JAJSQY8A March   2025  – September 2025 TPS7H5020-SEP , TPS7H5020-SP

PRODMIX  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 説明
  5. 4 デバイス比較表
  6. 5 ピン構成および機能
  7. 6 仕様
    1. 6.1 絶対最大定格
    2. 6.2 ESD 定格
    3. 6.3 推奨動作条件
    4. 6.4 熱に関する情報
    5. 6.5 電気的特性
    6. 6.6 品質適合検査
    7. 6.7 代表的特性
  8. 7 詳細説明
    1. 7.1 概要
    2. 7.2 機能ブロック図
    3. 7.3 機能説明
      1. 7.3.1  入力電圧（VIN）および VLDO
      2. 7.3.2  ドライバの入力電圧 (PVIN)
      3. 7.3.3  スタートアップ
      4. 7.3.4  イネーブルおよび低電圧誤動作防止 (UVLO)
      5. 7.3.5  電圧リファレンス
      6. 7.3.6  エラー アンプ
      7. 7.3.7  出力電圧プログラミング
      8. 7.3.8  ソフト スタート (SS)
      9. 7.3.9  スイッチング周波数および外部同期
        1. 7.3.9.1 内部発振器モード
        2. 7.3.9.2 外部同期モード
          1. 7.3.9.2.1 TPS7H5021 との外部同期
      10. 7.3.10 デューティ サイクルの制約
      11. 7.3.11 最小オン時間、最小オフ時間
      12. 7.3.12 パルス スキップ
      13. 7.3.13 リーディング エッジのブランキング時間
      14. 7.3.14 電流センスと PWM 生成（CS_ILIM）
      15. 7.3.15 ゲート ドライバの出力
      16. 7.3.16 電源なしの電圧クランプ
      17. 7.3.17 ソース ドライバのリターン（OUTH_REF）
      18. 7.3.18 勾配補償（RSC）
      19. 7.3.19 周波数補償
      20. 7.3.20 サーマル シャットダウン
    4. 7.4 デバイスの機能モード
  9. 8 アプリケーションと実装
    1. 8.1 アプリケーション情報
    2. 8.2 代表的なアプリケーション
      1. 8.2.1 設計要件
      2. 8.2.2 詳細な設計手順
        1. 8.2.2.1  スイッチング周波数
        2. 8.2.2.2  出力電圧設定用抵抗の選定
        3. 8.2.2.3  ドライバ PVIN 構成
        4. 8.2.2.4  ソフトスタート コンデンサの選択
        5. 8.2.2.5  トランスの設計
        6. 8.2.2.6  1 次側パワー スイッチの選択
        7. 8.2.2.7  出力ダイオードの選択
        8. 8.2.2.8  RCD クランプ
        9. 8.2.2.9  出力容量選択
        10. 8.2.2.10 電流センス抵抗
        11. 8.2.2.11 周波数補償部品の選択
      3. 8.2.3 アプリケーション曲線
      4. 8.2.4 昇圧コンバータ
      5. 8.2.5 ISOS510 を使用するフィードバック絶縁
    3. 8.3 電源に関する推奨事項
    4. 8.4 レイアウト
      1. 8.4.1 レイアウトのガイドライン
      2. 8.4.2 レイアウト例
  10. 9 デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 9.1 ドキュメントのサポート
      1. 9.1.1 関連資料
    2. 9.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 9.3 サポート・リソース
    4. 9.4 商標
    5. 9.5 静電気放電に関する注意事項
    6. 9.6 用語集
  11. 10改訂履歴
  12. 11メカニカル、パッケージ、および注文情報

1 特長

  • 耐放射線性能：
    • 吸収線量 (TID) 100krad(Si)
      までの放射線耐性保証 (RHA)
    • シングル イベント ラッチアップ (SEL)、シングル イベント バーンアウト (SEB)、シングル イベント ゲート ラプチャー (SEGR) 耐性：LET = 75MeV-cm2/mg
    • LET = 75MeV-cm2/mg まで、SET (シングル イベント過渡) および SEFI (シングル イベント機能割り込み) 特性を評価済み
  • コントローラ段とドライバ段の両方で 4.5V ~ 14V の入力電圧範囲
  • 専用ゲート ドライバ電圧入力ピン（PVIN）により、シリコンと GaN 両方のデバイスを駆動
    • 12V における 1.2A のピークソースおよびシンク能力
    • VLDO リニア レギュレータ出力を GaN の駆動用に PVIN へ接続するオプション
    • 4.5V~5.5V のプログラマブル リニア レギュレータ（VLDO）
  • 温度、放射線、ラインおよび負荷レギュレーションの全範囲で 0.6V ±1% の電圧リファレンス
  • スイッチング周波数：100kHz～1MHz
  • 外部クロック同期機能
  • 調整可能なスロープ補償とソフト スタート機能
  • ASTM E595 に準拠したガス排出試験済みのプラスチック パッケージ