JAJSFS3D July   2018  – May 2025 OPA855

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 説明
  5. 4 デバイス比較表
  6. 5 ピン構成および機能
  7. 6 仕様
    1. 6.1 絶対最大定格
    2. 6.2 ESD 定格
    3. 6.3 推奨動作条件
    4. 6.4 熱に関する情報
    5. 6.5 電気的特性
    6. 6.6 代表的特性
  8. 7 パラメータ測定情報
  9. 8 詳細説明
    1. 8.1 概要
    2. 8.2 機能ブロック図
    3. 8.3 機能説明
      1. 8.3.1 入力および ESD 保護
      2. 8.3.2 フィードバック ピン
      3. 8.3.3 広いゲイン帯域幅積
      4. 8.3.4 スルーレートと出力段
    4. 8.4 デバイスの機能モード
      1. 8.4.1 分割電源と単一電源動作
      2. 8.4.2 パワーダウン モード
  10. 9 アプリケーションと実装
    1. 9.1 アプリケーション情報
    2. 9.2 代表的なアプリケーション
      1. 9.2.1 光学フロント エンド システム内の TIA を使用したものです
        1. 9.2.1.1 設計要件
        2. 9.2.1.2 詳細な設計手順
        3. 9.2.1.3 アプリケーション曲線
      2. 9.2.2 光センサ インターフェイス
        1. 9.2.2.1 設計要件
        2. 9.2.2.2 詳細な設計手順
        3. 9.2.2.3 アプリケーション曲線
    3. 9.3 電源に関する推奨事項
    4. 9.4 レイアウト
      1. 9.4.1 レイアウトのガイドライン
      2. 9.4.2 レイアウト例
  11. 10デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 10.1 デバイス サポート
      1. 10.1.1 開発サポート
    2. 10.2 ドキュメントのサポート
      1. 10.2.1 関連資料
    3. 10.3 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    4. 10.4 サポート・リソース
    5. 10.5 商標
    6. 10.6 静電気放電に関する注意事項
    7. 10.7 用語集
  12. 11改訂履歴
  13. 12メカニカル、パッケージ、および注文情報

6.6 代表的特性

TA = 25°C、VS+ = 2.5V、V S– = -2.5V、VIN+ = 0V、RF = 453Ω、ゲイン = 7V/V、RL = 200Ω、出力負荷は中間電源を基準 (特に記述のない限り)

OPA855 小信号周波数応答とゲインとの関係
VOUT = 100mVPP。回路構成については、セクション 7 を参照してください
図 6-1 小信号周波数応答とゲインとの関係
OPA855 小信号周波数応答と出力負荷との関係
VOUT = 100 mVPP
図 6-3 小信号周波数応答と出力負荷との関係
OPA855 小信号周波数応答と容量性負荷との関係
VOUT = 100mVPP。回路構成については、図 7-3 を参照してください
図 6-5 小信号周波数応答と容量性負荷との関係
OPA855 0.1dB のゲイン フラットネスに対する大信号応答
VOUT = 2 VPP
図 6-7 0.1dB のゲイン フラットネスに対する大信号応答
OPA855 閉ループ出力インピーダンスと周波数との関係
小信号応答
図 6-9 閉ループ出力インピーダンスと周波数との関係
OPA855 電圧ノイズおよび電流ノイズ密度と周波数との関係
 
図 6-11 電圧ノイズおよび電流ノイズ密度と周波数との関係
OPA855 高調波歪み (HD2) と出力スイングとの関係
 
図 6-13 高調波歪み (HD2) と出力スイングとの関係
OPA855 高調波歪み (HD2) と出力電圧との関係
VOUT = 2 VPP
図 6-15 高調波歪み (HD2) と出力電圧との関係
OPA855 高調波歪み (HD2) とゲインとの関係
VOUT = 2 VPP
図 6-17 高調波歪み (HD2) とゲインとの関係
OPA855 小信号過渡応答
立ち上がりおよび立ち下がり時間の平均 (10% ～ 90%) = 300ps、
立ち上がり/立ち下がり時間はテスト機器により制限されます
図 6-19 小信号過渡応答
OPA855 小信号過渡応答と容量性負荷との関係
 
