として構成
2予約済みRX
1VSEL_SD_POLARITYR/WXSD カード電圧選択 注:操作中に変更しても問題ありませんが、すぐに対応してください。SD カードの電源電圧の変更です!(NVM メモリからのデフォルト)
  • 0h = LOW - 1.8V / HIGH - LDOx_VOUT レジスタの設定
  • 1h = HIGH - 1.8V / LOW - LDOx_VOUT レジスタの設定
0VSEL_DDR_SDR/WXVSEL_SD/VSEL_DDR の構成 注:初期化状態でのみ変更します!(NVM メモリからのデフォルト)
  • 0h = Buck3 の電圧を設定するために VSEL ピンを DDR として構成
  • 1h = LDO1 の電圧を設定するために VSEL ピンを SD として構成

6.8.29 MFP_2_CONFIG レジスタ (オフセット = 20h) [リセット = XXh]

図 6-47 に、MFP_2_CONFIG を示し、表 6-38 に、その説明を示します。

概略表に戻ります。

図 6-47 MFP_2_CONFIG レジスタ
76543210
PU_ON_FSDWARM_COLD_RESET_CONFIGEN_PB_VSENSE_CONFIGEN_PB_VSENSE_DEGLMODE_RESET_CONFIGMODE_STBY_CONFIG
R/W-XhR/W-XhR/W-XhR/W-XhR/W-XhR/W-Xh
表 6-38 MFP_2_CONFIG レジスタのフィールドの説明
ビットフィールドタイプリセット説明
7PU_ON_FSDR/WX最初の電源検出(FSD)時点で電源を投入します。そのため、VSYS が印加されると、EN/PB/VSENSE ピンが OFF_REQ ステータスであっても、デバイスはアクティブ状態に起動します。(NVM メモリからのデフォルト)
  • 0h = 最初の電源検出 (FSD) は無効です。
  • 1h = 最初の電源検出(FSD)は有効です。
6WARM_COLD_RESET_CONFIGR/WXMODE/RESET ピンを介して RESET イベントがトリガされるとき、WARM または COLD リセットを選択 (I2C を介した RESET には非適用) (NVM メモリからのデフォルト)
  • 0h = コールド リセット
  • 1h = ウォーム リセット
5-4EN_PB_VSENSE_CONFIGR/WXイネーブル/プッシュボタン/VSENSE 構成。NVM ロード後は I2C 経由で変更しないでください(NVM をプログラミングする前のプリカーサとしての場合を除く)(NVM メモリからのデフォルト)
  • 0h = デバイス イネーブル構成
  • 1h = プッシュ ボタン構成
  • 2h = VSENSE 構成
  • 3h = デバイス イネーブル構成
3EN_PB_VSENSE_DEGLR/WXイネーブル/プッシュボタン/VSENSE グリッチ除去 注:初期化状態でのみ変更します!EN/VSENSE から PB、または PB から EN/VSENSE に変更したときは、すぐに対応してください:電源投入!(NVM メモリからのデフォルト)
  • 0h = 短(標準値:EN/VSENSE で 120us、PB で 200ms)
  • 1h = 長(標準値:EN/VSENSE で 50ms、PB で 600ms)
2MODE_RESET_CONFIGR/WXMODE/RESET 構成 (NVM メモリ からのデフォルト)
  • 0h = MODE
  • 1h = RESET
1-0MODE_STBY_CONFIGR/WXMODE_STDBY 構成 (NVM メモリからのデフォルト)
  • 0h = MODE
  • 1h = STBY
  • 2h = MODE および STBY
  • 3h = MODE

6.8.30 STBY_1_CONFIG レジスタ (オフセット = 21h) [リセット = XXh]

図 6-48 に、STBY_1_CONFIG を示し、表 6-39 に、その説明を示します。

概略表に戻ります。

図 6-48 STBY_1_CONFIG レジスタ
76543210
予約済み予約済みLDO2_STBY_EN予約済みLDO1_STBY_ENBUCK3_STBY_ENBUCK2_STBY_ENBUCK1_STBY_EN
R-0hR-0hR/W-XhR-0hR/W-XhR/W-XhR/W-XhR/W-Xh
表 6-39 STBY_1_CONFIG レジスタのフィールドの説明
ビットフィールドタイプリセット説明
7予約済みR0h
6予約済みR0h
5LDO2_STBY_ENR/WXスタンバイ状態で LDO2 を有効にします。(NVM メモリからのデフォルト)
  • 0h = STBY モードで無効です
  • 1h = STBY モードで有効です
4予約済みR0h
3LDO1_STBY_ENR/WXスタンバイ状態で LDO1 を有効にします。(NVM メモリからのデフォルト)
  • 0h = STBY モードで無効です
  • 1h = STBY モードで有効です
2BUCK3_STBY_ENR/WXスタンバイ状態で BUCK3 を有効にします。(NVM メモリからのデフォルト)
  • 0h = STBY モードで無効です
  • 1h = STBY モードで有効です
1BUCK2_STBY_ENR/WXスタンバイ状態で BUCK2 を有効にします。(NVM メモリからのデフォルト)
  • 0h = STBY モードで無効です
  • 1h = STBY モードで有効です
0BUCK1_STBY_ENR/WXスタンバイ状態で BUCK1 を有効にします。(NVM メモリからのデフォルト)
  • 0h = STBY モードで無効です
  • 1h = STBY モードで有効です

6.8.31 STBY_2_CONFIG レジスタ (オフセット = 22h) [リセット = 0Xh]

図 6-49 に、STBY_2_CONFIG を示し、表 6-40 に、その説明を示します。

概略表に戻ります。

図 6-49 STBY_2_CONFIG レジスタ
76543210
予約済み予約済み予約済み予約済み予約済みGPIO_STBY_ENGPO2_STBY_ENGPO1_STBY_EN
R-0hR-0hR-0hR-0hR-0hR/W-XhR/W-XhR/W-Xh
表 6-40 STBY_2_CONFIG レジスタのフィールドの説明
ビットフィールドタイプリセット説明
7予約済みR0h
6予約済みR0h
5予約済みR0h
4予約済みR0h
3予約済みR0h
2GPIO_STBY_ENR/WXスタンバイ状態で GPIO を有効にします。(NVM メモリからのデフォルト)
  • 0h = STBY モードで無効です
  • 1h = STBY モードで有効です
1GPO2_STBY_ENR/WXスタンバイ状態で GPO2 を有効にします。(NVM メモリからのデフォルト)
  • 0h = STBY モードで無効です
  • 1h = STBY モードで有効です
0GPO1_STBY_ENR/WXスタンバイ状態で GPO1 を有効にします。(NVM メモリからのデフォルト)
  • 0h = STBY モードで無効です
  • 1h = STBY モードで有効です

