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ESD321

AKTIV

0,9 pF 3,6 V ±30 kV ESD-Schutzdiode mit 6,8  V 16 A TLP-Klemmung für USB 2.0

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ESD321

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Produktdetails

Package name DFN-1006 (X1SON), SOD523 (SOT-5X3) Peak pulse power (8/20 μs) (max) (W) 40 Vrwm (V) 3.6 Bi-/uni-directional Uni-Directional Number of channels 1 IO capacitance (typ) (pF) 0.9 Clamping voltage (V) 6.8 Breakdown voltage (min) (V) 4.5
Package name DFN-1006 (X1SON), SOD523 (SOT-5X3) Peak pulse power (8/20 μs) (max) (W) 40 Vrwm (V) 3.6 Bi-/uni-directional Uni-Directional Number of channels 1 IO capacitance (typ) (pF) 0.9 Clamping voltage (V) 6.8 Breakdown voltage (min) (V) 4.5
SOT-5X3 (DYA) 2 1.28 mm² 1.6 x 0.8 X1SON (DPY) 2 0.6 mm² 1 x 0.6
  • IEC 61000-4-2 Level 4 ESD protection:
    • ±30-kV contact discharge
    • ±30-kV air gap discharge
  • IEC 61000-4-4 EFT protection:
    • 80 A (5/50 ns)
  • IEC 61000-4-5 surge protection:
    • 6 A (8/20 µs)
  • IO capacitance: 0.9 pF (typical)
  • DC breakdown voltage: 4.5 V (minimum)
  • Low leakage current: 0.1 nA (typical)
  • Extremely Low ESD clamping voltage:
    • 6.8 V at 16 A TLP (I/O to GND)
    • RDYN: 0.13 Ω (I/O to GND)
  • Industrial temperature range: –40°C to +125°C
  • Industry standard 0402 (DFN1006P2) and SOD-523 packages
  • IEC 61000-4-2 Level 4 ESD protection:
    • ±30-kV contact discharge
    • ±30-kV air gap discharge
  • IEC 61000-4-4 EFT protection:
    • 80 A (5/50 ns)
  • IEC 61000-4-5 surge protection:
    • 6 A (8/20 µs)
  • IO capacitance: 0.9 pF (typical)
  • DC breakdown voltage: 4.5 V (minimum)
  • Low leakage current: 0.1 nA (typical)
  • Extremely Low ESD clamping voltage:
    • 6.8 V at 16 A TLP (I/O to GND)
    • RDYN: 0.13 Ω (I/O to GND)
  • Industrial temperature range: –40°C to +125°C
  • Industry standard 0402 (DFN1006P2) and SOD-523 packages

The ESD321 is a uni-directional TVS ESD protection diode featuring low dynamic resistance and low clamping voltage. The ESD321 is rated to dissipate ESD strikes up to ±30 kV per the IEC 61000-4-2 international standard (greater than Level 4).

The ultra-low dynamic resistance (0.13 Ω) and extremely low clamping voltage (6.8 V at 16 A TLP) ensure system level protection against transient events. This device has a low capacitance of 0.9 pF IO capacitance making it suitable for protecting interfaces such as USB 2.0 and Ethernet 10/100/1000 Mbps.

The ESD321 is offered in the industry standard 0402 (DPY/DFN1006P2) and SOD-523 (DYA) packages.

The ESD321 is a uni-directional TVS ESD protection diode featuring low dynamic resistance and low clamping voltage. The ESD321 is rated to dissipate ESD strikes up to ±30 kV per the IEC 61000-4-2 international standard (greater than Level 4).

The ultra-low dynamic resistance (0.13 Ω) and extremely low clamping voltage (6.8 V at 16 A TLP) ensure system level protection against transient events. This device has a low capacitance of 0.9 pF IO capacitance making it suitable for protecting interfaces such as USB 2.0 and Ethernet 10/100/1000 Mbps.

The ESD321 is offered in the industry standard 0402 (DPY/DFN1006P2) and SOD-523 (DYA) packages.
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Technische Dokumentation

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Typ Titel Datum
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Application note IEC61000-4-2, IEC 61000-4-4 and IEC 61000-4-5 tests for TI’s protection devices 01 Jun 2015

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<p>das Evaluierungsmodul (EVM) für elektrostatisch empfindliche Bausteine (Electrostatic-Sensitive Device, ESD) ist eine Entwicklungsplattform für den Großteil unseres ESD-Portfolios. Die Platine wird mit allen herkömmlichen ESD-Footprints geliefert, um eine beliebige Anzahl von Bausteinen zu (...)

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