LM2005
Controlador de compuerta de medio puente de 107 V, 0.5 A/0.8 A con UVLO de 8 V y diodo de arranqu
LM2005
- Drives two N-channel MOSFETs in half-bridge configuration
- Integrated bootstrap diode
- 8-V typical undervoltage lockout on GVDD
- 107-V absolute maximum voltage on BST
- –19.5-V absolute maximum negative transient voltage handling on SH
- 0.5-A/0.8-A peak source/sink currents
- 115-ns typical propagation delay
The LM2005 is a compact, high-voltage gate driver designed to drive both the high-side and the low-side N-channel MOSFETs in a synchronous buck or a half-bridge configuration. The integrated bootstrap diode saves board space and reduces system cost by eliminating the need for an external discrete diode.
The –1-V DC and –19.5-V transient negative voltage handling on the SH pin improve the system robustness in high noise applications. The small, thermally-enhanced 8-pin WSON package improves PCB layout by allowing the driver to be placed closer to the motor phases. The LM2005 is also available in an 8-pin SOIC package compatible with industry standard pinouts. Undervoltage lockout (UVLO) is provided on both the low-side and the high-side power rails for protection during power up and power down.
Documentación técnica
Diseño y desarrollo
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| Encapsulado | Pines | Símbolos CAD, huellas y modelos 3D |
|---|---|---|
| SOIC (D) | 8 | Ultra Librarian |
| WSON (DSG) | 8 | Ultra Librarian |
Pedidos y calidad
- RoHS
- REACH
- Marcado del dispositivo
- Acabado de plomo/material de la bola
- Clasificación de nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)/reflujo máximo
- Estimaciones de tiempo medio entre fallas (MTBF)/fallas en el tiempo (FIT)
- Contenido del material
- Resumen de calificaciones
- Monitoreo continuo de confiabilidad
- Lugar de fabricación
- Lugar de ensamblaje
Los productos recomendados pueden tener parámetros, módulos de evaluación o diseños de referencia relacionados con este producto de TI.
Soporte y capacitación
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