6.8.32 OC_DEGL_CONFIG レジスタ (オフセット = 23h) [リセット = XXh]

図 6-50 に OC_DEGL_CONFIG を示し、表 6-41 に、その説明を示します。

概略表に戻ります。

図 6-50 OC_DEGL_CONFIG レジスタ
76543210
予約済み予約済みEN_LONG_DEGL_FOR_OC_LDO2予約済みEN_LONG_DEGL_FOR_OC_LDO1EN_LONG_DEGL_FOR_OC_BUCK3EN_LONG_DEGL_FOR_OC_BUCK2EN_LONG_DEGL_FOR_OC_BUCK1
R-0hR-0hR/W-XhR-0hR/W-XhR/W-XhR/W-XhR/W-Xh
表 6-41 OC_DEGL_CONFIG レジスタ フィールドの説明
ビットフィールドタイプリセット説明
7予約済みR0h
6予約済みR0h
5EN_LONG_DEGL_FOR_OC_LDO2R/WX設定すると、LDO2 の過電流信号用の長いグリッチ除去オプションが有効になります。クリアすると、LDO2 の過電流信号用の短いグリッチ除去オプションが有効になります。(NVM メモリからのデフォルト)
  • 0h = LDO2 の過電流信号に対するグリッチ除去期間は 20us までです
  • 1h = LDO2 の過電流信号に対するグリッチ除去時間は 2ms までです
4予約済みR0h
3EN_LONG_DEGL_FOR_OC_LDO1R/WX設定すると、LDO1 の過電流信号用の長いグリッチ除去オプションが有効になります。クリアすると、LDO1 の過電流信号用の短いグリッチ除去オプションが有効になります。(NVM メモリからのデフォルト)
  • 0h = LDO1 の過電流信号に対するグリッチ除去期間は 20us までです
  • 1h = LDO1 の過電流信号に対するグリッチ除去時間は 2ms までです
2EN_LONG_DEGL_FOR_OC_BUCK3R/WX設定すると、BUCK3 の過電流信号用の長いグリッチ除去オプションが有効になります。クリアすると、BUCK3 の過電流信号用の短いグリッチ除去オプションが有効になります。(NVM メモリからのデフォルト)
  • 0h = BUCK3(ハイサイド過電流、ローサイド過電流、およびローサイド逆/負過電流)の過電流信号のグリッチ除去時間は、20us までです
  • 1h = BUCK3(ハイサイド過電流、ローサイド過電流、およびローサイド逆/負過電流)の過電流信号のグリッチ除去時間は、2ms までです
1EN_LONG_DEGL_FOR_OC_BUCK2R/WX設定すると、BUCK2 の過電流信号用の長いグリッチ除去オプションが有効になります。クリアすると、BUCK2 の過電流信号用の短いグリッチ除去オプションが有効になります。(NVM メモリからのデフォルト)
  • 0h = BUCK2(ハイサイド過電流、ローサイド過電流、およびローサイド逆/負過電流)の過電流信号のグリッチ除去時間は、20us までです
  • 1h = BUCK2(ハイサイド過電流、ローサイド過電流、およびローサイド逆/負過電流)の過電流信号のグリッチ除去時間は、2ms までです
0EN_LONG_DEGL_FOR_OC_BUCK1R/WX設定すると、BUCK1 の過電流信号用の長いグリッチ除去オプションが有効になります。クリアすると、BUCK1 の過電流信号用の短いグリッチ除去オプションが有効になります。(NVM メモリからのデフォルト)
  • 0h = BUCK1(ハイサイド過電流、ローサイド過電流、およびローサイド逆/負過電流)の過電流信号のグリッチ除去時間は、20us までです
  • 1h = BUCK1(ハイサイド過電流、ローサイド過電流、およびローサイド逆/負過電流)の過電流信号のグリッチ除去時間は、2ms までです

6.8.33 INT_MASK_UV レジスタ(オフセット = 24h)[リセット = XXh]

図 6-51 に INT_MASK_UV を示し、表 6-42 に、その説明を示します。

概略表に戻ります。

図 6-51 INT_MASK_UV レジスタ
76543210
MASK_RETRY_COUNTBUCK3_UV_MASKBUCK2_UV_MASKBUCK1_UV_MASK予約済みLDO2_UV_MASK予約済みLDO1_UV_MASK
R/W-XhR/W-XhR/W-XhR/W-XhR-0hR/W-XhR-0hR/W-Xh
表 6-42 INT_MASK_UV レジスタ フィールドの説明
ビットフィールドタイプリセット説明
7MASK_RETRY_COUNTR/WX設定すると、デバイスは 2 回再試行しても起動します。(NVM メモリからのデフォルト)
  • 0h = デバイスは最大2回再試行された後、オフのままになります
  • 1h = デバイスは無限に再試行を続けます
6BUCK3_UV_MASKR/WXBUCK3 低電圧マスク。(NVM メモリからのデフォルト)
  • 0h = マスクなし(フォルトを通知します)
  • 1h = マスク済み(フォルトを通知しません)
5BUCK2_UV_MASKR/WXBUCK2 低電圧マスク。(NVM メモリからのデフォルト)
  • 0h = マスクなし(フォルトを通知します)
  • 1h = マスク済み(フォルトを通知しません)
4BUCK1_UV_MASKR/WXBUCK1 低電圧マスク。(NVM メモリからのデフォルト)
  • 0h = マスクなし(フォルトを通知します)
  • 1h = マスク済み(フォルトを通知しません)
3予約済みR0h
2LDO2_UV_MASKR/WXLDO2 低電圧マスク- BYP または LSW モードで常にマスクされます。(NVM メモリからのデフォルト)
  • 0h = マスクなし(フォルトを通知します)
  • 1h = マスク済み(フォルトを通知しません)
1予約済みR0h
0LDO1_UV_MASKR/WXLDO1 低電圧マスク- BYP または LSW モードで常にマスクされます。(NVM メモリからのデフォルト)
  • 0h = マスクなし(フォルトを通知します)
  • 1h = マスク済み(フォルトを通知しません)

