5 課題 2：負荷過渡中の誤ったゲート ターンオフ

Cdv/dt 用のローカル PNP ベースの放電回路は、出力短絡事象時に MOSFET を確実にターンオフするのに役立ちますが、高周波で高スルーレートの負荷過渡が存在する場合には、誤ってゲート ターンオフが発生します。負荷の昇圧時には、ホット スワップ回路の入力および出力インピーダンスが有限なため、MOSFET ソース ノードの電圧が低下します。ソース ノードでの電圧降下が MOSFET の C_GS キャパシタンス経由で MOSFET のゲート ノードに結合され、ゲート ノードも同様に電圧降下します。負荷の降圧中に、MOSFET ソース ノードが回復します。LM5066I ホット スワップ コントローラではゲート電流 (標準値20µA) が制限されているため、ゲート ノードは以前のレベルに完全に回復することはできません。その結果、ホット スワップ コントローラのゲートは、以後の負荷過渡サイクルでさらに降圧し続け、Q1 のベースエミッタ電圧が発生します。最後に、PNP バイポーラ接合トランジスタ Q1 がオンになり、システムを誤ってシャットダウンします。図 6 にプロセス全体を示し、図 7 に対応するテスト結果を示します。