JAJSFS3D July   2018  – May 2025 OPA855

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特長
  3. アプリケーション
  4. 説明
  5. デバイス比較表
  6. ピン構成および機能
  7. 仕様
    1. 6.1 絶対最大定格
    2. 6.2 ESD 定格
    3. 6.3 推奨動作条件
    4. 6.4 熱に関する情報
    5. 6.5 電気的特性
    6. 6.6 代表的特性
  8. パラメータ測定情報
  9. 詳細説明
    1. 8.1 概要
    2. 8.2 機能ブロック図
    3. 8.3 機能説明
      1. 8.3.1 入力および ESD 保護
      2. 8.3.2 フィードバック ピン
      3. 8.3.3 広いゲイン帯域幅積
      4. 8.3.4 スルーレートと出力段
    4. 8.4 デバイスの機能モード
      1. 8.4.1 分割電源と単一電源動作
      2. 8.4.2 パワーダウン モード
  10. アプリケーションと実装
    1. 9.1 アプリケーション情報
    2. 9.2 代表的なアプリケーション
      1. 9.2.1 光学フロント エンド システム内の TIA を使用したものです
        1. 9.2.1.1 設計要件
        2. 9.2.1.2 詳細な設計手順
        3. 9.2.1.3 アプリケーション曲線
      2. 9.2.2 光センサ インターフェイス
        1. 9.2.2.1 設計要件
        2. 9.2.2.2 詳細な設計手順
        3. 9.2.2.3 アプリケーション曲線
    3. 9.3 電源に関する推奨事項
    4. 9.4 レイアウト
      1. 9.4.1 レイアウトのガイドライン
      2. 9.4.2 レイアウト例
  11. 10デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 10.1 デバイス サポート
      1. 10.1.1 開発サポート
    2. 10.2 ドキュメントのサポート
      1. 10.2.1 関連資料
    3. 10.3 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    4. 10.4 サポート・リソース
    5. 10.5 商標
    6. 10.6 静電気放電に関する注意事項
    7. 10.7 用語集
  12. 11改訂履歴
  13. 12メカニカル、パッケージ、および注文情報

電気的特性

VS+ = 5V、VS– = 0V、G = 7V/V、RF = 453Ω、入力同相電圧が中間電源でバイアスされ、RL = 200Ω、出力負荷は中間電源を基準、TA = 25°C (特に記述のない限り)
パラメータ テスト条件 最小値 標準値 最大値 単位
AC 特性
SSBW 小信号帯域幅 VOUT = 100 mVPP 2.5 GHz
LSBW 大信号帯域幅 VOUT = 2 VPP 850 MHz
GBWP ゲイン帯域幅積 8 GHz
0.1dB 平坦度の帯域幅 200 MHz
SR スルー レート (10%-90%) VOUT = 2-V ステップ 2750 V/μs
tr 立ち上がり時間 VOUT = 100-mV ステップ 0.17 ns
tf 立ち下がり時間 VOUT = 100-mV ステップ 0.17 ns
0.1% までのセトリング タイム VOUT = 2-V ステップ 2.3 ns
0.001% までのセトリング タイム VOUT = 2-V ステップ 2600 ns
オーバーシュートまたはアンダーシュート VOUT = 2-V ステップ 5%
オーバードライブ復帰時間 2 倍の出力オーバードライブ 3 ns
HD2 2 次高調波歪 f = 10MHz、VOUT = 2VPP 90 dBc
f = 100MHz、VOUT = 2VPP 65
HD3 3 次高調波歪 f = 10MHz、VOUT = 2VPP 86 dBc
f = 100MHz、VOUT = 2VPP 74
en 入力換算電圧ノイズ f = 1MHz 0.98 nV/√Hz
ei 入力換算電流ノイズ f = 1MHz 2.5 pA/√Hz
zO 閉ループ出力インピーダンス f = 1MHz 0.15 Ω
DC 特性
AOL 開ループ電圧ゲイン (1) 70 76 dB
VOS 入力オフセット電圧(1) TA = 25℃ -1.5 ±0.2 1.5 mV
ΔVOS/ΔT 入力オフセット電圧ドリフト TA = -40℃~125℃ 0.5 μV/℃
IB 入力バイアス電流(2) TA = 25℃ -18.5 -12 -5 µA
ΔIB/ΔT 入力バイアス電流ドリフト TA = -40℃~+125℃ -0.08 μV/℃
IBOS 入力オフセット電流(1) TA = 25℃ -1 ±0.1 1 µA
ΔIBOS/ΔT 入力オフセット電流ドリフト TA = -40℃~+125℃ 1 nA/℃
CMRR 同相信号除去比(1) VCM = ±0.5V (中間電圧基準) 90 100 dB
入力
同相入力抵抗 2.3
CCM 同相入力キャパシタンス 0.6 pF
差動入力抵抗 5
CDIFF 差動入力容量 0.2 pF
VIH 同相入力範囲 (high)(1) CMRR > 80dB、VS+ = 3.3V 2.7 2.9 V
VIL 同相入力範囲 (low)(1) CMRR > 80dB、VS+ = 3.3V 1.1 1.3 V
VIH 同相入力範囲 (high)(1) CMRR > 80dB 4.4 4.6 V
VIH 同相入力範囲 (high) TA = –40°C ~ +125°C、CMRR > 80dB 4.3 V
VIL 同相入力範囲 (low)(1) CMRR > 80dB 1.1 1.3 V
VIL 同相入力範囲 (low) TA = –40°C ~ +125°C、CMRR > 80dB 1.3 V
出力
VOH 出力電圧 (high)(3) TA = 25°C、VS+ = 3.3V 2.35 2.4 V
VOH 出力電圧 (high)(3) TA = 25℃ 3.95 4.1 V
TA = –40℃~+125℃ 4
VOL 出力電圧 (low)(3) TA = 25°C、VS+ = 3.3V 1.05 1.15 V
VOL 出力電圧 (low)(3) TA = 25℃ 1.05 1.15 V
TA = –40℃~+125℃ 1.1
IO_LIN リニア出力駆動
(シンクおよびソース)(1)
RL = 10Ω、AOL ≥ 60dB 65 80 mA
TA = –40℃ ~ +125℃、RL = 10Ω、AOL > 60dB 70
ISC 出力短絡検出電流(1) 85 105 mA
電源
IQ 静止時電流 16 17.8 19.5 mA
TA = -40℃ 16.7
TA = 125℃ 19.5
PSRR+ 正の電源電圧変動除去比(1) 80 86 dB
PSRR– 負の電源電圧変動除去比(1) 70 80
パワーダウン
電圧スレッショルド無効化 この電圧を下回ると、アンプがオフになります 0.65 1 V
電圧スレッショルド有効化 出力電圧がこの電圧を下回ると、アンプがオンになります 1.5 1.8 V
パワーダウン静止時電流 70 140 μA
PD バイアス電流 70 140 μA
ターンオン時間の遅延 VOUT が最終値の 90% までの時間 15 ns
ターンオフ時間の遅延 120 ns
最小値および最大値の制限値は、ベア ダイには適用されません。
入力ピンに流れ込む電流は負と見なされます。
アンプの出力が飽和した。