6.8.34 MASK_CONFIG レジスタ(オフセット = 25h)[リセット = XXh]

図 6-52 に MASK_CONFIG を示し、表 6-43 に、その説明を示します。

概略表に戻ります。

図 6-52 MASK_CONFIG レジスタ
76543210
MASK_INT_FOR_PBMASK_EFFECTMASK_INT_FOR_RVSENSOR_0_WARM_MASKSENSOR_1_WARM_MASKSENSOR_2_WARM_MASKSENSOR_3_WARM_MASK
R/W-XhR/W-XhR/W-XhR/W-XhR/W-XhR/W-XhR/W-Xh
表 6-43 MASK_CONFIG レジスタ フィールドの説明
ビットフィールドタイプリセット説明
7MASK_INT_FOR_PBR/WXnINT ピンが PushButton(PB)の押下/解放イベントに敏感かどうかを制御するマスキングビット。(NVM メモリからのデフォルト)
  • 0h = マスクなし(すべての PB イベントで nINT を Low にプル)
  • 1h = マスク済み(nINT は PB イベントの影響を受けません)
6-5MASK_EFFECTR/WXマスキング効果(グローバル)(NVM メモリからのデフォルト)
  • 0h = 状態変更なし、nINT 応答なし、フォルト用のビットセットなし
  • 1h = 状態変更なし、nINT 応答なし、フォルト用のビットセット
  • 2h = 状態変更なし、nINT 応答、フォルト用のビットセット(11b と同じ)
  • 3h = 状態変更なし、nINT 応答、フォルト用のビットセット(11b と同じ)
4MASK_INT_FOR_RVR/WXnINT ピンが RV(残留電圧)イベントに敏感かどうかを制御するマスキングビット。(NVM メモリからのデフォルト)
  • 0h = マスクなし(アクティブ状態への遷移中またはレールの有効化時に、いずれかの RV イベントで nINT を Low にプル)
  • 1h = マスク済み(nINT は RV イベントの影響を受けません)
3SENSOR_0_WARM_MASKR/WXダイ温度ウォーム フォルト マスク、センサ 0。(NVM メモリからのデフォルト)
  • 0h = マスクなし(フォルトを通知します)
  • 1h = マスク済み(フォルトを通知しません)
2SENSOR_1_WARM_MASKR/WXダイ温度ウォーム フォルト マスク、センサ 1。(NVM メモリからのデフォルト)
  • 0h = マスクなし(フォルトを通知します)
  • 1h = マスク済み(フォルトを通知しません)
1SENSOR_2_WARM_MASKR/WXダイ温度ウォーム フォルト マスク、センサ 2。(NVM メモリからのデフォルト)
  • 0h = マスクなし(フォルトを通知します)
  • 1h = マスク済み(フォルトを通知しません)
0SENSOR_3_WARM_MASKR/WXダイ温度ウォーム フォルト マスク、センサ 3。(NVM メモリからのデフォルト)
  • 0h = マスクなし(フォルトを通知します)
  • 1h = マスク済み(フォルトを通知しません)

6.8.35 I2C_ADDRESS_REG レジスタ (オフセット = 26h) [リセット = XXh]

図 6-53 に、I2C_ADDRESS_REG を示し、表 6-44 に、その説明を示します。

概略表に戻ります。

図 6-53 I2C_ADDRESS_REG レジスタ
76543210
DIY_NVM_PROGRAM_CMD_ISSUEDI2C_ADDRESS
R/W-XhR/W-Xh
表 6-44 I2C_ADDRESS_REG レジスタのフィールドの説明
ビットフィールドタイプリセット説明
7DIY_NVM_PROGRAM_CMD_ISSUEDR/WXDIY プログラムコマンドが試行されたかどうかを示すビット。一度設定すると、常に設定されたままになります。(NVM メモリからのデフォルト)
  • 0h = NVM データは変更されていません
  • 1h = DIY プログラム コマンドを使用して NVM データの変更が試行されました
6-0I2C_ADDRESSR/WXI2C セカンダリ アドレス。注:操作中に変更しても問題ありませんが、すぐに対応してください。読み取り/書き込み用の新しいアドレスです!(NVM メモリからのデフォルト)

6.8.36 USER_GENERAL_NVM_STORAGE_REG レジスタ(オフセット = 27h)[リセット = XXh]

図 6-54 に USER_GENERAL_NVM_STORAGE_REG を示し、表 6-45 に、その説明を示します。

概略表に戻ります。

図 6-54 USER_GENERAL_NVM_STORAGE_REG レジスタ
76543210
USER_GENERAL_NVM_STORAGE
R/W-XXh
表 6-45 USER_GENERAL_NVM_STORAGE_REG レジスタ フィールドの説明
ビットフィールドタイプリセット説明
7-0USER_GENERAL_NVM_STORAGER/WX顧客が変更した NVM バージョンの NVM-ID など、ユーザーデータを格納するためにユーザーが使用できる 8 ビットの NVM ベースのレジスタ。(NVM メモリからのデフォルト)

6.8.37 MANUFACTURING_VER レジスタ(オフセット = 28h)[リセット = 00h]

図 6-55 に MANUFACTURING_VER を示し、表 6-46 に、その説明を示します。

概略表に戻ります。

図 6-55 MANUFACTURING_VER レジスタ
76543210
SILICON_REV
R-0h
表 6-46 MANUFACTURING_VER レジスタ フィールドの説明
ビットフィールドタイプリセット説明
7-0SILICON_REVR0hSILICON_REV[7:6] - 予約済み SILICON_REV[5:3] - ALR SILICON_REV[2:0] - 金属シリコン リビジョン ハードワイヤード(NVM では制御されていません)

