CSD16342Q5A

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5mm x 6mm のシングル SON 封止、5.5mΩ、25V、N チャネル NexFET™ パワー MOSFET

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比較対象デバイスと同等の機能で、ピン互換製品。

CSD17577Q5A

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5mm x 6mm の SON 封止、シングル、5.8mΩ、30V、N チャネル NexFET™ パワー MOSFET This product has similar resistance and a lower price.

CSD16342Q5A

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製品詳細

VDS (V)

VGS (V)

Type

N-channel

Configuration

Single

Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ)

5.5

VGSTH typ (typ) (V)

0.85

QG (typ) (nC)

6.5

QGD (typ) (nC)

1.2

QGS (typ) (nC)

2.1

ID - silicon limited at TC=25°C (A)

ID - package limited (A)

100

Logic level

Yes

Rating

Catalog

Operating temperature range (°C)

-55 to 150

VDS (V)

VGS (V)

Type

N-channel

Configuration

Single

Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ)

5.5

VGSTH typ (typ) (V)

0.85

QG (typ) (nC)

6.5

QGD (typ) (nC)

1.2

QGS (typ) (nC)

2.1

ID - silicon limited at TC=25°C (A)

ID - package limited (A)

100

Logic level

Yes

Rating

Catalog

Operating temperature range (°C)

-55 to 150

VSONP (DQJ)

29.4 mm² (4.9 mm × 6 mm)

5V ゲートドライブに最適化
VGS = 2.5V での抵抗値
非常に小さい Qg と Qgd
低い熱抵抗
アバランシェ定格
鉛不使用の端子メッキ処理
RoHS に準拠
ハロゲン不使用
SON 5mm × 6mm プラスチックパッケージ

5V ゲートドライブに最適化
VGS = 2.5V での抵抗値
非常に小さい Qg と Qgd
低い熱抵抗
アバランシェ定格
鉛不使用の端子メッキ処理
RoHS に準拠
ハロゲン不使用
SON 5mm × 6mm プラスチックパッケージ

NexFET™ パワー MOSFET はパワーコンバージョンアプリケーションにおいて損失を最小限とするよう設計され、5V ゲートドライブアプリケーションに最適化されています。

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上位の文書	タイプ	タイトル	フォーマットオプション	最新の英語版をダウンロード		日付
*	データシート	CSD16342Q5A 25V、N チャネル NexFET パワー MOSFET データシート (Rev. C 翻訳版)	PDF \| HTML	英語版 (Rev.C)	PDF \| HTML	2025/06/18
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	アプリケーション・ノート	半導体および IC パッケージの熱評価基準 (Rev. D 翻訳版)	PDF \| HTML	英語版 (Rev.D)	PDF \| HTML	2025/05/08
	アプリケーション・ノート	Avoid Common Mistakes When Selecting And Designing With Power MOSFETs	PDF \| HTML			2024/11/06
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	アプリケーション概要	Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs	PDF \| HTML			2022/05/31
	セレクション・ガイド	電源 IC セレクション・ガイド 2018 (Rev. R 翻訳版)		英語版 (Rev.R)		2018/09/13
	アプリケーション・ノート	Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETs				2011/11/16