JAJSWK7C March   2013  – May 2025 LMT90

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 説明
  5. 4 デバイスの比較
  6. 5 ピン構成および機能
  7. 6 仕様
    1. 6.1 絶対最大定格
    2. 6.2 ESD 定格
    3. 6.3 推奨動作条件
    4. 6.4 熱に関する情報
    5. 6.5 電気的特性
    6. 6.6 代表的特性
  8. 7 詳細説明
    1. 7.1 概要
    2. 7.2 機能ブロック図
    3. 7.3 機能説明
      1. 7.3.1 LMT90 の伝達関数
    4. 7.4 デバイスの機能モード
  9. 8 アプリケーションと実装
    1. 8.1 アプリケーション情報
    2. 8.2 代表的なアプリケーション
      1. 8.2.1 全範囲の摂氏温度センサ
        1. 8.2.1.1 設計要件
        2. 8.2.1.2 詳細な設計手順
          1. 8.2.1.2.1 容量性負荷
        3. 8.2.1.3 アプリケーション曲線
    3. 8.3 システム例
    4. 8.4 電源に関する推奨事項
    5. 8.5 レイアウト
      1. 8.5.1 レイアウトのガイドライン
      2. 8.5.2 レイアウト例
      3. 8.5.3 熱に関する注意事項
  10. 9 デバイスおよびドキュメントのサポート
    1.     関連資料
    2. 9.1 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 9.2 サポート・リソース
    4. 9.3 商標
    5. 9.4 静電気放電に関する注意事項
    6. 9.5 用語集
  11. 10改訂履歴
  12. 11メカニカル、パッケージ、および注文情報

6.4 熱に関する情報

熱評価基準(1) LMT90 単位
DBZ (SOT-23)
3 ピン
従来のチップ 新しいチップ
RθJA 接合部から周囲への熱抵抗 450 240.6 ℃/W
RθJC(top) 接合部からケース (上面) への熱抵抗 - 144.5 ℃/W
RθJB 接合部から基板への熱抵抗 - 72.3 ℃/W
ψJT 接合部から上面への特性パラメータ - 28.7 ℃/W
ψJB 接合部から基板への特性パラメータ - 71.7 ℃/W
RθJC(bot) 接合部からケース (底面) への熱抵抗 - - ℃/W
(1) 従来および最新の熱評価基準の詳細については、『半導体および IC パッケージの熱評価基準』アプリケーション ノートを参照してください。