6.8.38 MFP_CTRL レジスタ(オフセット = 29h)[リセット = 00h]

図 6-56 に MFP_CTRL を示し、表 6-47 に、その説明を示します。

概略表に戻ります。

図 6-56 MFP_CTRL レジスタ
76543210
予約済み予約済み予約済みGPIO_STATUSWARM_RESET_I2C_CTRLCOLD_RESET_I2C_CTRLSTBY_I2C_CTRLI2C_OFF_REQ
R-0hR-0hR-0hR-0hR/W-0hR/W-0hR/W-0hR/W-0h
表 6-47 MFP_CTRL レジスタ フィールドの説明
ビットフィールドタイプリセット説明
7予約済みR0h
6予約済みR0h
5予約済みR0h
4GPIO_STATUSR0hGPIO ピンのリアルタイム値を示します
  • 0h = GPIO ピンは現在「0」
  • 1h = GPIO ピンは現在「1」
3WARM_RESET_I2C_CTRLR/W0h「1」と書き込まれると、ウォーム リセットがトリガされます。注:このビットは自動的にクリアされるため、書き込み後に「1」として読み出すことはできません。
  • 0h = 通常動作
  • 1h = ウォーム リセット
2COLD_RESET_I2C_CTRLR/W0hHigh に設定すると、コールド リセットがトリガされます。初期化に入るとクリアされます。
  • 0h = 通常動作
  • 1h = コールド リセット
1STBY_I2C_CTRLR/W0hI2Cを使用したSTBY制御。STBY/STBY ピンによるモード制御で統合。仕様の表を参照。
  • 0h = 通常動作
  • 1h = STBY モード
0I2C_OFF_REQR/W0hこのビットに「1」が書き込まれた場合:オフ要求をトリガします。「0」の場合:影響なし。セルフクリアを行います。
  • 0h = 影響なし
  • 1h = オフ要求をトリガ

6.8.39 DISCHARGE_CONFIG レジスタ(オフセット = 2Ah)[リセット = 7Fh]

図 6-57 に DISCHARGE_CONFIG を示し、表 6-48 に、その説明を示します。

概略表に戻ります。

図 6-57 DISCHARGE_CONFIG レジスタ
76543210
予約済み予約済みLDO2_DISCHARGE_EN予約済みLDO1_DISCHARGE_ENBUCK3_DISCHARGE_ENBUCK2_DISCHARGE_ENBUCK1_DISCHARGE_EN
R-0hR-0hR/W-1hR-0hR/W-1hR/W-1hR/W-1hR/W-1h
表 6-48 DISCHARGE_CONFIG レジスタ フィールドの説明
ビットフィールドタイプリセット説明
7予約済みR0h
6予約済みR0h
5LDO2_DISCHARGE_ENR/W1hLDO2 の放電設定
  • 0h = 放電なし
  • 1h = 250Ω
4予約済みR0h
3LDO1_DISCHARGE_ENR/W1hLDO1 の放電設定
  • 0h = 放電なし
  • 1h = 200Ω
2BUCK3_DISCHARGE_ENR/W1hBUCK3 の放電設定
  • 0h = 放電なし
  • 1h = 125Ω
1BUCK2_DISCHARGE_ENR/W1hBUCK2 の放電設定
  • 0h = 放電なし
  • 1h = 125Ω
0BUCK1_DISCHARGE_ENR/W1hBUCK1 の放電設定
  • 0h = 放電なし
  • 1h = 125Ω

6.8.40 INT_SOURCE レジスタ(オフセット = 2Bh)[リセット = 00h]

図 6-58 に INT_SOURCE を示し、表 6-49 に、その説明を示します。

概略表に戻ります。

図 6-58 INT_SOURCE レジスタ
76543210
INT_PB_IS_SETINT_LDO_2_IS_SETINT_LDO_1_IS_SETINT_BUCK_3_IS_SETINT_BUCK_1_2_IS_SETINT_SYSTEM_IS_SETINT_RV_IS_SETINT_TIMEOUT_RV_SD_IS_SET
R-0hR-0hR-0hR-0hR-0hR-0hR-0hR-0h
表 6-49 INT_SOURCE レジスタ フィールドの説明
ビットフィールドタイプリセット説明
7INT_PB_IS_SETR0hINT_PB レジスタの中に存在する INT のひとつまたは複数のソース
  • 0h = INT_PB にビットは設定されていません
  • 1h = INT_PB にひとつまたは単数のビットが設定されています
6INT_LDO_2_IS_SETR0hINT_LDO_2 レジスタの中に存在する INT のひとつまたは複数のソース
  • 0h = INT_LDO_2 にビットは設定されていません
  • 1h = INT_LDO_2 にひとつまたは単数のビットが設定されています
5INT_LDO_1_IS_SETR0hINT_LDO_1 レジスタの中に存在する INT のひとつまたは複数のソース
  • 0h = INT_LDO_1 にビットは設定されていません
  • 1h = INT_LDO_1 にひとつまたは単数のビットが設定されています
4INT_BUCK_3_IS_SETR0hINT_BUCK_3 レジスタの中に存在する INT のひとつまたは複数のソース
  • 0h = INT_BUCK_3 にビットは設定されていません
  • 1h = INT_BUCK_3 にひとつまたは単数のビットが設定されています
3INT_BUCK_1_2_IS_SETR0hINT_BUCK_1_2 レジスタの中に存在する INT のひとつまたは複数のソース
  • 0h = INT_BUCK_1_2 にビットは設定されていません
  • 1h = INT_BUCK_1_2 にひとつまたは単数のビットが設定されています
2INT_SYSTEM_IS_SETR0hINT_SYSTEMレジスタの中に存在する INT のひとつまたは複数のソース
  • 0h = INT_SYSTEM にビットは設定されていません
  • 1h = INT_SYSTEM にひとつまたは単数のビットが設定されています
1INT_RV_IS_SETR0hINT_RV レジスタの中に存在する INT のひとつまたは複数のソース
  • 0h = INT_RV にビットは設定されていません
  • 1h = INT_RV にひとつまたは単数のビットが設定されています
0INT_TIMEOUT_RV_SD_IS_SETR0hINT_TIMEOUT_RV_SD レジスタの中に存在する INT のひとつまたは複数のソース
  • 0h = INT_TIMEOUT_RV_SD にビットは設定されていません
  • 1h = INT_TIMEOUT_RV_SD にひとつまたは単数のビットが設定されています

6.8.41 INT_LDO_2 レジスタ (オフセット = 2Ch) [リセット = 00h]

図 6-59 に、INT_LDO_2 を示し、表 6-50 に、その説明を示します。

概略表に戻ります。

図 6-59 INT_LDO_2 レジスタ
76543210
予約済み予約済み予約済み予約済み予約済みLDO2_UVLDO2_OCLDO2_SCG
R-0hR-0hR-0hR-0hR-0hR/W1C-0hR/W1C-0hR/W1C-0h
表 6-50 INT_LDO_2 レジスタのフィールドの説明
ビットフィールドタイプリセット説明
7予約済みR0h
6予約済みR0h
5予約済みR0h
4予約済みR0h
3予約済みR0h
2LDO2_UVR/W1C0hLDO2 低電圧フォルトINT_MASK_UV レジスタの対応する*_UV_MASK ビットが「1」の場合、初期化状態への遷移時に自動的にクリアされます。
  • 0h = フォルト検出なし
  • 1h = フォルト検出あり
1LDO2_OCR/W1C0hLDO2 過電流フォルト
  • 0h = フォルト検出なし
  • 1h = フォルト検出あり
0LDO2_SCGR/W1C0hLDO2 接地への短絡フォルト
  • 0h = フォルト検出なし
  • 1h = フォルト検出あり

