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CSD87503Q3E

ACTIVO

MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, SON de fuente común de 3 mm x 3 mm, 21,9 mOhm

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CSD87503Q3E

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Detalles del producto

VDS (V) 30 VGS (V) 20 Type N-channel Configuration Dual Common Source Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 16.9 Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 21.9 VGSTH typ (typ) (V) 1.7 QG (typ) (nC) 13.4 QGD (typ) (nC) 5.8 QGS (typ) (nC) 4.8 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 10 ID - package limited (A) 10 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) 30 VGS (V) 20 Type N-channel Configuration Dual Common Source Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 16.9 Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 21.9 VGSTH typ (typ) (V) 1.7 QG (typ) (nC) 13.4 QGD (typ) (nC) 5.8 QGS (typ) (nC) 4.8 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 10 ID - package limited (A) 10 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VSON (DTD) 8 10.89 mm² (3.3 mm × 3.3 mm)
  • Dual N-Ch Common Source MOSFETs
  • Optimized for 5-V Gate Drive
  • Low-Thermal Resistance
  • Low Qg and Qgd
  • Lead-Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • SON 3.3-mm × 3.3-mm Plastic Package
  • Dual N-Ch Common Source MOSFETs
  • Optimized for 5-V Gate Drive
  • Low-Thermal Resistance
  • Low Qg and Qgd
  • Lead-Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • SON 3.3-mm × 3.3-mm Plastic Package

The CSD87503Q3E is a 30-V, 13.5-mΩ, common source, dual N-channel device designed for USB Type-C/PD and battery protection. This SON 3.3 × 3.3 mm device has low drain-to-drain on-resistance that minimizes losses and offers low component count for space constrained applications.

The CSD87503Q3E is a 30-V, 13.5-mΩ, common source, dual N-channel device designed for USB Type-C/PD and battery protection. This SON 3.3 × 3.3 mm device has low drain-to-drain on-resistance that minimizes losses and offers low component count for space constrained applications.
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* Hoja de datos CSD87503Q3E 30-V N-Channel NexFET™ Power MOSFETs datasheet PDF | HTML 13/09/2017
Application brief Estimating Leakage Currents of Power MOSFETs PDF | HTML 31/10/2025
Nota sobre la aplicación MOSFET Support and Training Tools (Rev. G) PDF | HTML 27/10/2025
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Nota sobre la aplicación QFN and SON PCB Attachment (Rev. C) PDF | HTML 6/12/2023
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Application brief Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs PDF | HTML 31/05/2022
Nota sobre la aplicación Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETs 16/11/2011

Diseño y desarrollo

Para conocer los términos adicionales o los recursos necesarios, haga clic en cualquier título de abajo para ver la página de detalles cuando esté disponible.

Soporte de software

NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — NONSYNC BOOST FET LOSS Calculator

MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
Productos y hardware compatibles
Modelo de simulación

CSD85703Q3E Unencrypted PSpice Model

SLPM335.ZIP (3 KB) - Modelo PSpice
Productos y hardware compatibles
Herramienta de cálculo

SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Synchronous Buck Converter

Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
Productos y hardware compatibles
Encapsulado Pines Símbolos CAD, huellas y modelos 3D
VSON (DTD) 8 Ultra Librarian
Se aplican los Términos y condiciones estándar de TI para los elementos de evaluación.

Pedidos y calidad

Los productos recomendados pueden tener parámetros, módulos de evaluación o diseños de referencia relacionados con este producto de TI.

Soporte y capacitación

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