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UCC27834

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230V、4A、ハーフブリッジ ゲート ドライバ (8V UVLO およびインターロック搭載)

製品詳細

Bootstrap supply voltage (max) (V) 230 Power switch IGBT, MOSFET Input supply voltage (min) (V) 8.5 Input supply voltage (max) (V) 20 Peak output current (A) 4 Operating temperature range (°C) -40 to 150 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Catalog Propagation delay time (µs) 0.029 Rise time (ns) 7.5 Fall time (ns) 6.5 Switch node voltage (V) -23 Features Interlock
Bootstrap supply voltage (max) (V) 230 Power switch IGBT, MOSFET Input supply voltage (min) (V) 8.5 Input supply voltage (max) (V) 20 Peak output current (A) 4 Operating temperature range (°C) -40 to 150 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Catalog Propagation delay time (µs) 0.029 Rise time (ns) 7.5 Fall time (ns) 6.5 Switch node voltage (V) -23 Features Interlock
SOIC (D) 8 29.4 mm² (4.9 mm × 6 mm)
  • インターロック (UCC27834) またはインターロックなし (UCC27884) 付きのハイサイド / ローサイドドライバ用のデュアル独立入力
  • 最大ブートストラップ電圧:+230V (HB ピン)
  • VDD バイアスの推奨範囲:8.5V ~ 20V
  • ピーク出力電流3.5A ソース、4A シンク
  • 小さい伝搬遅延時間:29ns (標準値)
  • HO/LO 間でのタイトな伝搬遅延マッチング:< 5ns (最大値)
  • dV/dt 耐性:100V/ns
  • 低静止電源電流消費
    • VDD での 150µA (標準値)
    • HB での 90µA (標準値)
  • ハイサイドとローサイドの両チャネルに UVLO 保護機能を内蔵:8V
  • ブートストラップ動作用に設計されたフローティング チャネル
  • 標準 SOIC-8 パッケージで利用可能
  • すべてのパラメータは、温度範囲全体にわたって規定済み:–40°C ~ +150°C
  • インターロック (UCC27834) またはインターロックなし (UCC27884) 付きのハイサイド / ローサイドドライバ用のデュアル独立入力
  • 最大ブートストラップ電圧:+230V (HB ピン)
  • VDD バイアスの推奨範囲:8.5V ~ 20V
  • ピーク出力電流3.5A ソース、4A シンク
  • 小さい伝搬遅延時間:29ns (標準値)
  • HO/LO 間でのタイトな伝搬遅延マッチング:< 5ns (最大値)
  • dV/dt 耐性:100V/ns
  • 低静止電源電流消費
    • VDD での 150µA (標準値)
    • HB での 90µA (標準値)
  • ハイサイドとローサイドの両チャネルに UVLO 保護機能を内蔵:8V
  • ブートストラップ動作用に設計されたフローティング チャネル
  • 標準 SOIC-8 パッケージで利用可能
  • すべてのパラメータは、温度範囲全体にわたって規定済み:–40°C ~ +150°C

UCC278X4 は、230V のハーフブリッジ ゲート ドライバで、ソース 3.5A、シンク 4A の電流能力を持ち、パワー MOSFET を駆動するよう設計されています。デバイスは、1つのグランド基準チャネル (LO) と、ブートストラップ電源ブリッジ構成の MOSFET を駆動するよう設計された1つのフローティング チャネル (HO) から構成されています。このデバイスは、高速伝搬遅延と、両チャネル間の遅延マッチングに優れています。UCC278X4 は、8.5V ~ 20V の幅広い VDD 動作電圧を許容してより広範囲のゲート電圧駆動をサポートし、ローサイド (VDD) およびハイサイド (HB) バイアス電源の UVLO 保護も実現します。UCC27834 にはインターロック機能オプションが含まれており、両方の出力が同時にオンになるのを防ぎます

このデバイスは、堅牢な駆動能力を備え、高い dV/dt 許容誤差 (100V/ns) と、スイッチノード (HS) における広い負の過渡安全動作領域 (NTSOA) など、非常に優れたノイズおよび過渡耐性を備えています。UCC278X4 は、SOIC-8 ピン パッケージで提供され、–40℃~150℃の温度範囲で動作するよう設計されています。

UCC278X4 は、230V のハーフブリッジ ゲート ドライバで、ソース 3.5A、シンク 4A の電流能力を持ち、パワー MOSFET を駆動するよう設計されています。デバイスは、1つのグランド基準チャネル (LO) と、ブートストラップ電源ブリッジ構成の MOSFET を駆動するよう設計された1つのフローティング チャネル (HO) から構成されています。このデバイスは、高速伝搬遅延と、両チャネル間の遅延マッチングに優れています。UCC278X4 は、8.5V ~ 20V の幅広い VDD 動作電圧を許容してより広範囲のゲート電圧駆動をサポートし、ローサイド (VDD) およびハイサイド (HB) バイアス電源の UVLO 保護も実現します。UCC27834 にはインターロック機能オプションが含まれており、両方の出力が同時にオンになるのを防ぎます

このデバイスは、堅牢な駆動能力を備え、高い dV/dt 許容誤差 (100V/ns) と、スイッチノード (HS) における広い負の過渡安全動作領域 (NTSOA) など、非常に優れたノイズおよび過渡耐性を備えています。UCC278X4 は、SOIC-8 ピン パッケージで提供され、–40℃~150℃の温度範囲で動作するよう設計されています。

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技術資料

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* データシート UCC278X4 高速、230V ハーフ ブリッジ ドライバ、3.5A、4A 駆動力、最大 100V/ns のノイズ耐性 データシート (Rev. A 翻訳版) PDF | HTML 英語版 (Rev.A) PDF | HTML 2025/11/18
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設計と開発

その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。

評価ボード

UCC27288EVM — UCC27288 100V、3A、8V、UVLO ハーフブリッジ ゲートドライバの評価基板

UCC27288EVM は、2.5A のピークソース電流と 3.5A のピークシンク電流の能力を実現した 100V ハーフ ブリッジ ゲート ドライバである UCC27288D を評価する目的で設計してあります。この EVM は、最大 20V のドライブ電圧に対応する各種パワー MOSFET を駆動するリファレンス デザインの役割を果たします。
ユーザー ガイド: PDF
サポート対象の製品とハードウェア
在庫あり
制限:
??asset.out-of-stock-ti_ja_JP??
入手不可
計算ツール

UCC278X4-CALC — UCC278x4 Schematic Review Template

UCC278x4 Schematic Review Template
サポート対象の製品とハードウェア
リファレンス・デザイン

TIDA-010990 — Pack-level electrochemical impedance spectroscopy (EIS) excitation reference design

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パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
SOIC (D) 8 Ultra Librarian

購入と品質

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