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CSD13201W10

ACTIVO

MOSFET de potencia NexFET™ de 12 V y canal N, WLP simple de 1 mm x 1 mm, 34 mOhm

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CSD13302W ACTIVO MOSFET de potencia NexFET™ de 12 V y canal N, WLP simple de 1 mm x 1 mm, 17.1 mOhm This product has lower resistance and a similar 1 ku price.

CSD13201W10

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Detalles del producto

VDS (V) 12 VGS (V) 8 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 34 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 39 VGSTH typ (typ) (V) 0.8 QG (typ) (nC) 2.3 QGD (typ) (nC) 0.3 QGS (typ) (nC) 0.5 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 1.6 ID - package limited (A) 1.6 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) 12 VGS (V) 8 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 34 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 39 VGSTH typ (typ) (V) 0.8 QG (typ) (nC) 2.3 QGD (typ) (nC) 0.3 QGS (typ) (nC) 0.5 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 1.6 ID - package limited (A) 1.6 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
DSBGA (YZB) 4 1.5625 mm² (— mm × — mm)
  • Ultra-Low Qg and Qgd
  • Small Footprint (1 mm × 1 mm)
  • Low Profile 0.62-mm Height
  • Pb-Free
  • RoHS Compliant
  • Halogen-Free
  • Gate-Source Voltage Clamp
  • Ultra-Low Qg and Qgd
  • Small Footprint (1 mm × 1 mm)
  • Low Profile 0.62-mm Height
  • Pb-Free
  • RoHS Compliant
  • Halogen-Free
  • Gate-Source Voltage Clamp

This 12-V, 26-mΩ, N-Channel device is designed to deliver the lowest on resistance and gate charge in the smallest outline possible with excellent thermal characteristics in an ultra-low profile.

This 12-V, 26-mΩ, N-Channel device is designed to deliver the lowest on resistance and gate charge in the smallest outline possible with excellent thermal characteristics in an ultra-low profile.
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Documentación principal Tipo Título Opciones de formato Descargar la versión más reciente en inglés Fecha
* Hoja de datos CSD13201W10 N-Channel NexFET™ Power MOSFET datasheet (Rev. A) PDF | HTML 30/09/2015
Application brief Estimating Leakage Currents of Power MOSFETs PDF | HTML 31/10/2025
Nota sobre la aplicación MOSFET Support and Training Tools (Rev. G) PDF | HTML 27/10/2025
Nota sobre la aplicación Semiconductor and IC Package Thermal Metrics (Rev. D) PDF | HTML 25/03/2024
Nota sobre la aplicación Using MOSFET Transient Thermal Impedance Curves In Your Design PDF | HTML 18/12/2023
Nota sobre la aplicación Solving Assembly Issues with Chip Scale Power MOSFETs PDF | HTML 14/12/2023
Nota sobre la aplicación Using MOSFET Safe Operating Area Curves in Your Design PDF | HTML 13/03/2023
Application brief Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs PDF | HTML 31/05/2022
Nota sobre la aplicación AN-1112 DSBGA Wafer Level Chip Scale Package (Rev. AI) 14/06/2019

Diseño y desarrollo

Para conocer los términos adicionales o los recursos necesarios, haga clic en cualquier título de abajo para ver la página de detalles cuando esté disponible.

Soporte de software

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Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
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NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — NONSYNC BOOST FET LOSS Calculator

MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
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Modelo de simulación

CSD13201W10 Unencrypted PSpice Model (Rev. B)

SLPM173B.ZIP (4 KB) - Modelo PSpice
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Herramienta de cálculo

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Encapsulado Pines Símbolos CAD, huellas y modelos 3D
DSBGA (YZB) 4 Ultra Librarian
Se aplican los Términos y condiciones estándar de TI para los elementos de evaluación.

Pedidos y calidad

Los productos recomendados pueden tener parámetros, módulos de evaluación o diseños de referencia relacionados con este producto de TI.

Soporte y capacitación

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