JAJT469 April 2025 LM5066I
9 動的負荷での誤ったターンオフの克服
このソリューションでは、図 8 に示すように、DSS ダイオードをホット スワップのゲート ノードと MOSFET のゲート端子との間に配置することで、両者をデカップリングします。この変更により、ホットスワップ コントローラのゲート ノードに対する出力電圧リップルの反射を除去し、ソフト スタート PNP トランジスタである Qss の誤ったターンオンを回避できます。ダイオードの位置を変更しても、起動中のコントローラの動作にも、故障事象にも影響しません。テスト結果に示すように (図 10 を参照)、1kHz の周波数で 20A ～ 120A の大きな負荷ステップでもシステムは連続的に動作します。
図 8 推奨されるホット スワップ回路構成。
図 9 高速プルダウン回路による出力短絡応答。
図 10 1kHz の周波数における 20A ～ 120A ～ 20A のステップでの負荷過渡性能。