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CSD25213W10

ACTIVO

MOSFET de potencia NexFET™ de -20 V y canal P, WLP simple de 1 mm x 1 mm, 47 mOhm, protección contra

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CSD25213W10

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Detalles del producto

VDS (V) -20 VGS (V) -6 Type P-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 47 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 67 VGSTH typ (typ) (V) -0.85 QG (typ) (nC) 2.2 QGD (typ) (nC) 0.14 QGS (typ) (nC) 0.74 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 1.6 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) -20 VGS (V) -6 Type P-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 47 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 67 VGSTH typ (typ) (V) -0.85 QG (typ) (nC) 2.2 QGD (typ) (nC) 0.14 QGS (typ) (nC) 0.74 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 1.6 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
DSBGA (YZB) 4 1.5625 mm² (— mm × — mm)
  • Ultra Low Qg and Qgd
  • Small Footprint 1mm × 1mm
  • Low Profile 0.62mm Height
  • Pb Free
  • Gate-Source Voltage Clamp
  • Gate ESD Protection
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • Ultra Low Qg and Qgd
  • Small Footprint 1mm × 1mm
  • Low Profile 0.62mm Height
  • Pb Free
  • Gate-Source Voltage Clamp
  • Gate ESD Protection
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free

The device has been designed to deliver the lowest on resistance and gate charge in the smallest outline possible with excellent thermal characteristics in an ultra low profile.

The device has been designed to deliver the lowest on resistance and gate charge in the smallest outline possible with excellent thermal characteristics in an ultra low profile.
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Documentación técnica

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Documentación principal Tipo Título Opciones de formato Descargar la versión más reciente en inglés Fecha
* Hoja de datos P-Channel NexFET™ Power MOSFET, CSD25213W10 datasheet 19/06/2013
Application brief Estimating Leakage Currents of Power MOSFETs PDF | HTML 31/10/2025
Nota sobre la aplicación MOSFET Support and Training Tools (Rev. G) PDF | HTML 27/10/2025
Nota sobre la aplicación Avoid Common Mistakes When Selecting And Designing With Power MOSFETs PDF | HTML 6/11/2024
Nota sobre la aplicación Semiconductor and IC Package Thermal Metrics (Rev. D) PDF | HTML 25/03/2024
Nota sobre la aplicación Using MOSFET Transient Thermal Impedance Curves In Your Design PDF | HTML 18/12/2023
Nota sobre la aplicación Solving Assembly Issues with Chip Scale Power MOSFETs PDF | HTML 14/12/2023
Nota sobre la aplicación Using MOSFET Safe Operating Area Curves in Your Design PDF | HTML 13/03/2023
Application brief Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs PDF | HTML 31/05/2022
Nota sobre la aplicación AN-1112 DSBGA Wafer Level Chip Scale Package (Rev. AI) 14/06/2019

Diseño y desarrollo

Para conocer los términos adicionales o los recursos necesarios, haga clic en cualquier título de abajo para ver la página de detalles cuando esté disponible.

Soporte de software

LOAD-SWITCH-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Load Switch

Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
Productos y hardware compatibles
Modelo de simulación

CSD25213W10 TINA-TI Spice Model

SLPM272.TSM (7 KB) - Modelo TINA-TI Spice
Productos y hardware compatibles
Modelo de simulación

CSD25213W10 Unencrypted PSpice Model (Rev. B)

SLPM176B.ZIP (3 KB) - Modelo PSpice
Productos y hardware compatibles
Encapsulado Pines Símbolos CAD, huellas y modelos 3D
DSBGA (YZB) 4 Ultra Librarian
Se aplican los Términos y condiciones estándar de TI para los elementos de evaluación.

Pedidos y calidad

Los productos recomendados pueden tener parámetros, módulos de evaluación o diseños de referencia relacionados con este producto de TI.

Soporte y capacitación

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