JAJSXQ9 December   2025 TRF0213-SEP

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 説明
  5. 4 ピン構成および機能
  6. 5 仕様
    1. 5.1 絶対最大定格
    2. 5.2 ESD 定格
    3. 5.3 推奨動作条件
    4. 5.4 熱に関する情報
    5. 5.5 電気的特性
    6. 5.6 代表的特性
  7. 6 詳細説明
    1. 6.1 概要
    2. 6.2 機能ブロック図
    3. 6.3 機能説明
      1. 6.3.1 シングルエンド入力 / 差動出力アンプ
      2. 6.3.2 単一電源動作
    4. 6.4 デバイスの機能モード
      1. 6.4.1 パワーダウン モード
  8. 7 アプリケーションと実装
    1. 7.1 アプリケーション情報
      1. 7.1.1 高速 ADC の駆動
      2. 7.1.2 出力電圧スイングの計算
      3. 7.1.3 熱に関する注意事項
    2. 7.2 代表的なアプリケーション
      1. 7.2.1 TRF0213-SEP 受信チェーン内
        1. 7.2.1.1 設計要件
        2. 7.2.1.2 詳細な設計手順
        3. 7.2.1.3 アプリケーション曲線
    3. 7.3 電源に関する推奨事項
    4. 7.4 レイアウト
      1. 7.4.1 レイアウトのガイドライン
      2. 7.4.2 レイアウト例
  9. 8 デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 8.1 サポート・リソース
    2. 8.2 デバイス サポート
      1. 8.2.1 サード・パーティ製品に関する免責事項
    3. 8.3 ドキュメントのサポート
      1. 8.3.1 関連資料
    4. 8.4 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    5. 8.5 商標
    6. 8.6 静電気放電に関する注意事項
    7. 8.7 用語集
  10. 9 改訂履歴
  11. 10メカニカル、パッケージ、および注文情報

5.6 代表的特性

T A = 25°C、温度曲線は周囲温度、V DD = 5V、入力および出力に 100nF の AC カップリングコンデンサ、50Ω シングルエンド入力、100Ω 差動出力 (特に記述のない限り)

TRF0213-SEP 温度範囲全体でのパワー ゲイン
PIN = –20dBm (すべての励起ポートに 50Ω のソース)、
非励起ポートは 50Ω で終端されます
図 5-1 温度範囲全体でのパワー ゲイン
TRF0213-SEP 温度範囲全体にわたる入力リターン 損失
PIN = –20dBm (すべての励起ポートに 50Ω のソース)、
非励起ポートは 50Ω で終端されます
図 5-3 温度範囲全体にわたる入力リターン 損失
TRF0213-SEP 温度範囲全体での逆絶縁
PIN = –20dBm (すべての励起ポートに 50Ω のソース)、
非励起ポートは 50Ω で終端されます
図 5-5 温度範囲全体での逆絶縁
TRF0213-SEP 温度範囲全体での出力リターン 損失
PIN = –20dBm (すべての励起ポートに 50Ω のソース)、
非励起ポートは 50Ω で終端されます
図 5-7 温度範囲全体での出力リターン 損失
TRF0213-SEP 動作温度範囲での OIP3
PO/トーン = –5dBm、10MHz トーン間隔
図 5-9 動作温度範囲での OIP3
TRF0213-SEP OIP3 出力電力範囲
10MHz のトーン間隔
図 5-11 OIP3 出力電力範囲
TRF0213-SEP 全温度範囲で IMD3 低い
(2f1-f2) 周波数、f1 < f2、PO/トーン = –5dBm、
10MHz トーン間隔
図 5-13 全温度範囲で IMD3 低い
TRF0213-SEP 全温度範囲で IMD3 高い
(2f2-f1) 周波数、f1 < f2、PO/トーン = –5dBm、
10MHz トーン間隔
図 5-15 全温度範囲で IMD3 高い
TRF0213-SEP 出力電力全体で IMD3 低い
(2f1-f2) 周波数、f1 < f2、
10MHz トーン間隔
図 5-17 出力電力全体で IMD3 低い
TRF0213-SEP 全温度範囲で OIP2 低い
(f2-f1) 周波数、f2 > f1、PO/トーン = –5dBm、
10MHz トーン間隔
図 5-19 全温度範囲で OIP2 低い
TRF0213-SEP 全温度範囲で OIP2 高い
(f2+f1) 周波数、f2 > f1、PO/トーン = –5dBm、
10MHz トーン間隔
図 5-21 全温度範囲で OIP2 高い
TRF0213-SEP 全温度範囲で IMD2 低い
(f2-f1) 周波数、f2 > f1、PO/トーン = –5dBm、
10MHz トーン間隔
図 5-23 全温度範囲で IMD2 低い
TRF0213-SEP 全温度範囲で IMD2 高い
(f2+f1) 周波数、f2 > f1、PO/トーン = –5dBm、
10MHz トーン間隔
図 5-25 全温度範囲で IMD2 高い
TRF0213-SEP 出力電力全体での IMD2 の低減
(f2-f1) 周波数、f2 > f1、
10MHz トーン間隔
図 5-27 出力電力全体での IMD2 の低減
TRF0213-SEP 動作温度範囲での HD2
PO = +3dBm
図 5-29 動作温度範囲での HD2
TRF0213-SEP 動作温度範囲での HD3
PO = +3dBm
図 5-31 動作温度範囲での HD3
TRF0213-SEP HD2 出力電力範囲
 