6.8.42 INT_LDO_1 レジスタ (オフセット = 2Dh) [リセット = 00h]

図 6-60 に、INT_LDO_1 を示し、表 6-51 に、その説明を示します。

概略表に戻ります。

図 6-60 INT_LDO_1 レジスタ
76543210
予約済み予約済み予約済み予約済み予約済みLDO1_UVLDO1_OCLDO1_SCG
R-0hR-0hR-0hR-0hR-0hR/W1C-0hR/W1C-0hR/W1C-0h
表 6-51 INT_LDO_1 レジスタのフィールドの説明
ビットフィールドタイプリセット説明
7予約済みR0h
6予約済みR0h
5予約済みR0h
4予約済みR0h
3予約済みR0h
2LDO1_UVR/W1C0hLDO1 低電圧フォルトINT_MASK_UV レジスタの対応する*_UV_MASK ビットが「1」の場合、初期化状態への遷移時に自動的にクリアされます。
  • 0h = フォルト検出なし
  • 1h = フォルト検出あり
1LDO1_OCR/W1C0hLDO1 過電流フォルト
  • 0h = フォルト検出なし
  • 1h = フォルト検出あり
0LDO1_SCGR/W1C0hLDO1 接地への短絡フォルト
  • 0h = フォルト検出なし
  • 1h = フォルト検出あり

6.8.43 INT_BUCK_3 レジスタ (オフセット = 2Eh) [リセット = 00h]

図 6-61 に、INT_BUCK_3 を示し、表 6-52 に、その説明を示します。

概略表に戻ります。

図 6-61 INT_BUCK_3 レジスタ
76543210
予約済み予約済み予約済み予約済みBUCK3_UVBUCK3_NEG_OCBUCK3_OCBUCK3_SCG
R-0hR-0hR-0hR-0hR/W1C-0hR/W1C-0hR/W1C-0hR/W1C-0h
表 6-52 INT_BUCK_3 レジスタのフィールドの説明
ビットフィールドタイプリセット説明
7予約済みR0h
6予約済みR0h
5予約済みR0h
4予約済みR0h
3BUCK3_UVR/W1C0hBUCK3 低電圧フォルトINT_MASK_UV レジスタの対応する*_UV_MASK ビットが「1」の場合、初期化状態への遷移時に自動的にクリアされます。
  • 0h = フォルト検出なし
  • 1h = フォルト検出あり
2BUCK3_NEG_OCR/W1C0hBUCK3 負の過電流フォルト
  • 0h = フォルト検出なし
  • 1h = フォルト検出あり
1BUCK3_OCR/W1C0hBUCK3 正の過電流フォルト
  • 0h = フォルト検出なし
  • 1h = フォルト検出あり
0BUCK3_SCGR/W1C0hBUCK3 接地への短絡フォルト
  • 0h = フォルト検出なし
  • 1h = フォルト検出あり

6.8.44 INT_BUCK_1_2 レジスタ (オフセット = 2Fh) [リセット = 00h]

図 6-62 に、INT_BUCK_1_2 を示し、表 6-53 に、その説明を示します。

概略表に戻ります。

図 6-62 INT_BUCK_1_2 レジスタ
76543210
BUCK2_UVBUCK2_NEG_OCBUCK2_OCBUCK2_SCGBUCK1_UVBUCK1_NEG_OCBUCK1_OCBUCK1_SCG
R/W1C-0hR/W1C-0hR/W1C-0hR/W1C-0hR/W1C-0hR/W1C-0hR/W1C-0hR/W1C-0h
表 6-53 INT_BUCK_1_2 レジスタのフィールドの説明
ビットフィールドタイプリセット説明
7BUCK2_UVR/W1C0hBUCK2 低電圧フォルトINT_MASK_UV レジスタの対応する*_UV_MASK ビットが「1」の場合、初期化状態への遷移時に自動的にクリアされます。
  • 0h = フォルト検出なし
  • 1h = フォルト検出あり
6BUCK2_NEG_OCR/W1C0hBUCK2 負の過電流フォルト
  • 0h = フォルト検出なし
  • 1h = フォルト検出あり
5BUCK2_OCR/W1C0hBUCK2 正の過電流フォルト
  • 0h = フォルト検出なし
  • 1h = フォルト検出あり
4BUCK2_SCGR/W1C0hBUCK2 接地への短絡フォルト
  • 0h = フォルト検出なし
  • 1h = フォルト検出あり
3BUCK1_UVR/W1C0hBUCK1 低電圧フォルトINT_MASK_UV レジスタの対応する*_UV_MASK ビットが「1」の場合、初期化状態への遷移時に自動的にクリアされます。
  • 0h = フォルト検出なし
  • 1h = フォルト検出あり
2BUCK1_NEG_OCR/W1C0hBUCK1 負の過電流フォルト
  • 0h = フォルト検出なし
  • 1h = フォルト検出あり
1BUCK1_OCR/W1C0hBUCK1 正の過電流フォルト
  • 0h = フォルト検出なし
  • 1h = フォルト検出あり
0BUCK1_SCGR/W1C0hBUCK1 接地への短絡フォルト
  • 0h = フォルト検出なし
  • 1h = フォルト検出あり

