KOKY064 March   2025 DRV7308

 

  1.   1
  2.   개요
  3.   한눈에 보기
  4.   머리말
  5.   패키지 다양화를 통해 시장의 요구에 부합하는 방식
  6.   비용 효율성
  7.   전력 효율
  8.   미니어처 제품 구현
  9.   정밀 솔루션
  10.   고전압
  11.   절연
  12.   하나의 패키지에 다중 칩 탑재
  13.   패키징 안정성 테스트
  14.   우주 등급 패키지
  15.   결론
  16.   추가 리소스

고전압

650V를 초과하는 전압에서 작동하는 장치를 만드는 데에는 특별한 어려움이 있습니다. 패키지 외부의 아크를 방지하려면 리드 간격 및 패키지 설계에 대한 엄격한 산업 표준을 준수해야 합니다. 내부적으로 특수 몰드 컴파운드와 같은 물질은 고온, 다습 및 큰 바이어스 전압의 장기간에 걸친 영향에서 유전 파괴를 방지해야 합니다. 패키지 구조의 정밀한 전기장 분석은 패키지 내 아크를 방지하는 데 도움이 됩니다.

그림 17에서는 특수 고전압 플라스틱 및 리드 간격을 사용하는 QFN 패키지의 LMG3624 650V, 170mΩ GaN FET를 보여줍니다. 또한 드라이버 및 보호 기능이 통합된 LMG3650R035 650V, 35mΩ GaN FET는 열 패드가 포함된 TOLL(Transistor Outline LeadLess) 패키지에서 뛰어난 열 발산 기능과 함께 최대 36A의 전류를 지원합니다.

650V, 170mΩ GaN FET는 QFN 패키지를 사용하여 소형화를 지원하고 고전압을 제공하기 위해 리드 간격을 유지합니다. TI의 TOLL 패키지에 열 패드가 내장된 650V, 35mΩ GaN FET는 향상된 열 관리로 더 높은 전류를 제공합니다.그림 17 650V, 170mΩ GaN FET는 QFN 패키지를 사용하여 소형화를 지원하고 고전압을 제공하기 위해 리드 간격을 유지합니다. TI의 TOLL 패키지에 열 패드가 내장된 650V, 35mΩ GaN FET는 향상된 열 관리로 더 높은 전류를 제공합니다.