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LM5051

AKTIV

IQ ORing FET-Controller, -6 bis -100 V, 690 μA

Produktdetails

Vin (min) (V) -6 Vin (max) (V) 100 Number of channels 1 Features FET test, Linear control, Power good signal, Reverse current blocking Iq (typ) (mA) 0.69 Iq (max) (mA) 0.78 FET External single FET IGate source (typ) (µA) 660 IGate source (max) (µA) 950 IGate sink (typ) (mA) 3.5 IGate pulsed (typ) (A) 3.5 Operating temperature range (°C) -40 to 125 VSense reverse (typ) (mV) -45 Design support EVM, Simulation Model Rating Catalog Imax (A) 250 Shutdown current (ISD) (mA) (A) 0.1 Device type ORing controller Product type ORing controller
Vin (min) (V) -6 Vin (max) (V) 100 Number of channels 1 Features FET test, Linear control, Power good signal, Reverse current blocking Iq (typ) (mA) 0.69 Iq (max) (mA) 0.78 FET External single FET IGate source (typ) (µA) 660 IGate source (max) (µA) 950 IGate sink (typ) (mA) 3.5 IGate pulsed (typ) (A) 3.5 Operating temperature range (°C) -40 to 125 VSense reverse (typ) (mV) -45 Design support EVM, Simulation Model Rating Catalog Imax (A) 250 Shutdown current (ISD) (mA) (A) 0.1 Device type ORing controller Product type ORing controller
SOIC (D) 8 29.4 mm² 4.9 x 6
  • Wide operating input voltage range: -6V to -100V
  • -100V Transient Capability
  • Gate drive for external N-Channel MOSFET
  • MOSFET diagnostic test mode
  • Fast 50ns response to current reversal
  • 2A peak gate turn-off current
  • Package: 8-Lead SOIC

All trademarks are the property of their respective owners.

  • Wide operating input voltage range: -6V to -100V
  • -100V Transient Capability
  • Gate drive for external N-Channel MOSFET
  • MOSFET diagnostic test mode
  • Fast 50ns response to current reversal
  • 2A peak gate turn-off current
  • Package: 8-Lead SOIC

All trademarks are the property of their respective owners.

The LM5051 Low Side OR-ing FET Controller operates in conjunction with an external MOSFET as an ideal diode rectifier when connected in series with a power source. This OR-ing controller allows MOSFETs to replace diode rectifiers in power distribution networks thus reducing both power loss and voltage drops.

The LM5051 controller provides gate drive for an external N-Channel MOSFET and a fast response comparator to turn off the FET when current flows in the reverse direction. The LM5051 can connect power supplies ranging from -6V to -100V and can withstand transients up to -100V.

The LM5051 also provides a FET test diagnostic mode which allows the system controller to test for shorted MOSFETs.

The LM5051 Low Side OR-ing FET Controller operates in conjunction with an external MOSFET as an ideal diode rectifier when connected in series with a power source. This OR-ing controller allows MOSFETs to replace diode rectifiers in power distribution networks thus reducing both power loss and voltage drops.

The LM5051 controller provides gate drive for an external N-Channel MOSFET and a fast response comparator to turn off the FET when current flows in the reverse direction. The LM5051 can connect power supplies ranging from -6V to -100V and can withstand transients up to -100V.

The LM5051 also provides a FET test diagnostic mode which allows the system controller to test for shorted MOSFETs.

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Technische Dokumentation

star =Von TI ausgewählte Top-Empfehlungen für dieses Produkt
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Alle anzeigen 6
Typ Titel Datum
* Data sheet LM5051 Low Side OR-ing FET Controller datasheet (Rev. D) 21 Mär 2013
Application note Basics of Ideal Diodes (Rev. B) PDF | HTML 05 Okt 2021
E-book 11 Ways to Protect Your Power Path 03 Jul 2019
Application note Basics of Power Switches (Rev. A) PDF | HTML 26 Apr 2019
Selection guide Power Management Guide 2018 (Rev. R) 25 Jun 2018
User guide AN-2148 LM5051MAEVAL Evaluation Board (Rev. B) 06 Mai 2013

Design und Entwicklung

Weitere Bedingungen oder erforderliche Ressourcen enthält gegebenenfalls die Detailseite, die Sie durch Klicken auf einen der unten stehenden Titel erreichen.

Evaluierungsplatine

LM5051MAEVAL — Evaluierungsplatine für den LM5051

The LM5051 evaluation board is designed to demonstrate the capabilities of the LM5051 OR-ing Diode Controller. One lowside N-channel power MOSFET is used per channel. The evaluation board is designed to highlight applications with a small solution size.

Benutzerhandbuch: PDF
Simulationsmodell

LM5051 TINA-TI Transient Reference Design (Rev. A)

SNVM465A.TSC (361 KB) - TINA-TI Reference Design
Simulationsmodell

LM5051 TINA-TI Transient Spice Model (Rev. A)

SNVM466A.ZIP (23 KB) - TINA-TI Spice Model
Simulationsmodell

LM5051 Unencrypted PSpice Transient Model Package (Rev. B)

SNVM467B.ZIP (51 KB) - PSpice Model
Simulationstool

PSPICE-FOR-TI — PSpice® für TI Design-und Simulationstool

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Gehäuse Pins CAD-Symbole, Footprints und 3D-Modelle
SOIC (D) 8 Ultra Librarian

Bestellen & Qualität

Beinhaltete Information:
  • RoHS
  • REACH
  • Bausteinkennzeichnung
  • Blei-Finish/Ball-Material
  • MSL-Rating / Spitzenrückfluss
  • MTBF-/FIT-Schätzungen
  • Materialinhalt
  • Qualifikationszusammenfassung
  • Kontinuierliches Zuverlässigkeitsmonitoring
Beinhaltete Information:
  • Werksstandort
  • Montagestandort

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