6.8.45 INT_SYSTEM レジスタ(オフセット = 30h)[リセット = 00h]

図 6-63 に INT_SYSTEM を示し、表 6-54 に、その説明を示します。

概略表に戻ります。

図 6-63 INT_SYSTEM レジスタ
76543210
SENSOR_0_HOTSENSOR_1_HOTSENSOR_2_HOTSENSOR_3_HOTSENSOR_0_WARMSENSOR_1_WARMSENSOR_2_WARMSENSOR_3_WARM
R/W1C-0hR/W1C-0hR/W1C-0hR/W1C-0hR/W1C-0hR/W1C-0hR/W1C-0hR/W1C-0h
表 6-54 INT_SYSTEM レジスタ フィールドの説明
ビットフィールドタイプリセット説明
7SENSOR_0_HOTR/W1C0hセンサ 0 の TSD ホット検出
  • 0h = フォルト検出なし
  • 1h = フォルト検出あり
6SENSOR_1_HOTR/W1C0hセンサ 1 の TSD ホット検出
  • 0h = フォルト検出なし
  • 1h = フォルト検出あり
5SENSOR_2_HOTR/W1C0hセンサ 2 の TSD ホット検出
  • 0h = フォルト検出なし
  • 1h = フォルト検出あり
4SENSOR_3_HOTR/W1C0hセンサ 3 の TSD ホット検出
  • 0h = フォルト検出なし
  • 1h = フォルト検出あり
3SENSOR_0_WARMR/W1C0hセンサ 0 の TSD ウォーム検出MASK_CONFIG レジスタの対応する*_WARM_MASK ビットが「1」の場合、初期化状態への遷移時に自動的にクリアされます。
  • 0h = フォルト検出なし
  • 1h = フォルト検出あり
2SENSOR_1_WARMR/W1C0hセンサ 1 の TSD ウォーム検出MASK_CONFIG レジスタの対応する*_WARM_MASK ビットが「1」の場合、初期化状態への遷移時に自動的にクリアされます。
  • 0h = フォルト検出なし
  • 1h = フォルト検出あり
1SENSOR_2_WARMR/W1C0hセンサ 2 の TSD ウォーム検出MASK_CONFIG レジスタの対応する*_WARM_MASK ビットが「1」の場合、初期化状態への遷移時に自動的にクリアされます。
  • 0h = フォルト検出なし
  • 1h = フォルト検出あり
0SENSOR_3_WARMR/W1C0hセンサ 3 の TSD ウォーム検出MASK_CONFIG レジスタの対応する*_WARM_MASK ビットが「1」の場合、初期化状態への遷移時に自動的にクリアされます。
  • 0h = フォルト検出なし
  • 1h = フォルト検出あり

6.8.46 INT_RV レジスタ(オフセット = 31h)[リセット = 00h]

図 6-64 に INT_RV を示し、表 6-55 に、その説明を示します。

概略表に戻ります。

図 6-64 INT_RV レジスタ
76543210
予約済み予約済みLDO2_RV予約済みLDO1_RVBUCK3_RVBUCK2_RVBUCK1_RV
R-0hR-0hR/W1C-0hR-0hR/W1C-0hR/W1C-0hR/W1C-0hR/W1C-0h
表 6-55 INT_RV レジスタ フィールドの説明
ビットフィールドタイプリセット説明
7予約済みR0h
6予約済みR0h
5LDO2_RVR/W1C0hレール電源オン中に LDO2 レール上で、または電源シーケンスをアクティブ状態にする前の放電点検中に 4 ~ 5ms 後に検出された RV イベント
  • 0h = RV 検出なし
  • 1h = RV 検出あり
4予約済みR0h
3LDO1_RVR/W1C0hレール電源オン中に LDO1 レール上で、または電源シーケンスをアクティブ状態にする前の放電点検中に 4 ~ 5ms 後に検出された RV イベント
  • 0h = RV 検出なし
  • 1h = RV 検出あり
2BUCK3_RVR/W1C0hレール電源オン中に BUCK3 レール上で、または電源シーケンスをアクティブ状態にする前の放電点検中に 4 ~ 5ms 後に検出された RV イベント
  • 0h = RV 検出なし
  • 1h = RV 検出あり
1BUCK2_RVR/W1C0hレール電源オン中に BUCK2 レール上で、または電源シーケンスをアクティブ状態にする前の放電点検中に 4 ~ 5ms 後に検出された RV イベント
  • 0h = RV 検出なし
  • 1h = RV 検出あり
0BUCK1_RVR/W1C0hレール電源オン中に BUCK1 レール上で、または電源シーケンスをアクティブ状態にする前の放電点検中に 4 ~ 5ms 後に検出された RV イベント
  • 0h = RV 検出なし
  • 1h = RV 検出あり

