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DRV8323

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Controlador de puerta trifásico inteligente de 65 V máx. con amplificadores de derivación de corr

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DRV8323

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Detalles del producto

Rating Catalog Architecture Gate driver Control interface 1xPWM, 3xPWM, 6xPWM Gate drive (A) 1 Vs (min) (V) 6 Vs ABS (max) (V) 65 Features Current sense Amplifier, Hardware Management I/F, SPI/I2C, Smart Gate Drive Operating temperature range (°C) -40 to 125
Rating Catalog Architecture Gate driver Control interface 1xPWM, 3xPWM, 6xPWM Gate drive (A) 1 Vs (min) (V) 6 Vs ABS (max) (V) 65 Features Current sense Amplifier, Hardware Management I/F, SPI/I2C, Smart Gate Drive Operating temperature range (°C) -40 to 125
WQFN (RTA) 40 36 mm² (6 mm × 6 mm)
  • Triple Half-Bridge Gate Driver
    • Drives 3 High-Side and 3 Low-Side N-Channel MOSFETs (NMOS)
  • Smart Gate Drive Architecture
    • Adjustable Slew Rate Control
    • 10-mA to 1-A Peak Source Current
    • 20-mA to 2-A Peak Sink Current
  • Integrated Gate Driver Power Supplies
    • Supports 100% PWM Duty Cycle
    • High-Side Charge Pump
    • Low-Side Linear Regulator
  • 6 to 60-V Operating Voltage Range
  • Optional Integrated DC/DC Buck Regulator
    • LMR16006X SIMPLE SWITCHER
    • 4 to 60-V Operating Voltage Range
    • 0.8 to 60-V, 600-mA Output Capability
  • Optional Integrated Triple Low-Side Current Sense Amplifiers (CSAs)
    • Adjustable Gain (5, 10, 20, 40 V/V)
    • Bidirectional or Unidirectional Support
  • SPI and Hardware Interface Available
  • 6x, 3x, 1x, and Independent PWM Modes
  • Supports 1.8-V, 3.3-V, and 5-V Logic Inputs
  • Low-Power Sleep Mode (12 µA)
  • Linear Voltage Regulator, 3.3 V, 30 mA
  • Compact QFN Packages and Footprints
  • Efficient System Design With Power Blocks
  • Integrated Protection Features
    • VM Undervoltage Lockout (UVLO)
    • Charge Pump Undervoltage (CPUV)
    • MOSFET Overcurrent Protection (OCP)
    • Gate Driver Fault (GDF)
    • Thermal Warning and Shutdown (OTW/OTSD)
    • Fault Condition Indicator (nFAULT)
  • Triple Half-Bridge Gate Driver
    • Drives 3 High-Side and 3 Low-Side N-Channel MOSFETs (NMOS)
  • Smart Gate Drive Architecture
    • Adjustable Slew Rate Control
    • 10-mA to 1-A Peak Source Current
    • 20-mA to 2-A Peak Sink Current
  • Integrated Gate Driver Power Supplies
    • Supports 100% PWM Duty Cycle
    • High-Side Charge Pump
    • Low-Side Linear Regulator
  • 6 to 60-V Operating Voltage Range
  • Optional Integrated DC/DC Buck Regulator
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  • Optional Integrated Triple Low-Side Current Sense Amplifiers (CSAs)
    • Adjustable Gain (5, 10, 20, 40 V/V)
    • Bidirectional or Unidirectional Support
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  • 6x, 3x, 1x, and Independent PWM Modes
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  • Compact QFN Packages and Footprints
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  • Integrated Protection Features
    • VM Undervoltage Lockout (UVLO)
    • Charge Pump Undervoltage (CPUV)
    • MOSFET Overcurrent Protection (OCP)
    • Gate Driver Fault (GDF)
    • Thermal Warning and Shutdown (OTW/OTSD)
    • Fault Condition Indicator (nFAULT)

The DRV832x family of devices is an integrated gate driver for three-phase applications. The devices provide three half-bridge gate drivers, each capable of driving high-side and low-side N-channel power MOSFETs. The DRV832x generates the correct gate drive voltages using an integrated charge pump for the high-side MOSFETs and a linear regulator for the low-side MOSFETs. The Smart Gate Drive architecture supports peak gate drive currents up to 1A source and 2A. The DRV832x can operate from a single power supply and supports a wide input supply range of 6 to 60 V for the gate driver and 4 to 60 V for the optional buck regulator.

The 6x, 3x, 1x, and independent input PWM modes allow for simple interfacing to controller circuits. The configuration settings for the gate driver and device are highly configurable through the SPI or hardware (H/W) interface. The DRV8323 and DRV8323R devices integrate three low-side current sense amplifiers that allow bidirectional current sensing on all three phases of the drive stage. The DRV8320R and DRV8323R devices integrate a 600mA DC/DC buck regulator.

A low-power sleep mode is provided to achieve low quiescent current draw by shutting down most of the internal circuitry. Internal protection functions are provided for undervoltage lockout, charge pump fault, MOSFET overcurrent, MOSFET short circuit, gate driver fault, and overtemperature. Fault conditions are indicated on the nFAULT pin with details through the device registers for SPI device variants.

The DRV832x family of devices is an integrated gate driver for three-phase applications. The devices provide three half-bridge gate drivers, each capable of driving high-side and low-side N-channel power MOSFETs. The DRV832x generates the correct gate drive voltages using an integrated charge pump for the high-side MOSFETs and a linear regulator for the low-side MOSFETs. The Smart Gate Drive architecture supports peak gate drive currents up to 1A source and 2A. The DRV832x can operate from a single power supply and supports a wide input supply range of 6 to 60 V for the gate driver and 4 to 60 V for the optional buck regulator.

The 6x, 3x, 1x, and independent input PWM modes allow for simple interfacing to controller circuits. The configuration settings for the gate driver and device are highly configurable through the SPI or hardware (H/W) interface. The DRV8323 and DRV8323R devices integrate three low-side current sense amplifiers that allow bidirectional current sensing on all three phases of the drive stage. The DRV8320R and DRV8323R devices integrate a 600mA DC/DC buck regulator.

A low-power sleep mode is provided to achieve low quiescent current draw by shutting down most of the internal circuitry. Internal protection functions are provided for undervoltage lockout, charge pump fault, MOSFET overcurrent, MOSFET short circuit, gate driver fault, and overtemperature. Fault conditions are indicated on the nFAULT pin with details through the device registers for SPI device variants.
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