JAJSX37 August   2025 ISO6420 , ISO6421

ADVANCE INFORMATION  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 説明
  5. 4 デバイスの比較
  6. 5 ピン構成および機能
  7. 6 仕様
    1. 6.1  絶対最大定格
    2. 6.2  ESD 定格
    3. 6.3  推奨動作条件
    4. 6.4  熱に関する情報
    5. 6.5  電力定格
    6. 6.6  安全関連認証
    7. 6.7  安全限界値
    8. 6.8  電気的特性 — 5V 電源
    9. 6.9  電源電流特性 — 5V 電源
    10. 6.10 電気的特性 — 3.3V 電源
    11. 6.11 電源電流特性 — 3.3V 電源
    12. 6.12 電気的特性 — 2.5V 電源 
    13. 6.13 電源電流特性 — 2.5V 電源
    14. 6.14 スイッチング特性 — 5V 電源
    15. 6.15 スイッチング特性 — 3.3V 電源
    16. 6.16 スイッチング特性 — 2.5V 電源
    17. 6.17 絶縁特性曲線
  8. 7 パラメータ測定情報
  9. 8 詳細説明
    1. 8.1 概要
    2. 8.2 機能ブロック図
    3. 8.3 機能説明
      1. 8.3.1 電磁両立性 (EMC) に関する検討事項
    4. 8.4 デバイスの機能モード
    5. 8.5 デバイス I/O 回路図
      1. 8.5.1 過電圧に耐性を持つ入力
  10. 9 アプリケーションと実装
    1. 9.1 アプリケーション情報
    2. 9.2 代表的なアプリケーション
      1. 9.2.1 設計要件
      2. 9.2.2 詳細な設計手順
      3. 9.2.3 アプリケーション曲線
    3. 9.3 電源に関する推奨事項
    4. 9.4 レイアウト
      1. 9.4.1 レイアウトガイドライン
      2. 9.4.2 レイアウト例
  11. 10デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 10.1 ドキュメントのサポート
      1. 10.1.1 関連ドキュメント
    2. 10.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 10.3 サポート・リソース
    4. 10.4 商標
    5. 10.5 静電気放電に関する注意事項
    6. 10.6 用語集
  12. 11改訂履歴
  13. 12メカニカル、パッケージ、および注文情報
    1.     54
    2.     55

4 デバイスの比較

表 4-1 デバイス比較表
型番 合計チャネル数 逆方向チャネル数 デフォルト出力 パッケージ 沿面距離 VDE 定格 UL VISO CMTI
ISO6420DR 2 0 High SOIC (D-8) >4mm 基本 2500VRMS 標準値 ±125kV/μs
ISO6420FDR Low
ISO6421DR 1 High
ISO6421FDR Low
ISO6420DWVR 2 0 High ワイド SOIC (DWV-8) >8.5mm 強化 5000VRMS 標準値 ±250kV/μs
ISO6420FDWVR Low
ISO6421DWVR 1 High
ISO6421FDWVR Low
ISO6420 ISO6421 デバイスの命名規則 図 4-1 デバイスの命名規則