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TPS7H5020-SEP

アクティブ

MOSFET または GaN FET を駆動する放射線耐性 100% デューティ サイクル PWM コントローラ

製品詳細

Topology Boost, Flyback, Forward Control mode Peak current mode Features External Sync, GaN support, MOSFET Gate Driver, Programmable Soft-start, Programmable slope compensation Duty cycle (max) (%) 100
Topology Boost, Flyback, Forward Control mode Peak current mode Features External Sync, GaN support, MOSFET Gate Driver, Programmable Soft-start, Programmable slope compensation Duty cycle (max) (%) 100
HTSSOP (PWP) 24 49.92 mm² 7.8 x 6.4
  • 耐放射線性能:
    • 吸収線量 (TID) 100krad(Si) までの放射線耐性保証 (RHA)
    • シングル イベント ラッチアップ (SEL)、シングル イベント バーンアウト (SEB)、シングル イベント ゲート ラプチャー (SEGR) 耐性:LET = 75MeV-cm2/mg
    • LET = 75MeV-cm2/mg まで、SET (シングル イベント過渡) および SEFI (シングル イベント機能割り込み) 特性を評価済み
  • コントローラ段とドライバ段の両方で 4.5V ~ 14V の入力電圧範囲
  • 専用ゲート ドライバ電圧入力ピン(PVIN)により、シリコンと GaN 両方のデバイスを駆動
    • 12V における 1.2A のピークソースおよびシンク能力
    • VLDO リニア レギュレータ出力を GaN の駆動用に PVIN へ接続するオプション
    • 4.5V~5.5V のプログラマブル リニア レギュレータ(VLDO)
  • 温度、放射線、ラインおよび負荷レギュレーションの全範囲で 0.6V ±1% の電圧リファレンス
  • スイッチング周波数:100kHz~1MHz
  • 外部クロック同期機能
  • 調整可能なスロープ補償とソフト スタート機能
  • ASTM E595 に準拠したガス排出試験済みのプラスチック パッケージ
  • 耐放射線性能:
    • 吸収線量 (TID) 100krad(Si) までの放射線耐性保証 (RHA)
    • シングル イベント ラッチアップ (SEL)、シングル イベント バーンアウト (SEB)、シングル イベント ゲート ラプチャー (SEGR) 耐性:LET = 75MeV-cm2/mg
    • LET = 75MeV-cm2/mg まで、SET (シングル イベント過渡) および SEFI (シングル イベント機能割り込み) 特性を評価済み
  • コントローラ段とドライバ段の両方で 4.5V ~ 14V の入力電圧範囲
  • 専用ゲート ドライバ電圧入力ピン(PVIN)により、シリコンと GaN 両方のデバイスを駆動
    • 12V における 1.2A のピークソースおよびシンク能力
    • VLDO リニア レギュレータ出力を GaN の駆動用に PVIN へ接続するオプション
    • 4.5V~5.5V のプログラマブル リニア レギュレータ(VLDO)
  • 温度、放射線、ラインおよび負荷レギュレーションの全範囲で 0.6V ±1% の電圧リファレンス
  • スイッチング周波数:100kHz~1MHz
  • 外部クロック同期機能
  • 調整可能なスロープ補償とソフト スタート機能
  • ASTM E595 に準拠したガス排出試験済みのプラスチック パッケージ

TPS7H502x は放射線耐性を持つ、電流モード単端 PWM コントローラで、ゲートドライバを内蔵しており、シリコンおよび窒化ガリウム (GaN) パワー半導体を用いたコンバータ設計の両方に使用できます。TPS7H502x は、ソフトスタート、イネーブル、調整可能なスロープ補償などのいくつかの主要な機能を統合しながら、コンパクトなパッケージ サイズを維持しています。このコントローラは、0.6V ±1% の電圧リファレンス公差を備えており、高精度なパワー コンバータ設計をサポートします。

TPS7H502x は、SYNC ピンを通じて外部クロックを使用して動作させることも、RT ピンを使用して内部オシレータをユーザーが決定した周波数で設定して動作させることもできます。このデバイスは、最大 1MHz の周波数でスイッチングできます。コントローラのドライバ段は、4.5V から 14V の広い入力電圧範囲を持ち、ピーク ソースおよびシンク電流は最大 1.2A をサポートします。プログラム可能なレギュレータ VLDO は、GaN FET と連携して動作するために、ドライバ ステージ (PVIN) の入力に直接接続して、適切に制御されたゲート電圧を供給することもできます。プログラム可能なレギュレータは、4.5V から 5.5V の電圧範囲を持っています。TPS7H5020 デバイスの最大デューティ サイクルは 100%で、TPS7H5021 の最大デューティ サイクルは 50% です。このコントローラは、フライバック、フォワード、昇圧など、多くの電力コンバータ トポロジをサポートしています。

TPS7H502x は放射線耐性を持つ、電流モード単端 PWM コントローラで、ゲートドライバを内蔵しており、シリコンおよび窒化ガリウム (GaN) パワー半導体を用いたコンバータ設計の両方に使用できます。TPS7H502x は、ソフトスタート、イネーブル、調整可能なスロープ補償などのいくつかの主要な機能を統合しながら、コンパクトなパッケージ サイズを維持しています。このコントローラは、0.6V ±1% の電圧リファレンス公差を備えており、高精度なパワー コンバータ設計をサポートします。

