JAJSGD9E October   2018  – August 2020 UCC23513

PRODUCTION DATA  

  1. 特長
  2. アプリケーション
  3. 概要
  4. 改訂履歴
  5. ピン構成および機能
    1.     ピン機能
  6. 仕様
    1. 6.1  絶対最大定格
    2. 6.2  ESD 定格
    3. 6.3  推奨動作条件
    4. 6.4  熱に関する情報
    5. 6.5  電力定格
    6. 6.6  の絶縁仕様
    7. 6.7  安全関連認証
    8. 6.8  安全限界値
    9. 6.9  電気的特性
    10. 6.10 スイッチング特性
    11. 6.11 絶縁特性曲線
    12. 6.12 代表的な特性
  7. パラメータ測定情報
    1. 7.1 伝搬遅延、立ち上がり時間と立ち下がり時間
    2. 7.2 IOH と IOL のテスト
    3. 7.3 CMTI テスト
  8. 詳細説明
    1. 8.1 概要
    2. 8.2 機能ブロック図
    3. 8.3 機能説明
      1. 8.3.1 電源
      2. 8.3.2 入力段
      3. 8.3.3 出力段
      4. 8.3.4 保護機能
        1. 8.3.4.1 低電圧誤動作防止 (UVLO)
        2. 8.3.4.2 アクティブ・プルダウン
        3. 8.3.4.3 短絡クランプ
    4. 8.4 デバイスの機能モード
      1. 8.4.1 ESD 構造
  9. アプリケーションと実装
    1. 9.1 アプリケーション情報
    2. 9.2 代表的なアプリケーション
      1. 9.2.1 設計要件
      2. 9.2.2 詳細な設計手順
        1. 9.2.2.1 入力抵抗の選択
        2. 9.2.2.2 ゲート・ドライバの出力抵抗
        3. 9.2.2.3 ゲート・ドライバの電力損失の推定
        4. 9.2.2.4 接合部温度の推定
        5. 9.2.2.5 VCC コンデンサの選択
  10. 10電源に関する推奨事項
  11. 11レイアウト
    1. 11.1 レイアウトのガイドライン
    2. 11.2 レイアウト例
    3. 11.3 PCB 材料
  12. 12メカニカル、パッケージ、および注文情報

入力段

UCC23513 の入力段は e-diode であり、アノード (ピン 1) とカソード (ピン 3) があります。ピン 2 には内部接続がなく、オープンのままにするか、グランドに接続できます。入力段には、電源ピンとグランド・ピンはありません。カソードに対して正の電圧をアノードに印加すると、e-diode が順方向バイアスされ、順方向電流 IF が e-diode に流れます。e-diode の順方向電圧降下は 2.1V (標準値) です。外付け抵抗を使用して、順方向電流を制限する必要があります。順方向電流の推奨範囲は 7mA~16mA です。IF がスレッショルド電流 IFLH (標準値 2.8mA) を超えると、高周波信号が絶縁バリアである高電圧 SiO2 コンデンサを経由して転送されます。HF 信号はレシーバによって検出され、VOUT が High に駆動されます。入力抵抗の選択については、セクション 9.2.2.1 を参照してください。e-diode のダイナミック・インピーダンスは非常に小さく (1.0Ω 未満)、e-diode の順方向電圧降下の温度係数は 1.35mV/℃未満です。これにより、すべての動作条件にわたって順方向電流 IF の安定性が優れたものになります。アノード電圧が VF_HL (0.9V) を下回るか、逆バイアスが印加されると、ゲート・ドライバの出力は Low に駆動されます。e-diode の逆方向ブレークダウン電圧は 15V を超えています。そのため、通常動作では、最大 13V の逆バイアスが許容されます。e-diode の大きな逆方向ブレークダウン電圧により、UCC23513 をインターロック・アーキテクチャで動作させることができます (図 8-3 の例を参照)。この場合、 VSUP は最大 12V になります。適切な入力抵抗を使用することにより、3.3V、5.0V、または最大 12V の PWM 信号ソースを選択して、UCC23513 の入力段を駆動できます。以下の例は、一連の IGBT を駆動する 2 つのゲート・ドライバを示しています。ゲート・ドライバの入力は図に示すように接続され、MCU で制御される 2 つのバッファによって駆動されます。インターロック・アーキテクチャにより、両方の e-diode が同時にオンにならないようにし、IGBT での貫通を防止します。また、両方の PWM 信号が誤って High (または Low) に固着した場合も、両方のゲート・ドライバ出力が Low に駆動されます。

GUID-7542339E-9065-496E-A64C-21142C7A1D86-low.gif図 8-3 インターロック