1 はじめに

部品フットプリントが小さく、電力密度が高い IIB モジュールなど、より小型の DC/DC バイアス電源の需要がますます高まっています。高周波電力変換を使用した絶縁技術を採用した IC レベルトランスは、小型 IC パッケージと高い電力密度を実現する主なテクノロジードライバです。このトレンドの課題の 1 つは EMI です。UCC33xxx-Q1 デバイス ファミリは、4x5x1- 付きで、このトレンドの一部です $\mathrm{m}{\mathrm{m}}^3$ パッケージと 64MHz スイッチング周波数。

1 次側から 2 次側に電力を供給するため、UCC33xxx-Q1 は、負荷条件に応じて 100kHz ~ 500kHz の範囲のバースト周波数を使用します。バースト周波数は低周波数バケットとして説明でき、これらのバケット内でデバイスは 64MHz の高周波でスイッチングします。

CE の場合、周波数範囲が 150kHz-30MHz では、パイフィルタを使用してバースト周波数の大きさを低減しています。RE の範囲は 30MHz ~ 200MHz で、スイッチング周波数と高調波がターゲットであり、目標を制限未満に抑えるために PCB レイアウトが重要な役割を果たします。