The UCC21738-Q1 is a galvanic isolated single channel gate driver designed for SiC MOSFETs and IGBTs up to 2121-V DC operating voltage with advanced protection features, best-in-class dynamic performance and robustness. The device has up to ±10-A peak source and sink currents.
The input side is isolated from the output side with SiO 2 capacitive isolation technology, supporting up to 1.5-kV RMS working voltage, 12.8-kV PK surge immunity with longer than 40 years isolation barrier life, as well as providing low part-to-part skew, and >150-V/ns common-mode transient immunity (CMTI).
The UCC21738-Q1 includes the state-of-art protection features, such as fast overcurrent and short circuit detection, shunt current sensing support, fault reporting, active Miller clamp, input and output side power supply UVLO to optimize SiC and IGBT switching behavior and robustness. The ASC feature can be utilized to force ON power switch during system failure events, further increasing the drivers’ versatility and simplifying the system design effort, size, and cost.
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| Tipo | Título | Fecha | ||
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| * | Data sheet | UCC21738-Q1 Automotive 10-A Source and Sink Reinforced Isolated Single Channel Gate Driver for SiC/IGBT with Active Protection and High-CMTI datasheet | PDF | HTML | 08 sep 2023 |
| Certificate | VDE Certificate for Reinforced Isolation for DIN EN IEC 60747-17 (Rev. Z) | 08 ene 2026 | ||
| Application note | Choosing Appropriate Protection Approach for IGBT and SiC Power Modules | PDF | HTML | 19 jul 2024 |
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| Encapsulado | Pines | Símbolos CAD, huellas y modelos 3D |
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| SOIC (DW) | 16 | Ultra Librarian |
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