JAJSQZ5C June   2024  – April 2025 TPS7H6005-SEP , TPS7H6005-SP , TPS7H6015-SEP , TPS7H6015-SP , TPS7H6025-SEP , TPS7H6025-SP

PRODMIX  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 説明
  5. 4 デバイス比較表
  6. 5 デバイスのオプション表
  7. 6 ピン構成および機能
  8. 7 仕様
    1. 7.1 絶対最大定格
    2. 7.2 ESD 定格
    3. 7.3 推奨動作条件
    4. 7.4 熱に関する情報
    5. 7.5 電気的特性
    6. 7.6 スイッチング特性
    7. 7.7 品質適合検査
    8. 7.8 代表的特性
  9. 8 詳細説明
    1. 8.1 概要
    2. 8.2 機能ブロック図
    3. 8.3 機能説明
      1. 8.3.1  入力電圧
      2. 8.3.2  リニアレギュレータ動作
      3. 8.3.3  ブートストラップ動作
        1. 8.3.3.1 ブートストラップ充電
        2. 8.3.3.2 ブートストラップ コンデンサ
        3. 8.3.3.3 ブートストラップ ダイオード
        4. 8.3.3.4 ブートストラップ抵抗
      4. 8.3.4  ハイサイドドライバスタートアップ
      5. 8.3.5  未入出力
      6. 8.3.6  デッド タイム
      7. 8.3.7  入力インターロック保護
      8. 8.3.8  低電圧誤動作防止とパワー グッド (PGOOD)
      9. 8.3.9  負の SW 電圧過渡
      10. 8.3.10 レベル シフタ
    4. 8.4 デバイスの機能モード
  10. 9 アプリケーションと実装
    1. 9.1 アプリケーション情報
    2. 9.2 代表的なアプリケーション
      1. 9.2.1 設計要件
      2. 9.2.2 詳細な設計手順
        1. 9.2.2.1 ブートストラップおよびバイパスコンデンサ
        2. 9.2.2.2 ブートストラップダイオード
        3. 9.2.2.3 BP5x オーバーシュートとアンダーシュート
        4. 9.2.2.4 ゲート抵抗
        5. 9.2.2.5 デッド タイム抵抗
        6. 9.2.2.6 ゲート ドライバの損失
      3. 9.2.3 アプリケーション曲線
    3. 9.3 電源に関する推奨事項
    4. 9.4 レイアウト
      1. 9.4.1 レイアウトのガイドライン
      2. 9.4.2 レイアウト例
  11. 10デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 10.1 ドキュメントのサポート
      1. 10.1.1 関連資料
    2. 10.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 10.3 サポート・リソース
    4. 10.4 商標
    5. 10.5 静電気放電に関する注意事項
    6. 10.6 用語集
  12. 11改訂履歴
  13. 12メカニカル、パッケージ、および注文情報

9.2.2.5 デッド タイム抵抗

PWM モードに構成した場合、ゲート駆動では次の 2 つの個別のデッドタイムをプログラミングできます。

  • RLH を使用した LO オフと HO オンの間
  • RHL を使用した HO オフと LO オンの間

選択したデッドタイム値は重要です。これらが、これらの期間中にコンバータで発生する損失に直接影響するからです。デッドタイムは、ハイサイド FET とローサイド FET の間のクロス導通を回避し、GaN FET の第 3 象限導通時間を最小化するように注意深く選択されます。この特定のアプリケーションでは、TDLH と TDHL の両方に対して約 25ns のデッドタイムを目標としました。

式 19. RHL=1.077×TDHL+1.812=1.077×25ns+1.812=28.74kΩ
式 20. RLH=1.064×TDLH-0.630=1.064×25ns-0.630=25.97kΩ

RHL と RLH の両方に30kΩ の抵抗値を採用しました。