ゲート抵抗 RON および ROFF は、寄生インダクタンスおよび寄生容量によって引き起こされるリンギングを抑制し、同時にゲート ドライバから出力される電流を制限するように設定されています。 この設計では、3Ω の RON と 1Ω の ROFF 抵抗が選択されています。
- RON/ROFF:外付けゲート抵抗
- VBOOT:外部ブートストラップ ダイオードの順方向電圧降下
- VGDF:外部逆並列ダイオードの順方向電圧降下
- ROL/ROH:データシートに記載されているゲート ドライバのプルダウン/プルアップ抵抗
- RNMOS:ハイブリッド構造におけるプルアップ NMOS の実効抵抗
- RG_int:パワー トランジスタの内部ゲート抵抗 (パワー トランジスタのデータシートを参照)
最大 HO 駆動電流 (IHO(src)):
式 8.
最大 HO シンク電流 (IHO(sk)):
式 9.
最大 LO 駆動電流 (ILO(src)):
式 10.
最大 LO シンク電流 (ILO(sk)):
式 11.
外部ゲート ドライバ抵抗 RON および ROFF は以下の目的に使われます。
- ゲート駆動ループ内の寄生インダクタンス/容量に起因するリンギングの制限
- 高電圧 / 電流スイッチングの dV/dt、dI/dt、ボディ ダイオードの逆方向回復に起因するリンギングの制限。
- ゲート駆動強度 (ピーク シンクおよびソース電流など) の微調整によるスイッチング損失の最適化
- スイッチングに関連する電磁干渉 (EMI) を低減します。