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CSD17576Q5B

ACTIVO

MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 2.9 mOhm

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Detalles del producto

VDS (V) 30 VGS (V) 20 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 2 Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 2.9 VGSTH typ (typ) (V) 1.4 QG (typ) (nC) 25 QGD (typ) (nC) 5.4 QGS (typ) (nC) 8.9 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 184 ID - package limited (A) 100 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) 30 VGS (V) 20 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 2 Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 2.9 VGSTH typ (typ) (V) 1.4 QG (typ) (nC) 25 QGD (typ) (nC) 5.4 QGS (typ) (nC) 8.9 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 184 ID - package limited (A) 100 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VSON-CLIP (DNK) 8 30 mm² (6 mm × 5 mm)
  • Low Qg and Qgd
  • Low RDS(on)
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Pb Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • SON 5-mm × 6-mm Plastic Package
  • Low Qg and Qgd
  • Low RDS(on)
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Pb Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • SON 5-mm × 6-mm Plastic Package

This 30 V, 1.7 mΩ, SON 5 x 6-mm NexFET™ power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion applications.

This 30 V, 1.7 mΩ, SON 5 x 6-mm NexFET™ power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion applications.

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Diseño y desarrollo

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