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LM2X0X-CALC — LM2x0x Schematic Review Template
LM2x0x Schematic Review Template (zip)
LM2105
Halbbrücken-Gate-Treiber, 107 V, 0,5 A/0,8 A, mit 5-V-UVLO und integrierter Bootstrap-Diode
Datenblatt
LM2105
- Drives two N-channel MOSFETs in half-bridge configuration
- Integrated bootstrap diode
- 5-V typical undervoltage lockout on GVDD
- 107-V absolute maximum voltage on BST
- –19.5-V absolute maximum negative transient voltage handling on SH
- 0.5-A/0.8-A peak source/sink currents
- 115-ns typical propagation delay
The LM2105 is a compact, high-voltage gate driver designed to drive both the high-side and the low-side N-channel MOSFETs in a synchronous buck or a half-bridge configuration. The integrated bootstrap diode saves board space and reduces system cost by eliminating the need for an external discrete diode.
The –1-V DC and –19.5-V transient negative voltage handling on the SH pin improve the system robustness in high noise applications. The small, thermally-enhanced 8-pin WSON package improves PCB layout by allowing the driver to be placed closer to the motor phases. The LM2105 is also available in an 8-pin SOIC package compatible with industry standard pinouts. Undervoltage lockout (UVLO) is provided on both the low-side and the high-side power rails for protection during power up and power down.
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| SOIC (D) | 8 | Ultra Librarian |
| WSON (DSG) | 8 | Ultra Librarian |
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