CSD16412Q5A

アクティブ

5mm x 6mm のシングル SON 封止、16mΩ、25V、N チャネル NexFET™ パワー MOSFET

製品詳細

VDS (V) 25 Configuration Single Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 16 Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) 11 IDM - pulsed drain current (Max) (A) 91 QG typ (nC) 2.9 QGD typ (nC) 0.7 Package (mm) SON5x6 VGS (V) 16 VGSTH typ (V) 2 ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 52 ID - package limited (A) 52 Logic level Yes
VDS (V) 25 Configuration Single Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 16 Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) 11 IDM - pulsed drain current (Max) (A) 91 QG typ (nC) 2.9 QGD typ (nC) 0.7 Package (mm) SON5x6 VGS (V) 16 VGSTH typ (V) 2 ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 52 ID - package limited (A) 52 Logic level Yes
  • Ultra Low Qg and Qgd
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Pb Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • SON 5mm × 6mm Plastic Package
  • APPLICATIONS
    • Point-of-Load Synchronous Buck Converter for Applications in
      Networking, Telecom and Computing Systems
    • Optimized for Control FET Applications

NexFET is a trademark of Texas Instruments.

  • Ultra Low Qg and Qgd
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Pb Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • SON 5mm × 6mm Plastic Package
  • APPLICATIONS
    • Point-of-Load Synchronous Buck Converter for Applications in
      Networking, Telecom and Computing Systems
    • Optimized for Control FET Applications

NexFET is a trademark of Texas Instruments.

The NexFET™ power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion applications.

The NexFET™ power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion applications.

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技術資料

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設計および開発

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パッケージ ピン数 ダウンロード
(DQJ) 8 オプションの表示

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL rating / リフローピーク温度
  • MTBF/FIT 推定値
  • 原材料組成
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス・デザインが存在する可能性があります。

サポートとトレーニング

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