JAJSXI8A September   2025  – November 2025 UCC27834 , UCC27884

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特長
  3. アプリケーション
  4. 説明
  5. ピン構成および機能
  6. 仕様
    1. 5.1 絶対最大定格
    2. 5.2 ESD 定格
    3. 5.3 推奨動作条件
    4. 5.4 熱に関する情報
    5. 5.5 電気的特性
    6. 5.6 動的な電気的特性
    7. 5.7 タイミング図
    8. 5.8 代表的特性
  7. 詳細説明
    1. 6.1 概要
    2. 6.2 機能ブロック図
    3. 6.3 機能説明
      1. 6.3.1 入力段とインターロック
      2. 6.3.2 低電圧誤動作防止 (UVLO)
      3. 6.3.3 レベル シフタ
      4. 6.3.4 出力ステージ
      5. 6.3.5 低伝搬遅延とタイトにマッチングされた出力
      6. 6.3.6 HS ノード dV/dt
      7. 6.3.7 負の HS 電圧条件での動作
    4. 6.4 デバイスの機能モード
      1. 6.4.1 入力および出力論理表
      2. 6.4.2 100% デューティサイクル条件での動作
  8. アプリケーションと実装
    1. 7.1 アプリケーション情報
    2. 7.2 代表的なアプリケーション
      1. 7.2.1 設計要件
      2. 7.2.2 詳細な設計手順
        1. 7.2.2.1 HI および LI ローパスフィルタ部品の選択 (RHI、RLI、CHI、CLI)
        2. 7.2.2.2 ブートストラップ コンデンサ CBOOT の選定
        3. 7.2.2.3 VDD バイパスコンデンサ (C VDD) の選択
        4. 7.2.2.4 ブートストラップ抵抗 (RBOOT) の選択
        5. 7.2.2.5 ゲート抵抗 RON/ROFF の選択
        6. 7.2.2.6 ブートストラップ ダイオードの選定
        7. 7.2.2.7 UCC278X4 の電力損失の推定
      3. 7.2.3 アプリケーション曲線
    3. 7.3 電源に関する推奨事項
    4. 7.4 レイアウト
      1. 7.4.1 レイアウトのガイドライン
      2. 7.4.2 レイアウト例
  9. デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 8.1 デバイス サポート
      1. 8.1.1 サード・パーティ製品に関する免責事項
    2. 8.2 ドキュメントのサポート
      1. 8.2.1 関連資料
    3. 8.3 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    4. 8.4 サポート・リソース
    5. 8.5 商標
    6. 8.6 静電気放電に関する注意事項
    7. 8.7 用語集
  10. 改訂履歴
  11. 10メカニカル、パッケージ、および注文情報

ゲート抵抗 RON/ROFF の選択

ゲート抵抗 RON および ROFF は、寄生インダクタンスおよび寄生容量によって引き起こされるリンギングを抑制し、同時にゲート ドライバから出力される電流を制限するように設定されています。  この設計では、3Ω の RON と 1Ω の ROFF 抵抗が選択されています。

  • RON/ROFF:外付けゲート抵抗
  • VBOOT:外部ブートストラップ ダイオードの順方向電圧降下
  • VGDF:外部逆並列ダイオードの順方向電圧降下
  • ROL/ROH:データシートに記載されているゲート ドライバのプルダウン/プルアップ抵抗
  • RNMOS:ハイブリッド構造におけるプルアップ NMOS の実効抵抗
  • RG_int:パワー トランジスタの内部ゲート抵抗 (パワー トランジスタのデータシートを参照)

最大 HO 駆動電流 (IHO(src)):

式 8. I H O s r c = m i n 3.5 A ,   V D D - V B O O T R N M O S R O H + R O N + R G _ i n t =   15   V - 0.6   V 3.1   12.6   + 3   + 3.3     1.6   A

最大 HO シンク電流 (IHO(sk)):

式 9. I H O s k = m i n 4 A ,   V D D - V B O O T - V G D F R O L + R O N R O F F + R G _ i n t =   15   V - 0.6   V - 0.6   V 1   + 3   1   + 3.3     2.7   A

最大 LO 駆動電流 (ILO(src)):

式 10. I L O s r c = m i n 3.5 A , V D D R N M O S R O H + R O N + R G _ i n t =   15   V 3.1   12.6   + 3   + 3.3     1.7   A

最大 LO シンク電流 (ILO(sk)):

式 11. I L O s k = m i n 4 A ,   V D D - V G D F R O L + R O N R O F F + R G _ i n t =   15   V - 0.6   V 1   + 3   1   + 3.3     2.9   A

外部ゲート ドライバ抵抗 RON および ROFF は以下の目的に使われます。

  1. ゲート駆動ループ内の寄生インダクタンス/容量に起因するリンギングの制限
  2. 高電圧 / 電流スイッチングの dV/dt、dI/dt、ボディ ダイオードの逆方向回復に起因するリンギングの制限。
  3. ゲート駆動強度 (ピーク シンクおよびソース電流など) の微調整によるスイッチング損失の最適化
  4. スイッチングに関連する電磁干渉 (EMI) を低減します。