ゲート ドライバ
カテゴリ別の参照
IGBT、GaNFET、SiCFETに対応した絶縁型ハーフブリッジ ドライバと絶縁型ローサイドゲート ドライバを TI の広範な製品群から選択して最適な設計を実現できます。TI のゲート ドライバ ソリューション、リソース、専門知識を活用すると、優れた効率と信頼性や高い電力密度を達成するシステムを設計しやすくなります。
関連カテゴリ
モータ ドライバ
ワイド バンドギャップ技術
各種トポロジで高い電力密度と設計の簡素化を実現する高速 GaN ゲート ドライバ
高速タイミング仕様、リードレス パッケージ、狭いパルス幅への応答という特性を組み合わせた TI のドライバを採用すると、FET の高速スイッチングを実現できます。ゲート電圧のレギュレーション、プログラム可能なデッドタイム、内部消費電力の低減などの特長を追加した結果、高周波スイッチングを通じて可能な範囲で最大の効率を実現できます。
Optimizing multi-megahertz GaN driver design white paper (Rev. A)
エネルギー効率と信頼性の高い小型システム設計に最適な SiC (シリコン カーバイド) ゲート ドライバ
SiC / IGBT ゲート ドライバの高い駆動電流、高い CMTI、短い伝搬遅延により、設計効率を高めることができます。TI の各種 SiC ゲート ドライバは、高速な短絡保護機能を内蔵し、高いサージ耐性を達成しているので、開発中のシステムで信頼性の高い絶縁を実現しやすくなります。高速かつ堅牢で信頼性の高いドライバを使用して、より高い PWM 周波数で SiC をスイッチングすることで、システム サイズ、重量、コストを低減できます。
IGBT & SiC Gate Driver Fundamentals
Silicon carbide gate drivers -- a disruptive technology in power electronics (Rev. A)
Understanding the Short Circuit Protection for Silicon Carbide MOSFETs (Rev. C)
Technical Resources
Fundamentals of MOSFET and IGBT Gate Driver Circuits (Replaces SLUP169) (Rev. A)
External Gate Resistor Selection Guide (Rev. A)
Impact of an isolated gate driver (Rev. A)
Design & development resources
100VIN 未満 DC/DC コンバータ向け電力段のリファレンス デザイン
光入力エミュレーション ゲート ドライバ搭載、 200 ～ 480VAC ドライブ向け 3 相インバータのリファレンス デザイン
480W、17mm 未満の薄型プロファイル、94% 効率、高速過渡応答の AC/DC SMPS のリファレンス デザイン
TIDA-01495 は、低プロファイル (高さ 17mm)、94.1% のピーク効率、高い電力密度、ユニバーサル入力、24V DC、480W 出力、コンシューマ向け AC/DC 電源のリファレンス デザインです。この回路は、UCC28063Aをベースとするフロント エンドや、2 相のインターリーブ遷移モード (TM) 力率補正 (PFC) によって構成されており、PFC インダクタのサイズを最小化できるほか、EMI (電磁干渉) フィルタの要件を低減することもできます。HB-LLC 絶縁型 DC/DC 段を制御するのは、ハイブリッド ヒステリシス制御 LLC コントローラである (...)