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TPS7H6005-SP

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Radiation-hardened, QML-P, 200V half-bridge GaN gate driver

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製品詳細

Bootstrap supply voltage (max) (V) 200 Power switch GaNFET Input supply voltage (min) (V) 10 Input supply voltage (max) (V) 16 Peak output current (A) 1.3 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Space Propagation delay time (µs) 0.035 Rise time (ns) 0.4 Fall time (ns) 4 Iq (mA) 0.5 Input threshold TTL Channel input logic TTL/PWM Features Dead time control, Interlock, Internal LDO Driver configuration Half bridge
Bootstrap supply voltage (max) (V) 200 Power switch GaNFET Input supply voltage (min) (V) 10 Input supply voltage (max) (V) 16 Peak output current (A) 1.3 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Space Propagation delay time (µs) 0.035 Rise time (ns) 0.4 Fall time (ns) 4 Iq (mA) 0.5 Input threshold TTL Channel input logic TTL/PWM Features Dead time control, Interlock, Internal LDO Driver configuration Half bridge
HTSSOP (DCA) 56 113.4 mm² (14 mm × 8.1 mm)
  • 耐放射線性能：
    • 吸収線量 (TID) 100krad(Si) までの放射線耐性保証 (RHA)
    • シングル イベント過渡 (SET)、シングル イベント バーンアウト (SEB)、シングル イベント ゲート ラプチャー (SEGR) の線エネルギー付与 (LET) に対する耐性 = 75MeV-cm2/mg
    • LET = 75MeV-cm2/mg まで、SET (シングル イベント過渡) および SEFI (シングル イベント機能割り込み) 特性を評価済み
  • ピーク ソース電流 1.3A、ピーク シンク電流 2.5A
  • 2 つの動作モード：
    • デッドタイムを調整可能な 1 つの PWM 入力
    • 2 つの独立した入力
  • 独立入力モードで選択可能な入力インターロック保護
  • 分割出力は、ターンオン時間とターンオフ時間を調整可能
  • 独立入力モードでの伝搬遅延 30ns (標準値)
  • 遅延マッチング：5.5ns (標準値)
  • ASTM E595 に準拠したガス排出試験済みのプラスチック パッケージ
  • 軍事用温度範囲 (-55°C～125°C) で利用可能
  • 耐放射線性能：
    • 吸収線量 (TID) 100krad(Si) までの放射線耐性保証 (RHA)
    • シングル イベント過渡 (SET)、シングル イベント バーンアウト (SEB)、シングル イベント ゲート ラプチャー (SEGR) の線エネルギー付与 (LET) に対する耐性 = 75MeV-cm2/mg
    • LET = 75MeV-cm2/mg まで、SET (シングル イベント過渡) および SEFI (シングル イベント機能割り込み) 特性を評価済み
  • ピーク ソース電流 1.3A、ピーク シンク電流 2.5A
  • 2 つの動作モード：
    • デッドタイムを調整可能な 1 つの PWM 入力
    • 2 つの独立した入力
  • 独立入力モードで選択可能な入力インターロック保護
  • 分割出力は、ターンオン時間とターンオフ時間を調整可能
  • 独立入力モードでの伝搬遅延 30ns (標準値)
  • 遅延マッチング：5.5ns (標準値)
  • ASTM E595 に準拠したガス排出試験済みのプラスチック パッケージ
  • 軍事用温度範囲 (-55°C～125°C) で利用可能

TPS7H60x5 シリーズの放射線耐性保証 (RHA) 窒化ガリウム (GaN) 電界効果トランジスタ (FET) ゲート ドライバは、高周波数で高効率の大電流アプリケーション向けに設計されています。このシリーズは、TPS7H6005 (200V 定格)、TPS7H6015 (60V 定格)、TPS7H6025 (22V 定格) で構成されています。いずれのデバイスも 56 ピン HTSSOP プラスチック パッケージを採用しており、QMLP と宇宙用強化プラスチック (SEP) グレードの両方で供給されます。本ドライバは調整可能なデッド タイム機能、30ns の小さい伝搬遅延、5.5ns のハイサイド / ローサイド マッチングを特長としています。また、これらの部品はハイサイド / ローサイド LDO を内蔵しており、電源電圧にかかわらず 5V の駆動電圧を保証します。TPS7H60x5 ドライバには分割ゲート出力があり、出力のターンオンとターンオフの強度を別々に調整可能な柔軟性があります。

TPS7H60x5 ドライバには、独立入力モード (IIM) と PWM モードの 2 つの制御入力モードがあります。IIM では、各出力が専用の入力によって制御されます。PWM モードでは、単一の入力から 2 つの補完的な出力信号が生成され、ユーザーは各エッジについてデッド タイムを調整できます。

また、ゲート ドライバは、独立入力モードでユーザーが構成可能な入力インターロックを提供し、アンチシュート スルー保護を実現します。入力インターロックにより、両方の入力が同時にオンになると、両方の出力をオンにすることはできません。ユーザーは独立入力モードでこの保護をイネーブルまたはディセーブルにするオプションを利用できるため、ドライバをさまざまなコンバータ構成で使用できます。このドライバは、ハーフブリッジとデュアル ローサイドの両方のコンバータ アプリケーションでも使用できます。

