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Amplificadores totalmente diferenciales (FDA) de RF

TRF0206-SP

ACTIVO

Amplif. de RF totalmente dif., resistencia garantizada a la radiación (RHA), casi CC a >6.5 GHz

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TRF0206-SP

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Detalles del producto

Type RF FDA Frequency (min) (MHz) 0.01 Frequency (max) (MHz) 6500 Gain (typ) (dB) 16 Noise figure (typ) (dB) 8 OIP3 (typ) (dBm) 38 P1dB (typ) (dBm) 12 Frequency of harmonic distortion measurement (GHz) 2 3rd harmonic (dBc) -68 OIP2 (typ) (dBm) 58 2nd harmonic (dBc) -60 Supply voltage (V) 3.3 Current consumption (mA) 130 Number of channels 1 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Rating Space Output enable Yes Radiation, SEL (MeV·cm2/mg) 75 Radiation, TID (typ) (rad) 100000
Type RF FDA Frequency (min) (MHz) 0.01 Frequency (max) (MHz) 6500 Gain (typ) (dB) 16 Noise figure (typ) (dB) 8 OIP3 (typ) (dBm) 38 P1dB (typ) (dBm) 12 Frequency of harmonic distortion measurement (GHz) 2 3rd harmonic (dBc) -68 OIP2 (typ) (dBm) 58 2nd harmonic (dBc) -60 Supply voltage (V) 3.3 Current consumption (mA) 130 Number of channels 1 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Rating Space Output enable Yes Radiation, SEL (MeV·cm2/mg) 75 Radiation, TID (typ) (rad) 100000
LCCC-FC (FFM) 12 37.82 mm² 6.2 x 6.1
  • QMLV (QML class V) MIL-PRF-38535 qualified, SMD 5962R2122001VXC
    • Radiation hardness assurance (RHA) up to 100-krad (Si) total ionizing dose (TID)
    • Single event latch-up (SEL) immune to LET = 75 MeV-cm 2/mg
  • Qualified over the military temperature range of –55°C to +125°C
  • Excellent single-ended to differential conversion performance as ADC driver
  • Operates in differential-to-single-ended mode to work as a DAC buffer
  • 3-dB bandwidth: 6.5 GHz
  • 1-dB gain flatness: 4.8 GHz
  • Fixed single-ended-to-differential power gain of 12.5 dB
  • OIP3 performance:
    • 38 dBm at 2 GHz
    • 32 dBm at 6 GHz
  • P1dB performance:
    • 12 dBm at 2 GHz
    • 10 dBm at 6 GHz
  • Noise figure:
    • 8 dB at 2 GHz
    • 9 dB at 6 GHz
  • Gain and phase imbalance: ±0.4 dB and ±3º
  • Power-down feature
  • Single-supply operation: 3.3 V
  • Active current: 130 mA
  • QMLV (QML class V) MIL-PRF-38535 qualified, SMD 5962R2122001VXC
    • Radiation hardness assurance (RHA) up to 100-krad (Si) total ionizing dose (TID)
    • Single event latch-up (SEL) immune to LET = 75 MeV-cm 2/mg
  • Qualified over the military temperature range of –55°C to +125°C
  • Excellent single-ended to differential conversion performance as ADC driver
  • Operates in differential-to-single-ended mode to work as a DAC buffer
  • 3-dB bandwidth: 6.5 GHz
  • 1-dB gain flatness: 4.8 GHz
  • Fixed single-ended-to-differential power gain of 12.5 dB
  • OIP3 performance:
    • 38 dBm at 2 GHz
    • 32 dBm at 6 GHz
  • P1dB performance:
    • 12 dBm at 2 GHz
    • 10 dBm at 6 GHz
  • Noise figure:
    • 8 dB at 2 GHz
    • 9 dB at 6 GHz
  • Gain and phase imbalance: ±0.4 dB and ±3º
  • Power-down feature
  • Single-supply operation: 3.3 V
  • Active current: 130 mA

The TRF0206-SP is a very high-performance, radiation-hardened radio-frequency (RF) amplifier optimized for RF applications. This device is an excellent choice for ac-coupled applications that require a single-ended to differential conversion when driving an analog-to-digital converter (ADC) such as the high performance ADC12DJ3200QML-SP. The on-chip matching components simplify printed circuit board (PCB) implementation and provide the highest performance over the usable bandwidth. The device is fabricated using Texas Instruments’ advanced complementary BiCMOS process, and is available in a space-qualified, LCCC package.

The device operates on a 3.3‑V single-rail supply. A power-down feature is available for power savings.

The TRF0206-SP is a very high-performance, radiation-hardened radio-frequency (RF) amplifier optimized for RF applications. This device is an excellent choice for ac-coupled applications that require a single-ended to differential conversion when driving an analog-to-digital converter (ADC) such as the high performance ADC12DJ3200QML-SP. The on-chip matching components simplify printed circuit board (PCB) implementation and provide the highest performance over the usable bandwidth. The device is fabricated using Texas Instruments’ advanced complementary BiCMOS process, and is available in a space-qualified, LCCC package.

The device operates on a 3.3‑V single-rail supply. A power-down feature is available for power savings.
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Documentación técnica

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Diseño y desarrollo

Para conocer los términos adicionales o los recursos necesarios, haga clic en cualquier título de abajo para ver la página de detalles cuando esté disponible.

Placa de evaluación

TRF0206EVM — Módulo de evaluación TRF0206-SP con amplificador de 10 MHz a 6.5 GHz, ancho de banda de 3 dB, de ext

El módulo de evaluación TRF0206EVM (EVM) se utiliza para evaluar el dispositivo TRF0206-SP, un amplificador resistente a la radiación con entrada de un único extremo y salida diferencial, disponible en un encapsulado LCC-FC de 12 pines de 6.00 mm2 × 6.10 mm2. El dispositivo está diseñado para (...)

Guía del usuario: PDF | HTML
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SBOMCN2.ZIP (5 KB) - S-Parameter Model
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RF-CASCADE-CALC-TOOL — TI RF Cascade Calculator

A browser-based RF lineup analysis tool supporting up to 10 stages. Computes gain, NF, OIP3, OIP2, OP1dB, and derived metrics. Features dual-axis Plotly charts, P1dB saturation detection, and export to CSV
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  • RoHS
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  • Marcado del dispositivo
  • Acabado de plomo/material de la bola
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Información incluida:
  • Lugar de fabricación
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