図 6-21 小信号過渡応答と容量性負荷との関係
OPA855 ターンオン過渡応答
 
図 6-23 ターンオン過渡応答
OPA855 同相除去比と周波数との関係
小信号応答
図 6-25 同相除去比と周波数との関係
OPA855 静止電流と電源電圧との関係
3 個の代表的なユニット
図 6-27 静止電流と電源電圧との関係
OPA855 オフセット電圧と電源電圧との関係
3 個の代表的なユニット
図 6-29 オフセット電圧と電源電圧との関係
OPA855 オフセット電圧 対 入力同相電圧
3 個 (代表的なユニット)、VS+ = 5V、VS– = 0V
図 6-31 オフセット電圧 対 入力同相電圧
OPA855 オフセット電圧と出力スイングとの関係
3 個 (代表的なユニット)、VS+ = 5V、VS– = 0V
図 6-33 オフセット電圧と出力スイングとの関係
OPA855 入力バイアス電流と周囲温度との関係
3 個の代表的なユニット
図 6-35 入力バイアス電流と周囲温度との関係
OPA855 出力スイングとシンク電流との関係
VS+ = 5V, VS– = 0V
図 6-37 出力スイングとシンク電流との関係
OPA855 静止時電流の分布
13780 ユニットをテスト、µ = 17.6mA、σ= 0.3mA
図 6-39 静止時電流の分布
OPA855 入力バイアス電流の分布
13780 ユニットをテスト、µ = -11.2µA、σ= 0.6µA
図 6-41 入力バイアス電流の分布
OPA855 小信号周波数応答と電源電圧との関係
VOUT = 100 mVPP
図 6-2 小信号周波数応答と電源電圧との関係
OPA855 小信号周波数応答と周囲温度との関係
ゲイン = 39.2V/V、RF = 953Ω、VOUT = 100mVPP
図 6-4 小信号周波数応答と周囲温度との関係
OPA855 大信号周波数応答とゲインとの関係
VOUT = 2 VPP
図 6-6 大信号周波数応答とゲインとの関係
OPA855 小信号周波数応答と電源電圧との関係
 
図 6-8 小信号周波数応答と電源電圧との関係
OPA855 開ループ振幅および位相と周波数との関係
小信号応答
図 6-10 開ループ振幅および位相と周波数との関係
OPA855 電圧ノイズ密度と周囲温度との関係
周波数 = 10MHz
図 6-12 電圧ノイズ密度と周囲温度との関係
OPA855 高調波歪み (HD3) と出力スイングとの関係
 
図 6-14 高調波歪み (HD3) と出力スイングとの関係
OPA855 高調波歪み (HD3) と出力電圧との関係
VOUT = 2 VPP
図 6-16 高調波歪み (HD3) と出力電圧との関係
OPA855 高調波歪み (HD3) とゲインとの関係
VOUT = 2 VPP
図 6-18 高調波歪み (HD3) とゲインとの関係
OPA855 大信号過渡応答
平均立ち上がりおよび立ち下がり時間 (10% ～ 90%) = 569ps
 
図 6-20 大信号過渡応答
OPA855 出力過負荷応答
2 倍の出力オーバードライブ
図 6-22 出力過負荷応答
OPA855 ターンオフ過渡応答
 
図 6-24 ターンオフ過渡応答
OPA855 電源除去比と周波数との関係
小信号応答
図 6-26 電源除去比と周波数との関係
OPA855 静止電流と周囲温度の関係
 
図 6-28 静止電流と周囲温度の関係
OPA855 オフセット電圧と周囲温度との関係
28 ユニットをテスト、μ= 0.4μV/°C、σ= 0.7μV/°C
図 6-30 オフセット電圧と周囲温度との関係
OPA855 オフセット電圧 対 入力同相電圧
VS+ = 5V, VS– = 0V
図 6-32 オフセット電圧 対 入力同相電圧
OPA855 オフセット電圧と出力スイングとの関係
VS+ = 5V, VS– = 0V
図 6-34 オフセット電圧と出力スイングとの関係
OPA855 入力バイアス電流と入力同相電圧との関係
VS+ = 5V, VS– = 0V
図 6-36 入力バイアス電流と入力同相電圧との関係
OPA855 出力スイングとソース電流との関係
VS+ = 5V, VS– = 0V
図 6-38 出力スイングとソース電流との関係
OPA855 オフセット電圧の分布
13780 ユニットをテスト、µ = -0.2mV、σ = 0.15mV
図 6-40 オフセット電圧の分布
OPA855 入力オフセット電流の分布
13780 ユニットをテスト、µ = 0.04µA、σ= 0.1µA
図 6-42 入力オフセット電流の分布