6.8.47 INT_TIMEOUT_RV_SD レジスタ(オフセット = 32h)[リセット = 00h]

図 6-65 に INT_TIMEOUT_RV_SD を示し、表 6-56 に、その説明を示します。

概略表に戻ります。

図 6-65 INT_TIMEOUT_RV_SD レジスタ
76543210
TIMEOUT予約済みLDO2_RV_SD予約済みLDO1_RV_SDBUCK3_RV_SDBUCK2_RV_SDBUCK1_RV_SD
R/W1C-0hR-0hR/W1C-0hR-0hR/W1C-0hR/W1C-0hR/W1C-0hR/W1C-0h
表 6-56 INT_TIMEOUT_RV_SD レジスタ フィールドの説明
ビットフィールドタイプリセット説明
7TIMEOUTR/W1C0h以下の間に、タイムアウトが原因でシャットダウンが発生した場合に設定されます。1.アクティブ状態に遷移して、割り当てられたスロットの終了時に、ひとつまたは複数のレールが UV レベルを超えなかった場合(およ び、このレールの UV が SD フォルトとして構成されている場合)。INT_*レジスタの*_UV ビットにより、どのレールが表示されるかが示されます。2.スタンバイ状態に遷移すると、割り当てられたスロットが終了しても、ひとつまたは複数のレールが SCG レベルを下回らず、そのレールに対して放電が有効になります(このレジスタの対応するRV_SD ビットにより、どのレールかが示されます)。
  • 0h = タイムアウトが原因の SD は発生していません
  • 1h = タイムアウトが原因の SD が発生しました
6予約済みR0h
5LDO2_RV_SDR/W1C0h以下の間に、LDO2 レールの RV が原因でシャットダウンが発生しました。1.スタンバイ状態への遷移で、割り当てられたスロットの終了時にこのレールは放電せず、このレール対する放電が有効になります 2.スタンバイ状態への遷移で、このレールが無効化され、放電が有効になった後、にRVがこのレール上で観察されました 3.アクティブ状態への遷移で、このレールがオフの状態で RV が観測されました(レールはアクティブ状態への遷移を開始する前に放電されると予想されます)4.このレールは放電しないため、スタンバイからアクティブへの遷移開始時にすべてのレールの放電を試みている間にタイムアウト SD が発生しました(この場合は TIMEOUT ビットも設定されます)
  • 0h = LDO2 の RV/DISCHARGE_TIMEOUT が原因の SD は発生していません
  • 1h = LDO2 の RV/DISCHARGE_TIMEOUT が原因でシャットダウンが発生しました
4予約済みR0h
3LDO1_RV_SDR/W1C0h以下の間に、LDO1 レールの RV が原因でシャットダウンが発生しました。1.スタンバイ状態への遷移で、割り当てられたスロットの終了時にこのレールは放電せず、このレール対する放電が有効になります 2.スタンバイ状態への遷移で、このレールが無効化され、放電が有効になった後、にRVがこのレール上で観察されました 3.アクティブ状態への遷移で、このレールがオフの状態で RV が観測されました(レールはアクティブ状態への遷移を開始する前に放電されると予想されます)4.このレールは放電しないため、スタンバイからアクティブへの遷移開始時にすべてのレールの放電を試みている間にタイムアウト SD が発生しました(この場合は TIMEOUT ビットも設定されます)
  • 0h = LDO1 の RV/DISCHARGE_TIMEOUT が原因の SD は発生していません
  • 1h = LDO1 の RV/DISCHARGE_TIMEOUT が原因でシャットダウンが発生しました
2BUCK3_RV_SDR/W1C0h以下の間に、BUCK3 レールの RV が原因でシャットダウンが発生しました。1.スタンバイ状態への遷移で、割り当てられたスロットの終了時にこのレールは放電せず、このレール対する放電が有効になります 2.スタンバイ状態への遷移で、このレールが無効化され、放電が有効になった後、にRVがこのレール上で観察されました 3.アクティブ状態への遷移で、このレールがオフの状態で RV が観測されました(レールはアクティブ状態への遷移を開始する前に放電されると予想されます)4.このレールは放電しないため、スタンバイからアクティブへの遷移開始時にすべてのレールの放電を試みている間にタイムアウト SD が発生しました(この場合は TIMEOUT ビットも設定されます)
  • 0h = BUCK3 の RV/DISCHARGE_TIMEOUT が原因の SD は発生していません
  • 1h = BUCK3 の RV/DISCHARGE_TIMEOUT が原因でシャットダウンが発生しました
1BUCK2_RV_SDR/W1C0h以下の間に、BUCK2 レールの RV が原因でシャットダウンが発生しました。1.スタンバイ状態への遷移で、割り当てられたスロットの終了時にこのレールは放電せず、このレール対する放電が有効になります 2.スタンバイ状態への遷移で、このレールが無効化され、放電が有効になった後、にRVがこのレール上で観察されました 3.アクティブ状態への遷移で、このレールがオフの状態で RV が観測されました(レールはアクティブ状態への遷移を開始する前に放電されると予想されます)4.このレールは放電しないため、スタンバイからアクティブへの遷移開始時にすべてのレールの放電を試みている間にタイムアウト SD が発生しました(この場合は TIMEOUT ビットも設定されます)
  • 0h = BUCK2 の RV/DISCHARGE_TIMEOUT が原因の SD は発生していません
  • 1h = BUCK2 の RV/DISCHARGE_TIMEOUT が原因でシャットダウンが発生しました
0BUCK1_RV_SDR/W1C0h以下の間に、BUCK1 レールの RV が原因でシャットダウンが発生しました。1.スタンバイ状態への遷移で、割り当てられたスロットの終了時にこのレールは放電せず、このレール対する放電が有効になります 2.スタンバイ状態への遷移で、このレールが無効化され、放電が有効になった後、にRVがこのレール上で観察されました 3.アクティブ状態への遷移で、このレールがオフの状態で RV が観測されました(レールはアクティブ状態への遷移を開始する前に放電されると予想されます)4.このレールは放電しないため、スタンバイからアクティブへの遷移開始時にすべてのレールの放電を試みている間にタイムアウト SD が発生しました(この場合は TIMEOUT ビットも設定されます)
  • 0h = BUCK1 の RV/DISCHARGE_TIMEOUT が原因の SD は発生していません
  • 1h = BUCK1 の RV/DISCHARGE_TIMEOUT が原因でシャットダウンが発生しました

6.8.48 INT_PB レジスタ(オフセット = 33h)[リセット = 04h]

図 6-66 に INT_PB を示し、表 6-57 に、その説明を示します。

概略表に戻ります。

図 6-66 INT_PB レジスタ
76543210
予約済み予約済み予約済み予約済み予約済みPB_REAL_TIME_STATUSPB_RISING_EDGE_DETECTEDPB_FALLING_EDGE_DETECTED
R-0hR-0hR-0hR-0hR-0hR-1hR/W1C-0hR/W1C-0h
表 6-57 INT_PB レジスタ フィールドの説明
ビットフィールドタイプリセット説明
7予約済みR0h
6予約済みR0h
5予約済みR0h
4予約済みR0h
3予約済みR0h
2PB_REAL_TIME_STATUSR1hPB ピンのグリッチ除去(64 ~ 128ms)のリアルタイム ステータス。EN/PB/VSENSE ピンが PB として構成されている場合のみ有効です。
  • 0h = PB の電流グリッチ除去ステータス:プレス済み
  • 1h = PB の電流グリッチ除去ステータス:リリース済み
1PB_RISING_EDGE_DETECTEDR/W1C0hPB は前回このビットがクリアされてから、グリッチ除去期間>(64 ~ 128ms)の間、リリースされました。このビットを設定すると、nINT ピンがアサートされます(構成ビット MASK_INT_FOR_PB = 「0」の場合)。
  • 0h = PB リリースは検出されていません
  • 1h = PB リリースは検出されています
0PB_FALLING_EDGE_DETECTEDR/W1C0hPB は前回このビットがクリアされてから、グリッチ除去期間>(64 ~ 128ms)の間、プレスされました。このビットを設定すると、nINT ピンがアサートされます(構成ビット MASK_INT_FOR_PB = 「0」の場合)。
  • 0h = PB プレスは検出されていません
  • 1h = PB プレスは検出されています