TPS7H502x は、SYNC ピンを通じて外部クロックを使用して動作させることも、RT ピンを使用して内部オシレータをユーザーが決定した周波数で設定して動作させることもできます。このデバイスは、最大 1MHz の周波数でスイッチングできます。コントローラのドライバ段は、4.5V から 14V の広い入力電圧範囲を持ち、ピーク ソースおよびシンク電流は最大 1.2A をサポートします。プログラム可能なレギュレータ VLDO は、GaN FET と連携して動作するために、ドライバ ステージ (PVIN) の入力に直接接続して、適切に制御されたゲート電圧を供給することもできます。プログラム可能なレギュレータは、4.5V から 5.5V の電圧範囲を持っています。TPS7H5020 デバイスの最大デューティ サイクルは 100%で、TPS7H5021 の最大デューティ サイクルは 50% です。このコントローラは、フライバック、フォワード、昇圧など、多くの電力コンバータ トポロジをサポートしています。

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技術資料

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種類 タイトル 最新の英語版をダウンロード 日付
* データシート TPS7H502x-SP および TPS7H502x-SEP 放射線耐性 1MHz 電流モード PWM コントローラ(統合ゲートドライバ付き) データシート (Rev. A 翻訳版) PDF | HTML 最新英語版 (Rev.B) PDF | HTML 2025年 10月 27日
* 放射線と信頼性レポート TPS7H5020-SEP Production Flow and Reliability Report PDF | HTML 2025年 9月 10日
* 放射線と信頼性レポート TPS7H5020-SEP Total Ionizing Dose Report 2025年 9月 5日
* 放射線と信頼性レポート TPS7H5020-SEP and TPS7H5020-SP QMLP Neutron Displacement Damage (NDD) Characterization 2025年 9月 2日
* 放射線と信頼性レポート Single-Event Effects (SEE) Radiation Report of the TPS7H5020-SEP 2025年 8月 25日
証明書 TPS7H5020FLYEVM EU Declaration of Conformity (DoC) 2025年 6月 5日
セレクション・ガイド TI Space Products (Rev. K) 2025年 4月 4日
アプリケーション・ノート Reduce the Risk in Low-Earth Orbit Missions with Space Enhanced Plastic Products (Rev. A) PDF | HTML 2022年 9月 15日
e-Book(PDF) Radiation Handbook for Electronics (Rev. A) 2019年 5月 21日

設計および開発

その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。

評価ボード

TPS7H5020EVM — TPS7H5020-SP 評価基板

TPS7H5020EVMは、ゲートドライバとGaN FETを内蔵した単一のTPS7H5020-SP電流モードPWMコントローラの昇圧構成の動作を提示します。このボードは、追加の部品を実装するためのフットプリントを確保およびテストポイントが備わっており、カスタマイズ構成のテストや性能評価に使用できます。
ユーザー ガイド: PDF | HTML
評価ボード

TPS7H5020FLYEVM — TPS7H5020-SEP と QMLP フライバックの評価基板

TPS7H5020FLYEVM は、フライバック・コンバータ・トポロジ内で GaN FET スイッチング素子を駆動する TPS7H5020-SEP PWM コントローラの動作を提示します。この評価基板 (EVM) にはフレキシビリティがあり、カスタマイズ構成をテストすることができます。複数のテストポイントと追加部品用のフットプリントが用意されており、デバイスの簡単な構成と、性能検証を実行できます。

ユーザー ガイド: PDF | HTML
シミュレーション・モデル

TPS7H502X SIMPLIS Model

SLVMEC6.ZIP (25 KB) - SIMPLIS Model
シミュレーション・モデル

TPS7H502x PSpice Transient Model

SLVMEE9.ZIP (41 KB) - PSpice Model
リファレンス・デザイン

PMP23598 — 宇宙アプリケーション向け、75W、同期整流フォワード コンバータのリファレンス デザイン

このリファレンス デザインは、耐放射線特性の PWM (パルス幅変調) コントローラである TPS7H5020-SEP と、耐放射線特性の 200V GaN ハーフブリッジ ゲートドライバである TPS7H6005-SEP を使用して、高効率の同期フォワード トポロジを実現しています。出力電圧を高精度で直接検出し、広いループ帯域幅を実現するには、PWM コントローラを 2 次側に配置します。ハーフブリッジ ゲートドライバ内にある、容量性絶縁された TX および RX レベル シフタは、PWM 波形を 2 次側から 1 次側に伝達すると同時に、電気的絶縁を維持します。
試験報告書: PDF
リファレンス・デザイン

PMP23546 — バイアス電源向け、2.4W 複数出力 PSR (1 次側レギュレーション) フライバックのリファレンス デザイン

このリファレンス デザインは、1 次側レギュレーション (PSR) フライバックコンバータとして TPS7H5020-SEP を使用しています。入力には、22V ~ 36V の範囲を受け入れ、1 次側グランドを基準とする 12V バイアスを生成し、別のリターンを基準とする 12V 出力を生成します。このリファレンス デザインを使用して、PMP23391 のような絶縁型リファレンス デザインにバイアス電力を供給することができます。この設計では、静止軌道 (GEO) の放射線に適合できるように、コントローラ、ハーフブリッジ ドライバおよび TI 窒化ガリウム電界効果トランジスタ (FET) (...)
試験報告書: PDF
パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
HTSSOP (PWP) 24 Ultra Librarian

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用原材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報:
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

サポートとトレーニング

TI E2E™ フォーラムでは、TI のエンジニアからの技術サポートを提供

コンテンツは、TI 投稿者やコミュニティ投稿者によって「現状のまま」提供されるもので、TI による仕様の追加を意図するものではありません。使用条件をご確認ください。

TI 製品の品質、パッケージ、ご注文に関するお問い合わせは、TI サポートをご覧ください。​​​​​​​​​​​​​​

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