TPS7H60x5 シリーズの放射線耐性保証 (RHA) 窒化ガリウム (GaN) 電界効果トランジスタ (FET) ゲート ドライバは、高周波数で高効率の大電流アプリケーション向けに設計されています。このシリーズは、TPS7H6005 (200V 定格)、TPS7H6015 (60V 定格)、TPS7H6025 (22V 定格) で構成されています。いずれのデバイスも 56 ピン HTSSOP プラスチック パッケージを採用しており、QMLP と宇宙用強化プラスチック (SEP) グレードの両方で供給されます。本ドライバは調整可能なデッド タイム機能、30ns の小さい伝搬遅延、5.5ns のハイサイド / ローサイド マッチングを特長としています。また、これらの部品はハイサイド / ローサイド LDO を内蔵しており、電源電圧にかかわらず 5V の駆動電圧を保証します。TPS7H60x5 ドライバには分割ゲート出力があり、出力のターンオンとターンオフの強度を別々に調整可能な柔軟性があります。

TPS7H60x5 ドライバには、独立入力モード (IIM) と PWM モードの 2 つの制御入力モードがあります。IIM では、各出力が専用の入力によって制御されます。PWM モードでは、単一の入力から 2 つの補完的な出力信号が生成され、ユーザーは各エッジについてデッド タイムを調整できます。

また、ゲート ドライバは、独立入力モードでユーザーが構成可能な入力インターロックを提供し、アンチシュート スルー保護を実現します。入力インターロックにより、両方の入力が同時にオンになると、両方の出力をオンにすることはできません。ユーザーは独立入力モードでこの保護をイネーブルまたはディセーブルにするオプションを利用できるため、ドライバをさまざまなコンバータ構成で使用できます。このドライバは、ハーフブリッジとデュアル ローサイドの両方のコンバータ アプリケーションでも使用できます。
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技術資料

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* データシート TPS7H60x5-SP および TPS7H60x5-SEP 放射線耐性保証、ハーフ ブリッジ GaN FET ゲート ドライバ データシート (Rev. C 翻訳版) PDF | HTML 英語版 (Rev.C) PDF | HTML 2025/05/08
* 放射線と信頼性レポート TPS7H6005-SP/-SEP, TPS7H6015-SP/-SEP, TPS7H6025-SP/-SEP Neutron Displacement Damage Characterization Report (Rev. B) 2025/12/05
* 放射線と信頼性レポート TPS7H6005-SP, TPS7H6015-SP, TPS7H6025-SP Single-Event Effects (SEE) Report PDF | HTML 2025/02/27
* 放射線と信頼性レポート TPS7H6005-SP Total Ionizing Dose (TID) Preliminary Report 2024/07/16
セレクション・ガイド TI Space Products (Rev. L) 2026/03/27
アプリケーション概要 QML 製品に対する DLA 承認済みの最適化内容 (Rev. C 翻訳版) PDF | HTML 英語版 (Rev.C) PDF | HTML 2025/08/18
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技術記事 次世代衛星の電力システムにおける SWaP の最適化方法 (Rev. A 翻訳版) PDF | HTML 英語版 (Rev.A) PDF | HTML 2025/03/20
アプリケーション・ノート QML flow, its importance, and obtaining lot information (Rev. C) 2023/08/30
アプリケーション・ノート Single-Event Effects Confidence Interval Calculations (Rev. A) PDF | HTML 2022/10/19
アプリケーション・ノート DLA Standard Microcircuit Drawings (SMD) and JAN Part Numbers Primer 2020/08/21
e-Book（PDF） Radiation Handbook for Electronics (Rev. A) 2019/05/21

設計と開発

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評価ボード

TPS7H6005EVM — TPS7H6005-SEP 評価基板

TPS7H6005 の評価基板は、TPS7H6005-SEP ゲート ドライバの動作を提示します。デフォルトでは、この評価基板は TPS7H60XX-SP デバイスの PWM モードとの組み合わせで動作するように設定済みです。このモードでは、1 つのスイッチング信号の入力を受け入れ、補完信号を内部生成します。この設定を、このデバイスの IIM モード (独立入力モード) に変更することもできます。こちらのモードでは 2 つの出力が互いに独立して動作します。

ユーザー ガイド: PDF | HTML
サポート対象の製品とハードウェア
在庫あり
制限：
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入手不可
シミュレーション・モデル

TPS7H60x3-SP PSpice Transient Model

SNOM790.ZIP (46 KB) - PSpice モデル
サポート対象の製品とハードウェア
シミュレーション・モデル

TPS7H60x3/TPS7H60x5 SIMPLIS Model

SNOM811.ZIP (22 KB) - SIMPLIS モデル
サポート対象の製品とハードウェア
リファレンス・デザイン

PMP23598 — 宇宙アプリケーション向け、75W、同期整流フォワード コンバータのリファレンス デザイン

このリファレンス デザインは、耐放射線特性の PWM (パルス幅変調) コントローラである TPS7H5020-SEP と、耐放射線特性の 200V GaN ハーフブリッジ ゲートドライバである TPS7H6005-SEP を使用して、高効率の同期フォワード トポロジを実現しています。出力電圧を高精度で直接検出し、広いループ帯域幅を実現するには、PWM コントローラを 2 次側に配置します。ハーフブリッジ ゲートドライバ内にある、容量性絶縁された TX および RX レベル シフタは、PWM 波形を 2 次側から 1 次側に伝達すると同時に、電気的絶縁を維持します。

サポート対象の製品とハードウェア
パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
HTSSOP (DCA) 56 Ultra Librarian
TI の評価基板に関する標準契約約款が適用されます。

購入と品質

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。

サポートとトレーニング

TI E2E™ フォーラムでは、TI のエンジニアからの技術サポートを提供

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コンテンツは、TI 投稿者やコミュニティ投稿者によって「現状のまま」提供されるもので、TI による仕様の追加を意図するものではありません。使用条件をご確認ください。

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