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SN74CB3Q3125

ACTIVO

Interruptor de bus FET de 4 canales y 3.3 V, 1:1 (SPST)

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SN74CB3Q3125

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Detalles del producto

Protocols Analog, I2C, I2S, JTAG, RGMII, SPI, TDM, UART Configuration 1:1 SPST Number of channels 4 Bandwidth (MHz) 500 Ron (typ) (mΩ) 4000 Input/output voltage (min) (V) 0 Input/output voltage (max) (V) 5.5 Supply current (typ) (µA) 2000 Operating temperature range (°C) -40 to 85 ESD CDM (kV) 1 Input/output continuous current (max) (mA) 64 COFF (typ) (pF) 4 CON (typ) (pF) 8 OFF-state leakage current (max) (µA) 1 Ron (max) (mΩ) 9000 Turnoff time (disable) (max) (ns) 5.3 Turnon time (enable) (max) (ns) 6.6 VIH (min) (V) 1.7 VIL (max) (V) 0.8 Rating Catalog
Protocols Analog, I2C, I2S, JTAG, RGMII, SPI, TDM, UART Configuration 1:1 SPST Number of channels 4 Bandwidth (MHz) 500 Ron (typ) (mΩ) 4000 Input/output voltage (min) (V) 0 Input/output voltage (max) (V) 5.5 Supply current (typ) (µA) 2000 Operating temperature range (°C) -40 to 85 ESD CDM (kV) 1 Input/output continuous current (max) (mA) 64 COFF (typ) (pF) 4 CON (typ) (pF) 8 OFF-state leakage current (max) (µA) 1 Ron (max) (mΩ) 9000 Turnoff time (disable) (max) (ns) 5.3 Turnon time (enable) (max) (ns) 6.6 VIH (min) (V) 1.7 VIL (max) (V) 0.8 Rating Catalog
SSOP (DBQ) 16 29.4 mm² (4.9 mm × 6 mm) TVSOP (DGV) 14 23.04 mm² (3.6 mm × 6.4 mm) TSSOP (PW) 14 32 mm² (5 mm × 6.4 mm) VQFN (RGY) 14 12.25 mm² (3.5 mm × 3.5 mm)
  • High-bandwidth data path (up to 500MHz)
  • 5V tolerant I/Os with device powered up or powered down
  • Low and flat ON-state resistance (ron) characteristics over operating range (ron = 3Ω typical)
  • Rail-to-rail switching on data I/O ports
    • 0V to 5V switching with 3.3V VCC
    • 0V to 3.3V switching with 2.5V VCC
  • Bidirectional data flow with near-zero propagation delay
  • Low input and output capacitance minimizes loading and signal distortion (Cio(OFF) = 4pF typical)
  • Fast switching frequency (fOE = 20MHz maximum)
  • Data and control inputs provide undershoot clamp diodes
  • Low power consumption (ICC = 0.3mA typical)
  • VCC operating range from 2.3V to 3.6V
  • Data I/Os support 0V to 5V signaling levels (0.8V, 1.2V, 1.5V, 1.8V, 2.5V, 3.3V, and 5V)
  • Control inputs can be driven by TTL, 5V, or 3.3V CMOS outputs
  • Ioff supports partial-power-down mode operation
  • Latch-up performance exceeds 100mA per JESD 78, Class II
  • ESD performance tested per JESD 22
    • 2000V Human-Body Model (A114-B, Class II)
    • 1000V Charged-Device Model (C101)
  • Supports both digital and analog applications: USB interface, differential signal interface, bus isolation, low-distortion signal gating.
  • For additional information regarding the performance characteristics of the CB3Q family, refer to the TI application note CBT-C, CB3T, and CB3Q Signal-Switch Families.
  • High-bandwidth data path (up to 500MHz)
  • 5V tolerant I/Os with device powered up or powered down
  • Low and flat ON-state resistance (ron) characteristics over operating range (ron = 3Ω typical)
  • Rail-to-rail switching on data I/O ports
    • 0V to 5V switching with 3.3V VCC
    • 0V to 3.3V switching with 2.5V VCC
  • Bidirectional data flow with near-zero propagation delay
  • Low input and output capacitance minimizes loading and signal distortion (Cio(OFF) = 4pF typical)
  • Fast switching frequency (fOE = 20MHz maximum)
  • Data and control inputs provide undershoot clamp diodes
  • Low power consumption (ICC = 0.3mA typical)
  • VCC operating range from 2.3V to 3.6V
  • Data I/Os support 0V to 5V signaling levels (0.8V, 1.2V, 1.5V, 1.8V, 2.5V, 3.3V, and 5V)
  • Control inputs can be driven by TTL, 5V, or 3.3V CMOS outputs
  • Ioff supports partial-power-down mode operation
  • Latch-up performance exceeds 100mA per JESD 78, Class II
  • ESD performance tested per JESD 22
    • 2000V Human-Body Model (A114-B, Class II)
    • 1000V Charged-Device Model (C101)
  • Supports both digital and analog applications: USB interface, differential signal interface, bus isolation, low-distortion signal gating.
  • For additional information regarding the performance characteristics of the CB3Q family, refer to the TI application note CBT-C, CB3T, and CB3Q Signal-Switch Families.

The SN74CB3Q3125 device is a high-bandwidth FET bus switch that uses a charge pump to elevate the gate voltage of the pass transistor, thus providing a low and flat ON-state resistance (ron). The low and flat ON-state resistance allows for minimal propagation delay and supports rail-to-rail switching on the data input/output (I/O) ports. The SN74CB3Q3125 device also features low data I/O capacitance to minimize capacitive loading and signal distortion on the data bus.

The SN74CB3Q3125 device is a high-bandwidth FET bus switch that uses a charge pump to elevate the gate voltage of the pass transistor, thus providing a low and flat ON-state resistance (ron). The low and flat ON-state resistance allows for minimal propagation delay and supports rail-to-rail switching on the data input/output (I/O) ports. The SN74CB3Q3125 device also features low data I/O capacitance to minimize capacitive loading and signal distortion on the data bus.
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* Hoja de datos SN74CB3Q3125 Quadruple FET Bus Switch 2.5V/3.3V Low-Voltage, High-Bandwidth Bus Switch datasheet (Rev. D) PDF | HTML 16/01/2026
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Diseño y desarrollo

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Modelo de simulación

HSPICE MODEL OF SN74CB3Q3125

SCEJ199.ZIP (93 KB) - Modelo HSpice
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SCDM067 (127 KB) - Modelo IBIS
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Encapsulado Pines Símbolos CAD, huellas y modelos 3D
SSOP (DBQ) 16 Ultra Librarian
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TSSOP (PW) 14 Ultra Librarian
VQFN (RGY) 14 Ultra Librarian
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