JAJT469 April   2025 LM5066I

 

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  2. はじめに
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  4. 48V AI サーバー向けのホット スワップ回路を設計する際の課題
  5. 課題 1:出力短絡時のターンオフ遅延
  6. 課題 2:負荷過渡中の誤ったゲート ターンオフ
  7. 課題 3:制御 (低速) ターンオン時の並列共振
  8. 推奨される回路の拡張機能
  9. ターンオフ応答の改善
  10. 動的負荷での誤ったターンオフの克服
  11. 10寄生的発振の減衰
  12. 11設計ガイドラインおよび部品選定
  13. 12Cdv/dt 放電回路
  14. 13まとめ
  15. 14参考資料
  16. 15関連ウェブサイト

課題 1:出力短絡時のターンオフ遅延

負荷電流が増加すると、最大定常状態の MOSFET 接合部温度を安全な値 (100°C ~ 125°C) に制限するために、より多くの MOSFET を並列接続する必要があります。たとえば、周囲温度 70°C において 150A の定常状態の負荷電流をサポートするには、定常状態の MOSFET 接合部温度を 100°C に制限するため、テキサス インスツルメンツ (TI) の CSD19536KTT MOSFET を 8 個並列接続する必要があります。並列接続 MOSFET は熱安定性の向上に役立ちますが、ホットスワップ コントローラのゲート ピンの実効容量が大きくなり、ターンオフ応答に影響を及ぼすことになります。

出力短絡時は、故障電流のさらなる蓄積を防ぎ、MOSFET、入力電源、またはプリント基板 (PCB) の損傷を回避するため、MOSFET を十分高速にターンオフする必要があります。TI の LM5066I ホット スワップ コントローラのゲート プルダウン強度は 160mA に制限されており、図 5 に示すように、短絡事象中に 8 個の MOSFET すべてを完全にオフにするには不十分です。

 8 個の MOSFET による LM5066I コントローラの短絡応答。図 5 8 個の MOSFET による LM5066I コントローラの短絡応答。