6.8.49 USER_NVM_CMD_REG レジスタ(オフセット = 34h)[リセット = 00h]

図 6-67 に USER_NVM_CMD_REG を示し、表 6-58 に、その説明を示します。

概略表に戻ります。

図 6-67 USER_NVM_CMD_REG レジスタ
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NVM_VERIFY_RESULTCUST_NVM_VERIFY_DONECUST_PROG_DONEI2C_OSC_ONUSER_NVM_CMD
R-0hR/W1C-0hR/W1C-0hR-0hR-0h
表 6-58 USER_NVM_CMD_REG レジスタ フィールドの説明
ビットフィールドタイプリセット説明
7NVM_VERIFY_RESULTR0hCUST_NVM_Verify_CMD が実行された後、このビットは動作の結果を示します。(1 = フェイル、0 = パス)。「1」の場合、このビットは次の CUST_NVM_VERIFY_CMD がパスした場合のみクリアできます。
  • 0h = PASS
  • 1h = FAIL
6CUST_NVM_VERIFY_DONER/W1C0hCUST_NVM_VERIFY_CMD の実行後、「1」に設定されます。ユーザーが W1C を実行するまで「1」のままになります。
  • 0h = 未完了/進行中
  • 1h = 完了
5CUST_PROG_DONER/W1C0hCUST_PROG_CMD の実行後、「1」に設定されます。ユーザーが W1C を実行するまで「1」のままになります。
  • 0h = 未完了/進行中
  • 1h = 完了
4I2C_OSC_ONR0hEN_OSC_DIY を受信すると、このレジスタ フィールドは「1」に設定されます。
  • 0h = OSC は I2C 経由して制御されていません
  • 1h = I2C コマンド EN_OSC_DIYにより無条件で OSC をオン
3-0USER_NVM_CMDR0hDIY プログラミングモードに移行し、ユーザー NVM 空間をプログラムするためのコマンド。常に 0 として読み出します
  • 6h = DIS_OSC_DIY
  • 7h = CUST_NVM_VERIFY_CMD
  • 9h = EN_OSC_DIY
  • Ah = CUST_PROG_CMD

6.8.50 POWER_UP_STATUS_REG レジスタ(オフセット = 35h)[リセット = 00h]

図 6-68 に POWER_UP_STATUS_REG を示し、表 6-59 に、その説明を示します。

概略表に戻ります。

図 6-68 POWER_UP_STATUS_REG レジスタ
76543210
POWER_UP_FROM_FSDPOWER_UP_FROM_EN_PB_VSENSECOLD_RESET_ISSUED状態RETRY_COUNTPOWER_UP_FROM_OFF
R/W1C-0hR/W1C-0hR/W1C-0hR-0hR-0hR/W1C-0h
表 6-59 POWER_UP_STATUS_REG レジスタ フィールドの説明
ビットフィールドタイプリセット説明
7POWER_UP_FROM_FSDR/W1C0hFSD が原因で ON_REQ がトリガされた場合に設定されます
  • 0h = FSD によるパワーアップは検出されていません
  • 1h = FSD によるパワーアップは検出されています
6POWER_UP_FROM_EN_PB_VSENSER/W1C0hEN/PB/VSENSE ピンが原因で ON_REQ がトリガされた場合に設定されます
  • 0h = ピンは検出されていません
  • 1h = 検出されたピン経由でパワーアップ
5COLD_RESET_ISSUEDR/W1C0hピン経由または I2C 経由で COLD_RESET を受信した場合に設定されます
  • 0h = コールド リセットは受信していません
  • 1h = ピンまたは I2C 経由でコールドリセットを受信しました
4-3状態R0h現在のデバイス状態を示します
  • 0h = 遷移状態
  • 1h = 初期化
  • 2h = スタンバイ
  • 3h = ACTIVE
2-1RETRY_COUNTR0hステートマシンの現在のリトライ カウントを読み取ります。RETRY_COUNT = 3 で、マスクされていない場合、デバイスは起動しません。
0POWER_UP_FROM_OFFR/W1C0hオフ状態から電源が投入されたかどうかを示します(PORがアサートされました)
  • 0h = このビットが前回クリアされた後に、オフ状態に移行していません
  • 1h = このビットが前回クリアされた後に、オフ状態に移行しています

6.8.51 SPARE_2 レジスタ (オフセット = 36h) [リセット = 00h]

図 6-69 に、SPARE_2 を示し、表 6-60 に、その説明を示します。

概略表に戻ります。

図 6-69 SPARE_2 レジスタ
76543210
SPARE_2_1SPARE_2_2SPARE_2_3SPARE_2_4SPARE_2_5SPARE_2_6SPARE_2_7SPARE_2_8
R/W-0hR/W-0hR/W-0hR/W-0hR/W-0hR/W-0hR/W-0hR/W-0h
表 6-60 SPARE_2 レジスタのフィールドの説明
ビットフィールドタイプリセット説明
7SPARE_2_1R/W0hユーザーの非 NVM 領域の Spare ビット
6SPARE_2_2R/W0hユーザーの非 NVM 領域の Spare ビット
5SPARE_2_3R/W0hユーザーの非 NVM 領域の Spare ビット
4SPARE_2_4R/W0hユーザーの非 NVM 領域の Spare ビット
3SPARE_2_5R/W0hユーザーの非 NVM 領域の Spare ビット
2SPARE_2_6R/W0hユーザーの非 NVM 領域の Spare ビット
1SPARE_2_7R/W0hユーザーの非 NVM 領域の Spare ビット
0SPARE_2_8R/W0hユーザーの非 NVM 領域の Spare ビット

6.8.52 SPARE_3 レジスタ (オフセット = 37h) [リセット = 00h]

図 6-70 に、SPARE_3 を示し、表 6-61 に、その説明を示します。

概略表に戻ります。

図 6-70 SPARE_3 レジスタ
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SPARE_3_1
R/W-0h
表 6-61 SPARE_3 レジスタのフィールドの説明
ビットフィールドタイプリセット説明
7-0SPARE_3_1R/W0hユーザーの非 NVM 領域の Spare ビット

6.8.53 FACTORY_CONFIG_2 レジスタ (オフセット = 41h) [リセット = XXh]

図 6-71 に、FACTORY_CONFIG_2 を示し、表 6-62 に、その説明を示します。

概略表に戻ります。

図 6-71 FACTORY_CONFIG_2 レジスタ
76543210
NVM_REVISIONRESERVEDRESERVEDRESERVEDRESERVEDRESERVED
R/W-XhR-0hR-0hR-0hR-0hR-0h
表 6-62 FACTORY_CONFIG_2 レジスタのフィールドの説明
ビットフィールドタイプリセット説明
7-5NVM_REVISIONR/WXNVM 構成のバージョンを指定します 注:このレジスタは、マイコンのみが書き込みできます。
  • 0h = V0
  • 1h = V1 ...
4予約済みR0h
3予約済みR0h
2予約済みR0h
1予約済みR0h
0予約済みR0h