図 5-33 HD2 出力電力範囲
TRF0213-SEP 温度範囲全体での出力 P1dB
 
図 5-35 温度範囲全体での出力 P1dB
TRF0213-SEP 温度範囲全体での NF
 
図 5-37 温度範囲全体での NF
TRF0213-SEP 温度範囲全体でのゲイン不均衡
 
図 5-39 温度範囲全体でのゲイン不均衡
TRF0213-SEP 温度範囲全体での位相不均衡
 
図 5-41 温度範囲全体での位相不均衡
TRF0213-SEP 温度範囲全体での CMRR
 
図 5-43 温度範囲全体での CMRR
TRF0213-SEP 入力電力に対する出力電力
 
図 5-45 入力電力に対する出力電力
TRF0213-SEP オーバー ドライブ復帰応答
 
図 5-47 オーバー ドライブ復帰応答
TRF0213-SEP ターンオン時間
 
図 5-49 ターンオン時間
TRF0213-SEP 付加 (残留) 位相ノイズ
f = 1GHz、PO = 10dBm
図 5-51 付加 (残留) 位相ノイズ
TRF0213-SEP VDD にわたるパワー ゲイン
PIN = –20dBm (すべての励起ポートに 50Ω のソース)、
非励起ポートは 50Ω で終端されます
図 5-2 VDD にわたるパワー ゲイン
TRF0213-SEP VDD 範囲における入力リターン損失
PIN = –20dBm (すべての励起ポートに 50Ω のソース)、
非励起ポートは 50Ω で終端されます
図 5-4 VDD 範囲における入力リターン損失
TRF0213-SEP VDD 全体での逆絶縁
PIN = –20dBm (すべての励起ポートに 50Ω のソース)、
非励起ポートは 50Ω で終端されます
図 5-6 VDD 全体での逆絶縁
TRF0213-SEP VDD 範囲における出リターン力損失
PIN = –20dBm (すべての励起ポートに 50Ω のソース)、
非励起ポートは 50Ω で終端されます
図 5-8 VDD 範囲における出リターン力損失
TRF0213-SEP VDD 全体での OIP3
PO/トーン = –5dBm、10MHz トーン間隔
図 5-10 VDD 全体での OIP3
TRF0213-SEP OIP3 トーン間隔全体
PO /トーン = 5dBm
図 5-12 OIP3 トーン間隔全体
TRF0213-SEP VDD 全体で IMD3 低い
(2f1-f2) 周波数、f1 < f2、PO/トーン = –5dBm、
10MHz トーン間隔
図 5-14 VDD 全体で IMD3 低い
TRF0213-SEP VDD 全体で IMD3 高い
(2f2-f1) 周波数、f1 < f2、PO/トーン = –5dBm、
10MHz トーン間隔
図 5-16 VDD 全体で IMD3 高い
TRF0213-SEP 出力電力全体で IMD3 高い
(2f2-f1) 周波数、f1 < f2、
10MHz トーン間隔
図 5-18 出力電力全体で IMD3 高い
TRF0213-SEP VDD 全体で OIP2 低い
(f2-f1) 周波数、f2 > f1、PO/トーン = –5dBm、
10MHz トーン間隔
図 5-20 VDD 全体で OIP2 低い
TRF0213-SEP VDD 全体で OIP2 高い
(f2+f1) 周波数、f2 > f1、PO/トーン = –5dBm、
10MHz トーン間隔
図 5-22 VDD 全体で OIP2 高い
TRF0213-SEP VDD 全体で IMD2 低い
(f2-f1) 周波数、f2 > f1、PO/トーン = –5dBm、
10MHz トーン間隔
図 5-24 VDD 全体で IMD2 低い
TRF0213-SEP VDD 全体で IMD2 高い
(f2+f1) 周波数、f2 > f1、PO/トーン = –5dBm、
10MHz トーン間隔
図 5-26 VDD 全体で IMD2 高い
TRF0213-SEP 出力電力全体で IMD2 高い
(f2+f1) 周波数、f2 > f1、
10MHz トーン間隔
図 5-28 出力電力全体で IMD2 高い
TRF0213-SEP VDD 全体での HD2
PO = +3dBm
図 5-30 VDD 全体での HD2
TRF0213-SEP VDD 全体での HD3
PO = +3dBm
図 5-32 VDD 全体での HD3
TRF0213-SEP HD3 出力電力範囲
 
図 5-34 HD3 出力電力範囲
TRF0213-SEP VDD 全体での出力 P1dB
 
図 5-36 VDD 全体での出力 P1dB
TRF0213-SEP VDD　全体での NF
 
図 5-38 VDD　全体での NF
TRF0213-SEP VDD全体でのゲイン不均衡
 
図 5-40 VDD全体でのゲイン不均衡
TRF0213-SEP VDD全体での 位相不均衡
 
図 5-42 VDD全体での 位相不均衡
TRF0213-SEP VDD　全体での CMRR
 
図 5-44 VDD　全体での CMRR
TRF0213-SEP 低周波数ゲイン応答
AC カップリング コンデンサの関数としての低周波カットオフ
図 5-46 低周波数ゲイン応答
TRF0213-SEP ステップ応答
VO = 1VPP
図 5-48 ステップ応答
TRF0213-SEP ターンオフ時間
 
図 5-50 ターンオフ時間