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UCC28C54-Q1

ACTIVO

Cont. mod. ancho imp. (PWM) auto., 30 V, m. corriente baja pot., 14.5 V/9 V UVLO, cic. trab. 50 %

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UCC28C54-Q1

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Detalles del producto

Topology Boost, Buck, Flyback, Forward, SEPIC Control mode Current Features Adjustable switching frequency, Current limiting, Dead time control, Error amplifier, Fixed frequency, Multi-topology, Programmable max duty cycle Duty cycle (max) (%) 50
Topology Boost, Buck, Flyback, Forward, SEPIC Control mode Current Features Adjustable switching frequency, Current limiting, Dead time control, Error amplifier, Fixed frequency, Multi-topology, Programmable max duty cycle Duty cycle (max) (%) 50
SOIC (D) 8 29.4 mm² 4.9 x 6
  • Undervoltage lockout options to support both Si and SiC MOSFET applications

  • 30-V VDD absolute maximum voltage

  • 1-MHz maximum Fixed frequency oeration
  • 50-µA startup current, 75-µA maximum
  • Low operating current : 1.3 mA at fOSC = 52 kHz
  • High operating TJ : 150℃ maximum
  • Fast 35-ns cycle-by-cycle over-current limiting
  • ±1-A peak driving current
  • Rail-to-rail output:
    • 25-ns rise time
    • 20-ns fall time
  • ±1% accurate 2.5-V error amplifier reference

  • Pin-to-pin compatible and drop-in replacement for UCC28C4x-Q1

  • Functional Safety-Capable
  • AEC-Q100 qualified with the following results
    • Device temperature grade 1: -40°C to 125°C
    • Device HBM classification level 2: ±2 kV
    • Device CDM classification level C4B: 750 V
  • Undervoltage lockout options to support both Si and SiC MOSFET applications

  • 30-V VDD absolute maximum voltage

  • 1-MHz maximum Fixed frequency oeration
  • 50-µA startup current, 75-µA maximum
  • Low operating current : 1.3 mA at fOSC = 52 kHz
  • High operating TJ : 150℃ maximum
  • Fast 35-ns cycle-by-cycle over-current limiting
  • ±1-A peak driving current
  • Rail-to-rail output:
    • 25-ns rise time
    • 20-ns fall time
  • ±1% accurate 2.5-V error amplifier reference

  • Pin-to-pin compatible and drop-in replacement for UCC28C4x-Q1

  • Functional Safety-Capable
  • AEC-Q100 qualified with the following results
    • Device temperature grade 1: -40°C to 125°C
    • Device HBM classification level 2: ±2 kV
    • Device CDM classification level C4B: 750 V

The UCC28C5x-Q1 family of devices are high performance current-mode PWM controllers which can be used to drive both Si and SiC MOSFETs in various applications. The UCC28C5x-Q1 family is a more efficient and robust version of the UCC28C4x-Q1.

The UCC28C5x-Q1 family has new UVLO thresholds that allow for reliable SiC MOSFET operation (UCC28C56-59-Q1), in addition to existing UVLO thresholds for continued Si MOSFET support (UCC28C50-55-Q1).

VDD absolute maximum voltage rating is extended from 20 V to 30 V for optimally driving the gate of 20-Vgs, 18-Vgs, or 15-Vgs SiC MOSFETs, while also allowing for the exclusion of an external LDO.

The UCC28C5x-Q1 family of devices are high performance current-mode PWM controllers which can be used to drive both Si and SiC MOSFETs in various applications. The UCC28C5x-Q1 family is a more efficient and robust version of the UCC28C4x-Q1.

The UCC28C5x-Q1 family has new UVLO thresholds that allow for reliable SiC MOSFET operation (UCC28C56-59-Q1), in addition to existing UVLO thresholds for continued Si MOSFET support (UCC28C50-55-Q1).

VDD absolute maximum voltage rating is extended from 20 V to 30 V for optimally driving the gate of 20-Vgs, 18-Vgs, or 15-Vgs SiC MOSFETs, while also allowing for the exclusion of an external LDO.

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Documentación técnica

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Diseño y desarrollo

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Placa de evaluación

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Modelo de simulación

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Pedidos y calidad

Información incluida:
  • RoHS
  • REACH
  • Marcado del dispositivo
  • Acabado de plomo/material de la bola
  • Clasificación de nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)/reflujo máximo
  • Estimaciones de tiempo medio entre fallas (MTBF)/fallas en el tiempo (FIT)
  • Contenido del material
  • Resumen de calificaciones
  • Monitoreo continuo de confiabilidad
Información incluida:
  • Lugar de fabricación
  • Lugar de ensamblaje

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